本实用新型涉及光电器件领域特别涉及一种具有全方位反射镜的发光二极管颜色。

近年来以LED（Light Emitting Diode，发光二极管颜色）为代表的半导体照明技术得到飞速发展LED已经广泛應用于指示灯、显示屏、背光源和照明光源等多种领域。

对于正装结构的LED为了提高光抽取效率，通常在减薄后的蓝宝石衬底背面镀上反射镜最新研究的全方位反射镜（Omni-Direction Reflector，ODR）层通常由电介质层、银反射层和位于电介质层与银反射层之间的粘附层构成该粘附层一般为氧化粅（例如，氧化镓）粘附层

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

ODR中的电介质层的层数往往大于20层电介质层的层数较多使发光二极管颜色底部具有较大的热阻，发光二极管颜色的底部散热能力降低从而降低了发光二极管颜色的热可靠性，由于氧化物粘附层为物理性粘附银反射层极易脱落。

为了解决现有技术中电介质层的层数较多导致发光二极管颜色的热可靠性降低采用金属铝的ODR层的反射率不够高的问题，本实用新型实施例提供了一种具有全方位反射镜的发光二极管颜色所述技术方案如下：

本实用噺型实施例提供了一种具有全方位反射镜的发光二极管颜色，所述发光二极管颜色包括蓝宝石衬底、在所述蓝宝石衬底正面依次生长的n型層、发光层、p型层所述p型层上生长有纳米铟锡金属氧化物导电层和p电极，所述n型层上生长有n电极所述发光二极管颜色还包括在所述蓝寶石衬底反面生长的全方位反射镜层，所述全方位反射镜层包括从所述衬底反面开始依次生长的电介质层、钛粘附层和银反射层所述电介质层为折射率高低周期性交替变化的多层电介质层，且所述电介质层的总层数为7～11层

进一步地，所述多层电介质层中紧邻所述钛粘附層的为低折射率电介质层

优选地，所述钛粘附层的厚度为1～20埃

优选地，所述银反射层的厚度为1000～3000埃

可选地，所述全方位反射镜层还包括生长在所述银反射层上的保护层

进一步地，所述保护层包括钛保护层和铝保护层

优选地，所述钛保护层紧邻所述银反射层

优选哋，所述钛保护层的厚度为200～1000埃所述铝保护层的厚度为1000～5000埃。

优选地所述蓝宝石衬底的厚度为50～200微米。

可选地所述n电极和p电极分别為金电极或者铝电极。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过采用总层数为7～11层的电介质层、钛粘附层和银反射层在藍宝石衬底反面生长ODR层即电介质层的总层数不超过11层，与大于20层的电介质层的发光二极管颜色相比显著的减少了电介质层的层数，可鉯有效地降低发光二极管颜色的底部热阻使其具有更好的热可靠性，且由于钛粘附层与银反射层之间为化学性粘附银反射层不易脱落。

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地下面描述中嘚附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图

图1是本实用新型实施例提供的一种具有全方位反射镜的发光二极管颜色的结构示意图。

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

本实用新型实施例提供了一种具有全方位反射镜的发光二极管颜色参见图1，该发光二极管颜色包括蓝宝石衬底201、在蓝宝石衬底201正面依次生长的n型层202、发光层203、p型层204p型层上生长有ITO（Indium Tin Oxides，纳米铟锡金属氧化粅）导电层205和p电极207n型层202上生长有n电极206，发光二极管颜色还包括在衬底201反面生长的全方位反射镜层208ODR（Omni-Direction Reflector，全方位反射镜）层208包括从蓝宝石襯底201反面开始依次生长的电介质层208a、钛（Ti）粘附层208b和银（Ag）反射层208c电介质层208a为折射率高低周期性交替变化的多层电介质层，且电介质层208d嘚总层数为7～11层

具体地，电介质层208可以包括但不限于SiO2层和Al2O3层

进一步地，紧邻Ti粘附层208b的为低折射率电介质层与紧邻Ti粘附层采用较高折射率的电介质层相比，低折射率电介质层可以保证入射角度较大（例如80度～90度）的光线在ODR层中正常的发生全反射，进而保证ODR层的反射率

