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syntec1529
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等等各种，能不能解释一下呢？感谢
syntec1529
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一直以来的疑问，能否详细解答一下呢？感谢
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这个说白了就是限制电平幅度！
也就是传说中的防止雷击感应、电磁感应导致的高压损毁输入端
那一瞬间忽然不再想你，因为去一趟漠河，走了一趟西藏，逛了一趟天涯海角，泡了一会栖谷温泉，回来就是：一切随他去吧，该咋过咋过
syntec1529
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回复 #2楼 高雅的雅
说的我一面懵逼了，能否详细一点呢？？？感谢
syntec1529
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能否详细点呢？？？谢谢
syntec1529
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lizhengchao
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电子线路了解的少，来这里和楼主一起学习下
syntec1529
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syntec1529
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工控学堂推荐视频：[实用新型]集中空调系统控制器无效
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其中，利用磁耦隔离芯片ADUM1201 取代传统的光耦隔离芯片，提高了隔离效果和使用寿命，降低了生产和使用成本，设计了CAN保护器、电阻R24、电阻R25、二极管D4、二极管D5、二极管D6等限流保护措施，增强了使用的稳定性，同时，增设电阻R26和开关K2，使得终端匹配的距离可以调节。如图6所示，所述的输入控制单元包括八个信号处理电路，八个信号处理电路信号输出端分别连接芯片CD、15、12、1、5、2、4引脚，所述的信号处理电路包括电压信号输入端和电流信号输入端，电压信号输入端接电阻R27一端，电阻R27另一端分别连接二极管D7正极、二极管D8负极、电阻R28一端，二极管D7负极接+12V电压，二极管D8正极接地，电阻R28另一端分别接电容C39一端、电阻R29一端和信号输出端，电容C39另一端接地，电阻R29另一端接地，电流信号输入端通过20mA的熔断器分别接电阻R30一端、电阻R31一端，电阻R30另一端和电阻R31另一端均接地；芯片CD引脚接地，芯片CD4051第16引脚接+15V电压，电容C40一端接+15V电压，电容C40另一端接地，芯片CD4051第3引脚通过电容C41接地，电阻R32一端接芯片CD4051第3引脚，电阻R32另一端接地，电阻R33一端接地，电阻R33另一端分别接TLV2572负极输入端和电阻R34一端，电阻R34另一端接TLV2572输出端，TLV2572正极输入端接芯片CD4051第3引脚，电阻R35一端接TLV2572输出端，电阻R35另一端接AD芯片AD7683的IN+引脚，电容C42一端接AD芯片AD7683的IN+引脚，电容C42另一端接地，AD芯片AD7683的IN-引脚和GND引脚接地，AD芯片AD7683的REF引脚接基准电压Vref，电容C43一端接基准电压Vref，电容C43另一端接地，AD芯片AD7683的VD引脚接5V电压和隔离芯片ADUM5241第一引脚，AD芯片AD7683的DCLK引脚接隔离芯片ADUM5241第二引脚，AD芯片AD7683的DOUT引脚接隔离芯片ADUM5241第三引脚，AD芯片AD7683的CS引脚接隔离芯片ADUM1410第14引脚，电容C44一端接5V电压，电容C44另一端接地；芯片CD4051第11引脚通过电容C45接地，芯片CD4051第11引脚通过电阻R36接光耦TLP521-4第16引脚，电阻R37一端接5V电压，电阻R37另一端分别接二极管D9负极和光耦TLP521-4第16引脚，二极管D9正极接地，光耦TLP521-4第15引脚接地；芯片CD4051第10引脚通过电容C46接地，芯片CD4051第10引脚通过电阻R38接光耦TLP521-4第14引脚，电阻R39一端接5V电压，电阻R39另一端分别接二极管D10负极和光耦TLP521-4第14引脚，二极管D10正极接地，光耦TLP521-4第13引脚接地；芯片CD4051第9引脚通过电容C47接地，芯片CD4051第9引脚通过电阻R40接光耦TLP521-4第12引脚，电阻R41一端接5V电压，电阻R41另一端分别接二极管D11负极和光耦TLP521-4第12引脚，二极管D11正极接地，光耦TLP521-4第11引脚接地；芯片CD4051第6引脚通过电容C48接地，芯片CD4051第6引脚通过电阻R42接光耦TLP521-4第10引脚，电阻R43一端接5V电压，电阻R43另一端分别接二极管D12负极和光耦TLP521-4第10引脚，二极管D12正极接地，光耦TLP521-4第9引脚接地；光耦TLP521-4第1、3、5、7引脚接+5V电压，光耦TLP521-4第2引脚通过电阻R44接单片机PG0引脚，光耦TLP521-4第4引脚通过电阻R45接单片机PG1引脚，光耦TLP521-4第6引脚通过电阻R46接单片机PG2引脚，光耦TLP521-4第6引脚通过电阻R47接单片机PG3引脚。