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<span style="color:#、我们在设计LED箱体时追求更薄、更轻、节约了运输成本。在防水上面我们更是下足了心思，在拥有IP67的防护等级，在户外环境使用完全不用担心。公司也为客户提供相关的维修备件，所有的备件都是模块化设计，便于售后维护。
关于拓升：
&&&&&& 深圳市拓升光电有限公司（简称：拓升光电，英文简称TOOSEN）是专业从事LED广告屏,LED电子屏,LED大屏幕,全彩LED显示屏相关产品应用研发、设计、生产、销售和服务于一体的产品厂家，同时也是目前国内***大的LED产品应用系统解决方案服务厂家之一。
拓升光电主要产品：
户外全彩LED显示屏规格有：P3.91、P4、P4.81、P5、P6、P8、P10等
室内全彩LED显示屏规格有：P1.25、P1.5、P1.667、P1.875、P1.923、P2、P2.5、P3、P3.91、P4、P4.81、P5、P6、P7.62、P10.等
另有LED球型显示屏、LED全彩DJ台、LED创意装饰屏等
拓升产品售后保障：
LED大屏售后保修条款
质保期自货物出厂之日起，显示屏保修期为2年，其他设备保修期限按产品通用规范执行（人为损坏及自然灾害除外）
免费范围包括由乙方提供的所有设备、人工费、交通费等所有维修费用及软件的维护和升级；
质保期内，提供48小时响应完修服务；
重大活动技术保障要求：重大活动期间我方派专人提供应急保驾护航服务；
在保修期内，我方负责免费保养和维护合同规定的全部设备，对任何因产品设计、安装工艺、材料、产品质量和部件造成的设备或部件损坏，进行无偿的更换和维修、且更换的设备或部件质保期可相应延长；
免费升级换代系统操作、控制软件，帮助用户改进和提高系统功能。当系统软件版本升级时，无偿对设备进行终身软件升级，及时为使用方提供***新版本；
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在免费保修期过后，我公司向用户提供充足的同档次的备品备件、专用工具等，这些备品备件可用作紧急的故障更换及大屏幕运作过程中可能发生的故障维护，确保系统的稳定运行；对更换的备件，只收取成本费用；
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& & P2LED电子有几个档次***便宜的多少钱一平米正装封装结构的缺陷
& & 目前，商业化的LED很多采用金线将芯片的PN结与支架正负极连接的正装封装结构。然而，随着输出功率的不断提高，制约大功率LED发展的光衰较大和光淬灭等失效问题相继涌现。
& & 淬灭失效的主要原因是金线断裂。在金线引线连接过程中，受到金纯度、键合温度、金线弯曲度、焊接机精度和键合工艺等多重因素影响，造成金线断开而淬灭。其次，混合荧光粉的硅胶涂覆在芯片表面，起到光转化作用和保护金线等双重作用，当芯片通电后温度上升，由于硅胶热胀冷缩等原因将对金线和焊点产生冲击，焊点脱焊，造成淬灭。
& & 光衰较大失效的主要原因是硅胶的黄化或透过率降低。正装结构LED p、n电极在LED的同一侧，电流须横向流过n-GaN层，导致电流拥挤，局部发热量高，限制了驱动电流；其次，由于蓝宝石衬底导热性差，严重阻碍了热量的散失。在长时间使用过程中，因为散热不好而导致的高温，影响到硅胶的性能和透过率，从而造成较大的光输出功率衰减。=
& &&&采用相同尺寸1.16 mm GaN基蓝光芯片制备了倒装结构LED和垂直结构LED，用STC4000快速光谱仪和恒流电源测试了两种LED在不同驱动电流条件下的光通量、发光效率和色温等发光特性，发现垂直结构LED在超过1 200 mA电流时出现发光性能失效，而倒装LED的发光性能失效的电流值在1 550 mA。倒装结构LED失效电流值的增加，使得LED的可靠性能增加，提高了LED的使用寿命。
& & 因此，为了改善正装封装LED的金线易断裂和散热不好等问题，业内研究者们相继发明了垂直结构LED和倒装结构LED。
& & 相较于正装LED，垂直结构采用高热导率的衬底(Si、Ge和Cu等衬底)取代蓝宝石衬底，在很大程度上提高散热效率；垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，通过n电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，横向流动的电流极少，可以避免局部高温。但是目前垂直结构制备工艺中，蓝宝石剥离工艺较难，制约了产业化发展进程。
