YD2302T一12N65F参数数怎样进入参数设置

SVF12N65T/F/FG/K/S 说明书 12A 、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF12N65T/F/FG/K/S N 沟道增强型高压功率MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制 造先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的導 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC

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