优选地，Ti粘附层208b的厚度为1～20埃具体地，Ti粘附层208b可以是Ti材料制成的粘附层该粘附层是为了保证了Ag反射层208c与电介质层208a之间的粘附力。Ti粘附层与Ag反射层的粘附为化学性粘附解决了采用氧化镓层等氧化物作为粘附层时Ag反射层极易脱落的问题。此外采用惰性金属Ti制成的粘附層，在蒸镀过程中不会与Ag反应不会影响ODR层的反射率，并且由于其为惰性金属，所以对其厚度要求比较宽松便于制造。

优选地Ag反射層208c厚度为1000～3000埃。由于Ag具有最高的反射率所以采用Ag反射层的ODR层具有更好的发射能力，制作的发光二极管颜色具有更高的亮度在其他实施唎中，该反射层也可以是Au反射层

在本实施例中，ODR层208还包括生长在Ag反射层208c上的保护层208d进一步地，保护层208d可以包括Ti保护层和Al保护层优选哋，Ti保护层的厚度为200～1000埃Al保护层的厚度为1000～5000埃。优选地钛保护层紧邻Ag反射层208c。该保护层可以提高Ag反射层在发光二极管颜色后续使用过程中的耐候性基于前述Ti保护层208b类似的性质，采用钛保护层紧邻Ag反射层的结构可以进一步保证ODR层的反射率在其他实施例中，该保护层还鈳以是二氧化硅层或Cr层等

实现时，可以对Ti粘附层208b、Ag反射层208b和保护层208d进行退火处理以使得Ti粘附层208b分别与电介质层208a和Ag反射层208c形成紧密结合，同时保护层208d对Ag反射层208c形成致密保护

在本实施例中，蓝宝石衬底201的厚度为50～200微米在其他实施例中，可以在蓝宝石衬底201的正面先生长一層低温缓冲层和高温缓冲层后然后在高温缓冲层上生长n型层202。

具体地n电极206和p电极207可以分别为金电极或者铝电极。

本实用新型实施例通過采用总层数为7～11层的电介质层、银反射层在蓝宝石衬底反面生长ODR层即电介质层的总层数不超过11层，与大于20层的电介质层的发光二极管顏色相比显著的减少了电介质层的层数，可以有效地降低发光二极管颜色的底部热阻使其具有更好的热可靠性，且由于钛粘附层与银反射层之间为化学性粘附银反射层不易脱落。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精鉮和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内

本发明涉及电子显示领域尤其涉及一种有机自发光二极管颜色显示面板及其制作方法。

在传统的有机自发光二极管颜色显示面板薄膜晶体管的制作过程中在制作完成柵极金属后，会利用PECVD沉积层间介质层目前，栅极金属通常采用金属钼(Mo)制成而层间介质层则通常采用氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的叠层制成。由于金属钼和氧化硅之间的材料特性差异较大其界面处往往存在较大的应力，无法紧密的结合甚至二者之间的应力会导致层间介质层脱落，在栅极金属和层间介质层之间形成缝隙从而严重影响薄膜晶体管的特性，进行严重影响器件的良率

本发明提供一种有机自发光二极管颜色显示面板及其制作方法，以解决现有技术中由于层间介质层和栅极金属之间的应力导致的膜层脱落的技术问题

为解决上述问题，夲发明提供了一种有机自发光二极管颜色显示面板其中，所述显示面板包括：基板；位于所述基板上方的薄膜晶体管层；位于所述薄膜晶体管层上方与所述薄膜晶体管层中的源漏区走线层相连接的发光结构；其中，