& & 而另一项发明的倒装结构LED，因其可以集成化、批量化生产，制备工艺简单，性能优良，逐渐得到了照明行业的广泛重视。倒装结构采用将芯片PN结直接与基板上的正负极共晶键合，没有使用金线，而***大限度避免了光淬灭问题。此外，共晶键合结构对散热问题有了很大的改善。在大功率LED使用过程中，不可避免大电流冲击现象，在此情况下，如果灯具的大电流抗冲击稳定性不好，很容易降低灯具的使用寿命。
白光发光二极管(LED)因其节能、环保、可靠性高和设计灵活等优点在照明领域得到广泛开发和应用。为了满足日益增长的照明需求，较大输出功率LED的研发和技术改进得到了广泛开展。
& & 因此，本文对比研究了垂直结构LED和倒装结构LED随着电流增大的光输出变化规律，并且与普通正装LED进行了比较，得出了倒装结构LED具有更好的抗大电流冲击稳定性和光输出性能。
& & 2、样品制备与测试方法
& & 2.1 样品制备
& & P2LED电子有几个档次***便宜的多少钱一平米三种封装结构如图1所示。其中正装LED采用蓝宝石衬底峰值波长448 nm芯片，倒装芯片采用蓝宝石衬底峰值波长447 nm芯片，垂直结构芯片采用硅衬底峰值波长446 nm芯片。三种芯片大小均为1.16 mmx1.16 mm，工作电流350 mA，硅胶采用普瑞森公司的0967型号，荧光粉采用威士波尔的YAG-4。正装结构芯片的正负极通过金线引线键合焊接在支架的正负极上；垂直结构芯片的正极是通过金线引线键合焊接在支架的正极上，负极是通过金球共晶键合在支架的负极上；倒装芯片的正负极是通过金球共晶键合在支架的正负极上。
& &2.2 测试方法
& & 光通量、发光效率和色温采用杭州远方公司生产的STC4000快速光谱仪，测试原理如图2所示。被测LED采用固定夹具放在积分球中心，LED发射经积分球内部白色漫反射层，漫反射一部分光线通过积分球表面的窄通光孔径光纤传输到微型多通道光谱仪，光谱仪采集的数据通过USB接口发送到计算机进行处理和显示。光源采用恒流源供电。
& &3、结果与讨论
& & 3.1 光通量随电流变化关系
& & 图3标出了在驱动电流从50 mA到2 000 mA条件下，倒装封装LED、垂直结构封装LED和正装封装LED的光通量随电流增加的变化趋势曲线。从图3中可以看出，随着电流的逐渐增大，三种结构LED的光通量都随着电流的增加而增加，但是增长幅度逐渐减小。
& & 在驱动电流达到1 200 mA时，垂直结构LED首先达到光通量饱和点，而此电流条件下的倒装LED的光通量比正装LED的光通量高出14.7％，比垂直结构LED的光通量高出25.9％。随着电流的继续增大，垂直结构LED的光通量变化显示其已接近失效，倒装LED的光通量在电流1 550 mA时达到了饱和，比垂直结构LED饱和电流值增加了350 mA。光通量的测试结果表明，倒装结构PN结温低、散热好。
& & 因此得出，倒装LED比其他两种结构LED的可靠性高，尤其是抵抗大电流冲击可靠性高，这一项性能有利于提高LED在实际应用中的使用寿命。
& & 3.2 发光效率随电流变化关系
& & 图4标出三种LED结构电流与发光效率的关系曲线。从图4中可以看出，当电流从50 mA增加到2 000 mA时，三种LED的发光效率都呈下降趋势，倒装LED的发光效率在整个电流变化区间内均高于其他两种LED的发光效率。而垂直结构LED在电流大于1 200 mA，发光效率迅速下降，显示光输出异常，这与光通量的测试结果吻合。在三种LED的工作电流350 mA时，倒装LED的发光效率比垂直结构LED的发光效率高出8 lm/W，比正装结构LED高出31 lm/W。
& & 倒装LED的光通量和发光效率的提高，可能原因有：
& & (1)倒装LED的外量子效率高。三种封装结构的折射率分布如图5所示。其中图5a所示为倒装封装结构的折射率分布图；图5b所示为垂直封装结构和正装封装结构的折射率分布图。根据Snell定律，倒装LED光从GaN到蓝宝石的全反射临界角&=sin-1 (n蓝宝石/n GaN)=44.5&，蓝宝石到封装硅胶的临界角为&=sin-1 (n硅胶/n蓝宝石)=57.4&；而垂直结构和正装LED的光从GaN直接传输到封装硅胶层，其全反射临界角为&=sin-1 (n硅胶/n GaN)=36.2&，小于倒装的光传输界面的临界角。较大的临界角可使更多的光输出，因此，倒装结构相较于正装和垂直结构LED有更高的外量子效率，从而得到了较高的白光发光效率。
