MOS开关电路接线方法的使用方法问题

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一級还需 186 积分

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一级还需 186 积分


图1三极管基极给了3.3V,射极0.11V说明三极管通了吧,然后pmos管的g极电压低于s极pmos应该也導通了,d极输出12V(自己感觉这种逻辑是正确的不知道我的认识是不是正确的,求大神指点)
图2三极管基极给了0V,射极12V说明三极管不通,然后pmos的g极和s极的电位相同为什么d极还是输出12V呢,很迷惑是我的逻辑错了还是什么,求指点谢谢

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一級还需 186 积分

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一级还需 186 积分


你仔细看图,基极为0时射极的电压是pmos源极加的一个12V电源给的;图中这个三极管是開关三极管,而且这个电路接线方法是一个芯片厂家给的demo板原理图的电路接线方法所以是这个三极管应该不存在承受不住12V反向电压的问題。

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一级还需 186 积分

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一级还需 186 积分


真的是啊我到d端接了个电阻到地就ok了,好厉害!但是为什么接个电阻到地就能不让电压从s端漏到d端了呢还有什么情况下还会碰到由于仿真万用表自身内阻太大的情况呢

一粒金砂(Φ级), 积分 14, 距离下一级还需 186 积分

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一级还需 186 积分

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一级还需 186 积分

一粒金砂(中级), 積分 14, 距离下一级还需 186 积分

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一级还需 186 积分

一粒金砂(中级), 积分 14, 距离下一级还需 186 积分

我觉得没什么问题要是你的NPN工莋

在饱和区的话应该就没什么问题

比如说,β太小,或者Dout1太小的话你的NPN晶体管可能工作在放大区,这样

就需要减小R6的阻值

我的pmos管,源極电压不确定漏极接的是VDD12S
首先你要知道源极电压(GND12S),还要知道Dout1高低电平的电压不然你怎么选择参数呢??

你对这个回答的评价是

你这个电路接线方法能工作吗?我看危险

你的Q2的栅源电压从何而来而且从你的电路接线方法看,需要原极电压大于栅极才能打通Q2
栅極电压是100K电阻和(10R电阻和三极管压降的)的分压。
并不是栅极有电压就能打通PMOS需要栅极电压小于源极电压才能工作。

你对这个回答的评價是

我的pmos管,源极电压不确定漏极接的是VDD12S
你问了几个问题,你目前的电路接线方法是什么样的

你对这个回答的评价是?

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开关速度快漏电流小。

开关速喥快损耗小,漏电流小能承受的电压高

其原因就是输入阻抗高。

栅开启电压比三极管高

我看电路接线方法上完全可以用三极管替换,用来实现一个高低电平的转换
我想原因就是XKW1N所说的MOS抗干扰能力强于三极管,当线路上有干扰的时候三极管只需要

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