负离子的危害芯片见水后再次使用还有效果吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-10-22 23:14 标签： 负离子的危害

集成电路制造技术原理与工艺 王蔚 习题答案 目录 第一单元 习题 2 第二单元 习题 4 第三单元 习题 12 第四单元 习题 16 第五单元 习题 22 shanren 第一单元 习题 1. 以直拉法拉制掺硼硅锭切割后获硅片，在晶锭顶端切下的硅片硼浓度为 15 3 3×10 atoms/cm 。当熔料的90 ％已拉出剩下10％开始生长时，所对应的晶锭上的该 3 C =0.8×5×10 ×0.1 =6.34×10 atoms/cm p 3. 比较硅单晶锭CZ、MCZ 和FZ 三种生長方法的优缺点 答： CZ 法工艺成熟可拉制大直径硅锭，但受坩锅熔融带来的O 等杂质浓度高存在一定杂 质分布，因此相对于MCZ 和FZ 法，生长嘚硅锭质量不高当前仍是生产大直径硅锭的 主要方法。 MCZ 法是在CZ 技术基础上发展起来的生长的单晶硅质量更好，能得到均匀、低氧 的大矗径硅锭但MCZ 设备较CZ 设备复杂得多，造价也高得多强磁场的存在使得生产 成本也大幅提高。MCZ 法在生产高品质大直径硅锭上已成为主要方法 FZ 法与CZ、MCZ 法相比，去掉了坩埚因此没有坩埚带来的污染，能拉制出更高纯 度、无氧的高阻硅是制备高纯度，高品质硅锭及硅锭提存的方法。但因存在熔融区因此 拉制硅锭的直径受限FZ 法硅锭的直径比CZ、MCZ 法小得多。 4. 直拉硅单晶晶锭生长过程中掺杂，需要考虑哪些因素会对硅锭杂质浓度及均匀性带 来影响

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