三科变频器这家国产企业的技术实力怎么样?

  1964年,PWM 应用到交流调速系统

  法国人A.schcnung和H.stemmler首先提出了把通讯技术的脉宽调制〈简称PWM)技术应用到交流调速系统中。从此,PWM速技术的研究引起了人们的髙度重视。

  1967 世界上第一台变频器

  芬兰瓦萨控制系统有限公司,前身瑞典的STRONGB,于20世纪60年代成立,于1967年开发出世界上第一台变频器,被称为的鼻祖,开创了世界商用变频器的市场。

  1968磁场定向控制理论

  德国人哈斯博士首先提出了磁场定向控制理论。

  1971 年异步电动机转子磁场定向矢量控制方法

  德国的伯拉斯切克又提 出了异步电动机转子磁场定向矢量控制方法, 并以直流电动机和交流电动机比较的方法

  世界上一个提出DTC的人是德国人,ABB在1995年生产了第一台DTC控制的变频器

  日本学者提出了磁通轨迹控制方式,使变频变压技术 (即 u/f 控制 方式)成为变频器技术的核心。研究人员又继续着力于 PWM 技术的进一步研究,达 到了 调压调频的目的。

  1992 年开始通用变频器

  德国西门子公司相继开发了 6SE70 系列通用变频器。它通过 PE 、 VC 、 SC 板可以分别实现频率控制、 矢量控制、 伺服控制等, 并具有转矩控制功能和无跳闸性 能。 输出静态特性与普通型 U/f 控制方式通用变频器有很大的改进。机械特性硬于工频 电网供 电的异步电动机。这种典型的产品,属于髙功能性 U/f 控制方式通用变频器。在 这个基础 上,又开发生产了髙性能型矢量控制通用变频器。这种变频器在动态性能上,又 有了很大 的提高

  1995 年, ABB 公司首先推出了直接转矩控制型通用变频器。

  目前已成为各系列通用变 频器的核心技术。其动态转矩响应已达到小于 2mm ,在带速度传感器时的静态速度精度达 ± 0.01%. 不带速度传感器也可以达到± 0.1% 的速度控制精度。 其他一些公司, 也在以直接转 矩控制作为努力目标

  最近 日立公司开发的通用变频器专用集成功率模块 ( ISPM )

  将整流电路、 逆变电 路、 逻辑控制、 驱动和保护, 电源电路全部集成在一块模块内。 使通用变频器的体积大大 缩小, 引线减少。电力电子器件的发展,使通用变频器的性能有了很大的提高

  主要从进一步优化控制技术、 增大容量、 减小体积、 降低成本、 减少 对 环境的噪音和电磁污染等方面发展。

  变频器发展尚不成熟的地方

  变频器的控制技术, 已经从U/f 控制到矢量控制与直接转矩控制, 使交流调速系统 的 性能有了很大提高。但尚有一些技术有待深人研究。诸如磁通的准确估计和观测,电动机参数的在线辨识等方面。

  变频技术也目前也已经历经了几十年的历史了,相对来说变频器的体系算是比较成熟了,但怎么突破现有的状态去打开更进一步的市场我想这应该是以后每个变频器厂家需要思考的问题了

厂房面积: 3000平方米

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    厂房面积: 3000平方米

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    主要设备: 哈斯加工中心11台

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    厂房面积: 3000平方米

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    公司工艺: 其他电工加工工艺

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    公司简介:浔之漫智控技术(上海)有限公司主营可编程控制器、西门子触摸屏、工业以太网、交流变频器、西门子数控系统等。公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户第一”的原则为...

    厂房面积: 2000平方米

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    公司简介:上海果控自动化技术有限公司成立于2016年,主营PLC、工控机、触摸屏、变频器、伺服系统、传感器、中低压产品、电源、控制柜电气辅料配件等。与西门子、施耐德、三菱、欧姆龙、...

  • 经过20多年的发展,如今的中国变频器厂家与市场结构已经趋于成熟。但随着我国开始大力发展“双碳”的大环境下,中国变频器(以下简称-VFD)行业发展将面临什么样的机遇和挑战?


    尤其是在“十四五”规划实施以来,新能源产业风起云涌。但对于电机系统这一传统能源消费主体来说,从能源消费角度响应“双碳”发展要求,可以进一步促成“二氧化碳峰值排放”和“碳中和”是更为直接的一种发展方式。


    目前,由于“双碳”发展目标的要求,各类高耗能企业不断推进工艺优化和节能降耗,这就要求更多的电机从传统低效的运行和调速模式向变频驱动模式转变。由于受到国际形势、新冠肺炎疫情等各种因素的影响,传统大型国有企业也为国产品牌打开了大门,这对整个国产VFD市场来说是一个巨大的市场机遇。

    此外,随着“双碳”发展目标的推进,国内电机标准正在从IE3逐渐向IE4、IE5转变,电机形式也在从异步向永磁同步、同步磁阻转变。所有这些新型节能电机都离不开驾驶员的支持!无论是新的市场机遇还是新的电机形式,实际上都对驱动器的可靠性、控制策略和控制性能提出了更高的要求,这也是对整个VFD行业的巨大挑战!


    目前,国家正在大力发展第三代半导体技术。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等半导体器件会对VFD产品和技术产生哪些影响?

    第三代半导体技术也是一个值得关注的发展趋势。目前,我们可以看到氮化镓更多地用于低压领域。比如我们每天都能看到移动设备的大功率快充,这是氮化镓的典型应用场景,一般不适合大功率、高电压的工业现场应用。


    SiC可以作为IGBT的下一代替代品,可以实现高速低损耗行驶。对于一些要求频率高、体积小、重量轻的场合,一般可以采用SiC方案,但对于这种方案来说,最主要的问题在于SiC的成本,目前相对较高。

    是否采用SiC,应该更多的从控制系统的角度来考虑。虽然SiC可以有效降低产品体积和整体产品损耗,但开关频率提高带来的EMI问题和电机DUDT问题需要特别计划。

    随着工业4.0的不断推进和数字化转型,智能化已经成为整个工业领域发展的主旋律。对于VFD行业来说,正在从传统的标准VFD逐渐过渡到行业整体解决方案。作为整体解决方案,以VFD为主体的一体机已经成为很多行业的主流,承担了整体设备智能核心的关键角色。

    对于工业领域的智能化发展,目前主要从网络化、设备本体智能管理和智能问题诊断入手。市场上出现了许多新的模式,类似于数字双触摸模式等。这将是未来VFD重要的发展方向之一。现在,部分大型工业企业都已经开始在探索VFD的智能化应用。

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