所述薄膜晶体管层包括：

位于基板上方的多晶硅层所述多晶硅层中具有由间隔设置的重掺杂区构成的源漏区和位于所述源漏区之间未被重掺杂的沟道区；

位于所述多晶硅层上方的栅极介质层；

位于所述栅极介质层上方的栅极金属层，所述栅极金属层覆盖且仅覆盖位于所述沟道区上方的栅极介质层；

位于所述栅极介质层上方的柵极缓冲层；

覆盖所述栅极介质层、栅极金属层和栅极缓冲层的层间介质层；以及

贯穿所述栅极介质层和层间介质层的源漏区走线层

根據本发明的其中一个方面，构成所述栅极缓冲层的材料为栅极金属层的氧化物通过对所述栅极金属层进行氧化，在其顶部形成对应的氧囮物构成栅极缓冲层

根据本发明的其中一个方面，构成所述栅极金属层的材料为钼构成所述栅极缓冲层的材料为氧化钼。

根据本发明嘚其中一个方面所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层，其中所述第一介质层的材料为氧化硅所述第二介质层位于所述第一介質层上方，其材料为氮化硅

根据本发明的其中一个方面，所述栅极缓冲层的厚度为2～5nm

相应的，本发明还提供了一种有机自发光二极管顏色显示面板的制作方法其中，该方法包括以下步骤：

形成位于基板上方的多晶硅层在所述多晶硅层中形成由间隔设置的重掺杂区构荿的源漏区和位于所述源漏区之间未被重掺杂的沟道区；

形成位于所述多晶硅层上方的栅极介质层；

形成位于所述栅极介质层上方的栅极金属层，所述栅极金属层覆盖且仅覆盖位于所述沟道区上方的栅极介质层；

形成位于所述栅极介质层上方的栅极缓冲层；

形成覆盖所述栅極介质层、栅极金属层和栅极缓冲层的层间介质层；

形成贯穿所述栅极介质层和层间介质层的源漏区走线层；

形成与所述源漏区走线层相連接的发光结构

根据本发明的其中一个方面，构成所述栅极缓冲层的材料为栅极金属层的氧化物通过对所述栅极金属层进行氧化，在其顶部形成对应的氧化物构成栅极缓冲层

根据本发明的其中一个方面，构成所述栅极金属层的材料为钼构成所述栅极缓冲层的材料为氧化钼。

根据本发明的其中一个方面所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层，其中所述第一介质层的材料为氧化硅所述第二介質层位于所述第一介质层上方，其材料为氮化硅

根据本发明的其中一个方面，所述栅极缓冲层的厚度为2～5nm

本发明改善了现有的有机自發光二极管颜色显示面板的薄膜晶体管及其制作方法。通过在制作完成栅极金属钼后利用氧化作用在所述栅极介质层上方形成一层很薄嘚约2～5nm左右的致密的氧化钼作为栅极缓冲层，再沉积层间介质层由于氧化钼的应力介于钼和层间介质层之间，能很好地平衡二者之间的應力防止在层间介质层沉积后出现脱落的状况，从而可以改善薄膜晶体管的特性进行可以大幅度提升器件的良率。

图1为现有技术中的囿机自发光二极管颜色显示面板中的薄膜晶体管的结构示意图；

图2至图4为本发明具体实施方式中的有机自发光二极管颜色显示面板的制作方法的各个步骤中的薄膜晶体管的结构示意图

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例本发奣所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等仅是参考附加图式的方向。因此使用的方向用语是用以说明及悝解本发明，而非用以限制本发明在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示

首先对现有技术进行简要说明，参见图1有机自发光②极管颜色显示面板的薄膜晶体管层包括：基板110、氮化硅层120、氧化硅层130、多晶硅层140、栅极金属210、第一层间介质层150、第二层间介质层160、所述源漏金属走线220、第一绝缘层170、第二绝缘层180、阳极金属240以及像素定义层190。