& & (2)倒装PN结到环境热阻低。随着电流的增加，由于热阻原因芯片温度随之升高，从而增加了载流子的非辐射复合几率，降低了辐射复合几率，造成发光效率下降。热阻越高，芯片升温越高，发光效率下降越快。倒装的PN结与支架的正负极采用共晶焊接，热传输距离短，散热面积大，更利于热传导，因此可以得到较低的热阻值，降低PN结温，从而减慢光效下降速度。这与光通量随电流变化实验结果吻合。
& &3.3 色温测试
& & 色温是光源光谱质量***通用的指标。对于LED光源的需求色温多数都是比较低的，并且对于同一批次的产品而言，色温偏差越小，质量越优。对色温的控制研究，一直都是企业满足顾客需求的关键参数。
& & P2LED电子有几个档次***便宜的多少钱一平米为三种封装结构LED的电流色温曲线对比图。通过实验测试，随着驱动电流的升高，三种封装结构LED色温都随着电流的增加而升高，而倒装LED的色温升高斜率***小约为0.40，正装LED的色温升高斜率约为0.67，而垂直结构LED在电流小于1 200 mA(光通量饱和点)时色温增加斜率约为0.84，超过1 200 mA时，色温参数接近失效，这与光通量测试和发光效率测试结果吻合。倒装LED的色温饱和点约为1 600 mA，比垂直结构LED的色温饱和点高出400 mA。说明倒装LED在较大电流冲击情况下，光输出特性比垂直结构LED稳定。
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：
&蓝宝石（Al2O3）
&碳化硅（SiC）
&&蓝宝石衬底
&&通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；***后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。
&蓝宝石作为衬底的LED芯片
&&使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011&O&cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型GaN掺杂困难，当前普遍采用在p型GaN上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光，同时GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将会增加生产成本。
&&蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。
&&蓝宝石的导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m&K））。因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。
&&目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触（Laterial-contact ,水平接触）和V接触（Vertical-contact，垂直接触），以下简称为L型电极和V型电极。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。
&&碳化硅衬底
& &碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。采用碳化硅衬底的LED芯片如图2所示。
&采用蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片
&&P2LED电子有几个档次***便宜的多少钱一平米碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系数为490W/(m&K)）要比蓝宝石衬底高出10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体，并且在制作器件时底部需要使用银胶固晶，这种银胶的传热性能也很差。使用碳化硅衬底的芯片电极为L型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。
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厂商性质：生产商品牌：
公司名称： 深圳市联硕光电有限公司
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