其中，采用AD芯片AD7683和磁耦隔离芯片ADUM1410、ADUM5241，提高了转换精度和隔离性能，利用CD4051连接信号处理电路，采用3个控制端口实现8中组合方式的判断，降低了成本。如图7所示，所述的输出控制单元包括三极管Q1，三极管Q1的集电极接5V电压，三极管Q1的发射极接基准电压Vref，三极管Q1的基极通过电阻R48接5V电压，电阻R49的一端接基准电压Vref，电阻R49另一端分别接TL431的参考极和电阻R50一端，电阻R50另一端接地，TL431的阴极接三极管Q1基极，TL431的阳极接地，电阻R51一端接基准电压Vref，电阻R51的另一端接三极管Q2发射极，三极管Q2基极通过电阻R54接12V电压，三极管Q2集电极通过电阻R55接电流输出端，电阻R55与电流输出端之间的线路上设有熔断器，三极管Q2的集电极连接二极管D13负极，二极管D13正极接地，三极管Q2基极接电阻R53一端，电阻R53另一端分别接电容C49一端和放大器LM324第八引脚，电容C49另一端分别接电阻R52一端和放大器LM324第九引脚，电阻R52另一端接三极管Q2发射极，放大器LM324第十引脚通过电阻R57接地，放大器LM324第十引脚通过电阻R58接基准电压Vref，放大器LM324第九引脚通过电阻R56接放大器LM324第七引脚，放大器LM324第七引脚通过电阻R59接电压输出端，二极管D14负极接15V电压，二极管D14正极接电压输出端，二极管D15负极接电压输出端，二极管D15正极接地，放大器LM324第五引脚通过电容C51接地，放大器LM324的第六引脚分别接电阻R60一端，滑动变阻器R61移动端、滑动变阻器R60一端，滑动变阻器R60另一端通过电阻R60接放大器LM324第七引脚，电容C50与滑动变阻器R60并联，滑动变阻器R60另一端通过电阻R62接5V电压，放大器LM324第五引脚接DA芯片MAX541的第一引脚，AD芯片MAX541的第八引脚接5V电压，DA芯片MAX541的第二引脚接地，DA芯片MAX541的第三引脚接基准电压Vref，DA芯片MAX541的第四引脚接隔离芯片ADUM1410，DA芯片MAX541的第五引脚接隔离芯片ADUM524D的SCLK引脚，DA芯片MAX541的第六引脚接隔离芯片ADUM524D的DIN引脚，DA芯片MAX541的第七引脚接地，DA芯片MAX541的第八引脚通过电容C52接地。其中，为电流输出端配备熔断器，为电压输出端配备D14、D15嵌位保护，防止烧坏芯片；设置了基准源，保证LM324第十引脚电压的恒定，保证工作稳定性；使用了磁耦隔离芯片ADUM1410、ADUM524D，增强了隔离性能和稳定性；整个结构的设计，保证了电压电流的输出精度。
除本实用新型所述的结构外，其余均为现有技术。以上所述只是本实用新型的优选实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也被视为本实用新型的保护范围。
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其中，利用磁耦隔离芯片ADUM1201 取代传统的光耦隔离芯片，提高了隔离效果和使用寿命，降低了生产和使用成本，设计了CAN保护器、电阻R24、电阻R25、二极管D4、二极管D5、二极管D6等限流保护措施，增强了使用的稳定性，同时，增设电阻R26和开关K2，使得终端匹配的距离可以调节。如图6所示，所述的输入控制单元包括八个信号处理电路，八个信号处理电路信号输出端分别连接芯片CD、15、12、1、5、2、4引脚，所述的信号处理电路包括电压信号输入端和电流信号输入端，电压信号输入端接电阻R27一端，电阻R27另一端分别连接二极管D7正极、二极管D8负极、电阻R28一端，二极管D7负极接+12V电压，二极管D8正极接地，电阻R28另一端分别接电容C39一端、电阻R29一端和信号输出端，电容C39另一端接地，电阻R29另一端接地，电流信号输入端通过20mA的熔断器分别接电阻R30一端、电阻R31一端，电阻R30另一端和电阻R31另一端均接地；芯片CD引脚接地，芯片CD4051第16引脚接+15V电压，电容C40一端接+15V电压，电容C40另一端接地，芯片CD4051第3引脚通过电容C41接地，电阻R32一端接芯片CD4051第3引脚，电阻R32另一端接地，电阻R33一端接地，电阻R33另一端分别接TLV2572负极输入端和电阻R34一端，电阻R34另一端接TLV2572输出端，TLV2572正极输入端接芯片CD4051第3引脚，电阻R35一端接TLV2572输出端，电阻R35另一端接AD芯片AD7683的IN+引脚，电容C42一端接AD芯片AD7683的IN+引