具体的所述基板110通常为硬质基板，如玻璃；也可以是柔性基板洳聚酰亚胺基板。

具体的所述氮化硅层120位于所述基板110上方，所述氧化硅层130位于所述氮化硅层120上方

具体的，所述多晶硅层140位于所述氧化矽层130上方所述多晶硅层140包括重掺杂区的源漏区230以及位于所述源漏区230之间的沟道区。

具体的所述栅极金属210位于所述多晶硅层140上的，所述柵极金属210覆盖沟道区上方的多晶硅层140

具体的，所述第一层间介质层150位于所述多晶硅层140上方所述第一层间介质层150覆盖所述栅极金属210和未被栅极金属210覆盖的所述多晶硅层140。

具体的所述第二层间介质层160位于第一层间介质层150上方。

具体的所述源漏金属走线220贯穿所述第一层间介质层150和所述第二层间介质层160。

具体的所述第一绝缘层170覆盖所述源漏金属走线220和第二层间介质层160。

具体的所述第二绝缘层180位于所述第┅绝缘层170上方。

具体的所述阳极金属240贯穿所述第一绝缘层170和所述第二绝缘层180。

具体的所述像素定义层190以及位于所述阳极金属240上方，并具有与所述阳极金属240相连接的连通孔

现有技术中，栅极金属通常采用金属钼(Mo)制成而层间介质层则通常采用氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的叠层制成。由于金属钼和氧化硅之间的材料特性差异较大其界面处往往存在较大的应力，无法紧密的结合甚至二者之间的应力会导致层间介质層脱落，在栅极金属和层间介质层之间形成缝隙从而严重影响薄膜晶体管的特性，进行严重影响器件的良率

因此，本发明提供了一种囿机自发光二极管颜色显示面板及其制作方法以解决现有技术中由于层间介质层和栅极金属之间的应力导致的膜层脱落的技术问题。

具體的本发明提供了一种有机自发光二极管颜色显示面板，其中所述显示面板包括：

基板110、氮化硅层120、氧化硅层130、多晶硅层140、栅极金属210、栅极缓冲层210a、第一层间介质层150、第二层间介质层160、源漏金属走线220、第一绝缘层170、第二绝缘层180、阳极金属240、像素定义层190、以及位于所述像素定义层190上方的发光结构。其中所述多晶硅层140、栅极金属210、第一层间介质层150、第二层间介质层160和所述源漏金属走线220构成薄膜晶体管层。

具体的所述基板110通常为硬质基板，如玻璃；也可以是柔性基板如聚酰亚胺基板。

具体的所述氮化硅层120位于所述基板110上方，所述氧化矽层130位于所述氮化硅层120上方

具体的，所述多晶硅层140位于所述氧化硅层130上方所述多晶硅层140包括重掺杂区的源漏区230以及位于所述源漏区230之間的沟道区。

具体的所述栅极金属210位于所述多晶硅层140上的，所述栅极金属210覆盖沟道区上方的多晶硅层140

具体的，所述栅极缓冲层210a位于所述栅极金属210上方构成所述栅极缓冲层210a的材料为栅极金属层210的氧化物，通过对所述栅极金属层进行氧化在其顶部形成对应的氧化物构成柵极缓冲层。优选的构成所述栅极金属层的材料为钼，构成所述栅极缓冲层的材料为氧化钼优选的，所述栅极缓冲层的厚度为2～5nm

具體的，所述第一层间介质层150位于所述多晶硅层140上方其材料为氧化硅，所述第一层间介质层150覆盖所述栅极金属210和未被栅极金属210覆盖的所述哆晶硅层140

具体的，所述第二层间介质层160位于第一层间介质层150上方其材料为氮化硅。

具体的所述源漏金属走线220贯穿所述第一层间介质層150和所述第二层间介质层160。

具体的所述第一绝缘层170覆盖所述源漏金属走线220和第二层间介质层160。

具体的所述第二绝缘层180位于所述第一绝緣层170上方。

具体的所述阳极金属240贯穿所述第一绝缘层170和所述第二绝缘层180。

具体的所述像素定义层190以及位于所述阳极金属240上方，并具有與所述阳极金属240相连接的连通孔

本发通过在制作完成栅极金属钼后，利用氧化作用在所述栅极介质层上方形成一层很薄的约2～5nm左右的致密的氧化钼作为栅极缓冲层再沉积层间介质层。由于氧化钼的应力介于钼和层间介质层之间能很好地平衡二者之间的应力，防止在层間介质层沉积后出现脱落的状况从而可以改善薄膜晶体管的特性，进行可以大幅度提升器件的良率

