第三、四章:二二极管模电、三②极管模电及电路
1、在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度,而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系
2、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流耗尽层的变化变薄。当PN结外加反向电压时扩散电流小于 漂移电流,耗尽层的变化变厚
3、空穴型半导体又称为 P 型半导体,它由本征半导体掺入 三 价元素形成其多数载流子是 空
穴 ,少数载流子是 电子
4、PN结中的电容效应是势垒电容囷扩散电容在高频时的综合反映。 势垒电容主要存在于PN结
加 反向偏置 时所呈现的电容效应;扩散电容是PN结加 正向偏置 时所呈现的电容效应
5、当二二极管模电两端加正向电压时,它的动态电阻随正向电流的增加而 减小
6、半导体材料中有两种载流子:电子和空穴。电子带负電空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同
的杂质可以得到N型半导体和P型半导体。带电粒子有 载流子 。
7、采用一定的工艺措施使P型囷N型半导体结合在一起,就形成了PN结PN结的基本特点是单向
8、二二极管模电是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述在研究二二极管模电电路时,可根据不同情况使用不同的二二极管模电模型。二二极管模电的主要特性 正向偏置导通反向偏置不導通。
9、杂质半导体有 P 型和 N 型两种;双极型三二极管模电的结构有 PNP 型和 NPN 型两种;场
效应管根据导电沟道的不同有 P沟道 型和 N沟道 型两种
1、雙极型三二极管模电从结构上可以分成NPN 和PNP两种类型,它们工作时有空穴和 电子两种载流子参与
2、双极型三二极管模电输出特性曲线可以分為三个区域分别为
3、双极型三二极管模电有三个区域,在放大区时偏置为 集电极反偏和 发射结正偏;饱和区时,偏置为
集电极正偏 和發射结正偏 ;截止区时偏置为集电极反偏 和发射结反偏 。
4、双极型三二极管模电在工艺上要求发射区掺杂浓度高,基区掺杂浓度低並且要求制作得很 薄,集电
5、温度升高时晶体管的电流放大系数β 增大,反向饱和电流ICBO增加发射结正向电压VBE 减小;共射输入特性曲线將 向左移,输出特性曲线将 向上移输出特性曲线之间的间隔将 增大。
6、三二极管模电放大电路的(高、中、低)幅频、相频特性响应;表达式;特性曲线
7、当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的_ 0.707 _倍
或者是下降了_ 3 _dB,此时与中频时相比放大倍数的附加相移约为__45°___ 。
、在三二极管模电多级放大电路中
,总的电压增益 =-200 ;Au1是_共基极_放大器;Au2是_共射级_放大器;Au3是_共集电极__ 放大器