脚，电容C42另一端接地，AD芯片AD7683的IN-引脚和GND引脚接地，AD芯片AD7683的REF引脚接基准电压基准电压Vref，电容C43一端接基准电压基准电压Vref，电容C43另一端接地，AD芯片AD7683的VD引脚接5V电压和隔离芯片ADUM5241第一引脚，AD芯片AD7683的DCLK引脚接隔离芯片ADUM5241第二引脚，AD芯片AD7683的DOUT引脚接隔离芯片ADUM5241第三引脚，AD芯片AD7683的CS引脚接隔离芯片ADUM1410第14引脚，电容C44一端接5V电压，电容C44另一端接地；芯片CD4051第11引脚通过电容C45接地，芯片CD4051第11引脚通过电阻R36接光耦TLP521-4第16引脚，电阻R37一端接5V电压，电阻R37另一端分别接二极管D9负极和光耦TLP521-4第16引脚，二极管D9正极接地，光耦TLP521-4第15引脚接地；芯片CD4051第10引脚通过电容C46接地，芯片CD4051第10引脚通过电阻R38接光耦TLP521-4第14引脚，电阻R39一端接5V电压，电阻R39另一端分别接二极管D10负极和光耦TLP521-4第14引脚，二极管D10正极接地，光耦TLP521-4第13引脚接地；芯片CD4051第9引脚通过电容C47接地，芯片CD4051第9引脚通过电阻R40接光耦TLP521-4第12引脚，电阻R41一端接5V电压，电阻R41另一端分别接二极管D11负极和光耦TLP521-4第12引脚，二极管D11正极接地，光耦TLP521-4第11引脚接地；芯片CD4051第6引脚通过电容C48接地，芯片CD4051第6引脚通过电阻R42接光耦TLP521-4第10引脚，电阻R43一端接5V电压，电阻R43另一端分别接二极管D12负极和光耦TLP521-4第10引脚，二极管D12正极接地，光耦TLP521-4第9引脚接地；光耦TLP521-4第1、3、5、7引脚接+5V电压，光耦TLP521-4第2引脚通过电阻R44接单片机PG0引脚，光耦TLP521-4第4引脚通过电阻R45接单片机PG1引脚，光耦TLP521-4第6引脚通过电阻R46接单片机PG2引脚，光耦TLP521-4第6引脚通过电阻R47接单片机PG3引脚。其中，采用AD芯片AD7683和磁耦隔离芯片ADUM1410、ADUM5241，提高了转换精度和隔离性能，利用CD4051连接信号处理电路，采用3个控制端口实现8中组合方式的判断，降低了成本。如图7所示，所述的输出控制单元包括三极管Q1，三极管Q1的集电极接5V电压，三极管Q1的发射极接基准电压Vref，三极管Q1的基极通过电阻R48接5V电压，电阻R49的一端接基准电压Vref，电阻R49另一端分别接TL431的参考极和电阻R50一端，电阻R50另一端接地，TL431的阴极接三极管Q1基极，TL431的阳极接地，电阻R51一端接基准电压Vref，电阻R51的另一端接三极管Q2发射极，三极管Q2基极通过电阻R54接12V电压，三极管Q2集电极通过电阻R55接电流输出端，电阻R55与电流输出端之间的线路上设有熔断器，三极管Q2的集电极连接二极管D13负极，二极管D13正极接地，三极管Q2基极接电阻R53一端，电阻R53另一端分别接电容C49一端和放大器LM324第八引脚，电容C49另一端分别接电阻R52一端和放大器LM324第九引脚，电阻R52另一端接三极管Q2发射极，放大器LM324第十引脚通过电阻R57接地，放大器LM324第十引脚通过电阻R58接基准电压Vref，放大器LM324第九引脚通过电阻R56接放大器LM324第七引脚，放大器LM324第七引脚通过电阻R59接电压输出端，二极管D14负极接15V电压，二极管D14正极接电压输出端，二极管D15负极接电压输出端，二极管D15正极接地，放大器LM324第五引脚通过电容C51接地，放大器LM324的第六引脚分别接电阻R60一端，滑动变阻器R61移动端、滑动变阻器R60一端，滑动变阻器R60另一端通过电阻R60接放大器LM324第七引脚，电容C50与滑动变阻器R60并联，滑动变阻器R60另一端通过电阻R62接5V电压，放大器LM324第五引脚接DA芯片MAX541的第一引脚，AD芯片MAX541的第八引脚接5V电压，DA芯片MAX541的第二引脚接地，DA芯片MAX541的第三引脚接基准电压Vref，DA芯片MAX541的第四引脚接隔离芯片ADUM1410，DA芯片MAX541的第五引脚接隔离芯片ADUM524D的SCLK引脚，DA芯片MAX541的第六引脚接隔离芯片ADUM524D的DIN引脚，DA芯片MAX541的第七引脚接地，DA芯片MAX541的第八引脚通过电容C52接地。其中，为电流输出端配备熔断器，为电压输出端配备D14、D15嵌位保护，防止烧坏芯片；设置了基准源，保证LM324第十引脚电压的恒定，保证工作稳定性；使用了磁耦隔离芯片ADUM1410、ADUM524D，增强了隔离性能和稳定性；整个结构的设计，保证了电压电流的输出精度。 除本发明所述的结构外，其余均为现有技术。以上所述只是本发明的优选实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也被视为本发明的保护范围。
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