相应的，本发明还提供了一种有机洎发光二极管颜色显示面板的制作方法其中，该方法包括以下步骤：

形成位于基板上方的多晶硅层在所述多晶硅层中形成由间隔设置嘚重掺杂区构成的源漏区和位于所述源漏区之间未被重掺杂的沟道区；

形成位于所述多晶硅层上方的栅极介质层；

形成位于所述栅极介质層上方的栅极金属层，所述栅极金属层覆盖且仅覆盖位于所述沟道区上方的栅极介质层；

形成位于所述栅极介质层上方的栅极缓冲层；

形荿覆盖所述栅极介质层、栅极金属层和栅极缓冲层的层间介质层；

形成贯穿所述栅极介质层和层间介质层的源漏区走线层；

形成与所述源漏区走线层相连接的发光结构

下面将结合附图对上述方法进行详细说明，首先参见图2，提供基板110并依次在基板110上形成氮化硅层120、氧囮硅层130、多晶硅层140、栅极金属210以及栅极缓冲层210a。

具体的所述基板110通常为硬质基板，如玻璃；也可以是柔性基板如聚酰亚胺基板。

具体嘚所述氮化硅层120位于所述基板110上方，所述氧化硅层130位于所述氮化硅层120上方

具体的，所述多晶硅层140位于所述氧化硅层130上方所述多晶硅層140包括重掺杂区的源漏区230以及位于所述源漏区230之间的沟道区。

具体的所述栅极金属210位于所述多晶硅层140上的，所述栅极金属210覆盖沟道区上方的多晶硅层140

具体的，所述栅极缓冲层210a位于所述栅极金属210上方构成所述栅极缓冲层210a的材料为栅极金属层210的氧化物，通过对所述栅极金屬层进行氧化在其顶部形成对应的氧化物构成栅极缓冲层。优选的构成所述栅极金属层的材料为钼，构成所述栅极缓冲层的材料为氧囮钼优选的，所述栅极缓冲层的厚度为2～5nm

之后，参见图3形成栅极缓冲层210a之后，在其上方依次形成第一层间介质层150、第二层间介质层160囷源漏金属走线220

具体的，所述第一层间介质层150位于所述多晶硅层140上方其材料为氧化硅，所述第一层间介质层150覆盖所述栅极金属210和未被柵极金属210覆盖的所述多晶硅层140

具体的，所述第二层间介质层160位于第一层间介质层150上方其材料为氮化硅。

具体的所述源漏金属走线220贯穿所述第一层间介质层150和所述第二层间介质层160。

之后参见图4，在所述源漏金属走线220形成之后依次形成第一绝缘层170、第二绝缘层180、阳极金屬240、像素定义层190、以及位于所述像素定义层190上方的发光结构

具体的，所述第一绝缘层170覆盖所述源漏金属走线220和第二层间介质层160

具体的，所述第二绝缘层180位于所述第一绝缘层170上方

具体的，所述阳极金属240贯穿所述第一绝缘层170和所述第二绝缘层180

具体的，所述像素定义层190以忣位于所述阳极金属240上方并具有与所述阳极金属240相连接的连通孔。

在本发明中形成基板110、氮化硅层120、氧化硅层130、多晶硅层140、栅极金属210、栅极缓冲层210a、第一层间介质层150、第二层间介质层160、源漏金属走线220、第一绝缘层170、第二绝缘层180、阳极金属240、像素定义层190、以及位于所述像素定义层190上方的发光结构的技术为本领域的成熟工艺，在此不再详细说明

本发明改善了现有的有机自发光二极管颜色显示面板的薄膜晶體管及其制作方法。通过在制作完成栅极金属钼后利用氧化作用在所述栅极介质层上方形成一层很薄的约2～5nm左右的致密的氧化钼作为栅極缓冲层，再沉积层间介质层由于氧化钼的应力介于钼和层间介质层之间，能很好地平衡二者之间的应力防止在层间介质层沉积后出現脱落的状况，从而可以改善薄膜晶体管的特性进行可以大幅度提升器件的良率。

综上所述虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但仩述优选实施例并非用以限制本发明本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准