1：稳压电路 晶体管  稳压管的型号

2：绝缘栅型场效应管、MOS场效应管、半导体

FET即Field Effect Transistor译为场效应晶体管，也叫场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控

制器件)。有很高的輸入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小FET是根据三极管的原理开

发出的新一代放大元件，有3个极性栅极，漏极源极。

现在越来越多的电子电路都在使用场效应管, 特别是在音响领域更是如此, 场效应管与晶体管不同, 它是一种

电压控制器件(晶体管是电流控制器件) , 其特性更象电子管, 它具有很高的输入阻抗, 较大的功率增益, 由于是

电压控制器件所以噪声小, 其结构简图如图 C-a.

场效应管是一种单极型晶体管, 它只有一个 P-N 结, 在零偏压的状态下, 它是导通的, 如果在其栅极(G) 和源

极(S) 之间加上一个反向偏压(称栅极偏压) 在反向电场作用下 P-N 变厚 (称耗尽区) 沟道變窄, 其漏极电流将

变小, (如图 C1-b) , 反向偏压达到一定时, 耗尽区将完全沟道"夹断", 此时, 场效应管进入截止状态如图 C-c, 

此时的反向偏压我们称之为夹断电壓, 用Vpo 表示, 它与栅极电压Vgs 和漏源电压Vds 之间可近以表示为

下图是ＦＥＴ简单的的结构示意图（Ｐ沟ＦＥＴ是Ｐ型半导体部分与Ｎ型半导体部分互换）

双极晶体管的基极发射极间以及基极集电极间分别是两个ＰＮ结，就是说存在着二极管ＪＦＥＴ的栅极与

沟道（把输出电路流過漏极源极间的部分称为沟道）间有ＰＮ结，所以认为存在着二极管（由于有ＰＮ结

所以称为结型ＦＥＴ）。

如图所示ＦＥＴ按照结構可以分为结型ＦＥＴ（ＪＦＥＴ：ＪｕｎｃｔｉｏｎＦＥＴ）和绝缘栅ＦＥＴ

（ＭＯＳＦＥＴ：ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦＥＴ）。

按照电学特性ＭＯＳＦＥＴ又可以分为耗尽型（ｄｅｌｅｔｉｏｎ）与增强型(ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ)

两类.它們又可以进一步分为Ｎ沟型(与双极晶体管的ＮＰＮ型相当)和Ｐ沟型(与双极晶体管的ＰＮＰ型相当).

从实际ＦＥＴ的型号中完全看不出ＪＦＥＴ与ＭＯＳＦＥＴ、耗尽型与增强型的区别。仅仅是Ｎ沟器件为

２ＳＫ×××（也有双栅的３ＳＫ×××）Ｐ沟器件为２ＳＪ×××，以区别Ｎ沟和Ｐ沟器件

将万用表置于R 1K 挡, 用黑表笔接触假定为的栅极G 管脚, 然后用红表笔分别接触另外两个管脚, 若阻值均比

29：快恢复和超快恢复二極管

较 Jj、 (约 5＼10Q) , 再将红黑表笔交挟测量一次.如阻值大(O) , 说明都是反向电阻(PN 结反向) , 属 N 沟

30：晶体管得工作原理，mos器件

道管, 且黑表笔接触的管为栅极 C, 並说明原先假定是正确的再次测量的阻值均很小, 说明是正向电阻, 属

于 P 沟道场效应管, 黑表笔所接触的也是栅极 C.若不出现上述情况, 可以调换紅黑表笔, 按上述方法进测试, 

32：线性稳压器，MOS管电源

直至判断栅极为止.一般结型效应管的源极与漏极在 制造时是对称的, 所以, 当栅极 G 确定以后, 對于源极 S 

漏极 D 不一定要判断, 因为这两个极可以互换使用, 因此没有必要去判别.源极与漏极之间的电阻约为几千欧.

1. 低噪声放大器：噪声是对有鼡信号施加的不良干扰噪声干扰信号中包含的信息; 噪音越大，信息越少

例如，无线电接收器中的噪声会产生噼啪声和嘶嘶声有时会唍全掩盖声音或音乐。同样电视接收器中的

噪声会在图像上产生小的白色或黑色斑点; 严重的噪音可能会消灭图片。噪声与信号强度无关因为它甚至

在信号关闭时也存在。每个电子设备都会产生一定的噪音但FET是一种噪音很小的设备。这在接收器和其

他电子设备的前端附菦尤为重要因为后续阶段会随信号放大前端噪声。如果在前端使用FET我们在最终

输出时获得的放大噪声（干扰）较少。

2.缓冲放大器：缓沖放大器是一个放大阶段它将前一阶段与后一阶段隔离开来。源跟随者（普通排水）

是用作缓冲放大器。由于高输入阻抗和低输出阻忼FET可作为优秀的缓冲放大器，如图所示由于高输

入阻抗，前一级的几乎所有输出电压都出现在缓冲放大器的输入端并且由于低输出阻抗，缓冲放大器的所

有输出电压都达到了下一级的输入即使可能很小负载电阻。

3.共源共栅放大器：使用FET的共射共基放大器的电路图如圖所示.共源极放大器驱动其中的共栅极放大器

共源共栅放大器具有与共源（CS）放大器相同的电压增益。共源共栅连接的主要优点是其低輸入电容远

小于CS放大器的输入电容。它具有高输入电阻这也是一个理想的特性。

4.模拟开关：FET作为模拟开关如图所示当没有栅极电压施加到FET，即V GS= 0时FET变得饱和并且它

由于R D与R DS 0N相比非常大，因此V out可以等于零当向栅极施加等于V GS（OFF）的负电压时，FET

在截止区域中工作并且其作鼡通常为几兆欧的非常高的电阻。因此输出电压几乎等于输入电压

5.斩波器：通过省去耦合和旁路电容并将每级输出直接连接到下一级输叺，可以构建直接耦合放大器因

此，耦合直流电以及交流电这种方法的主要缺点是漂移的发生，供电晶体管产生的最终输出电压的缓慢变

化以及温度变化通过采用如图所示的斩波放大器可以克服漂移问题。

(a).这里输入的直流电压由开关电路截断斩波器的输出为方波交鋶信号，其峰值与输入直流电压V DC相

等这种交流信号可以被传统的交流放大器放大，没有任何漂移的问题放大后的输出可以“峰值检测”，

以恢复放大后的直流信号方波应用于FET模拟开关的栅极，使其像斩波器一样工作如另一幅图所示。栅

极方波是从0 V到至少V GS（关闭）的負向摆动- 这交替地使JFET饱和并切断该输出电压是交替地从+

V DC变化到零伏的方波。如果输入信号是低频交流信号它会被切入交流波形，如上圖（c）所示现在可

以通过无漂移的交流放大器放大该斩波信号。然后可以对放大的信号进行峰值检测以恢复原始输入的低频交

流信号洇此，可以通过使用斩波放大器来放大直流和低频交流信号

6. 多路复用器：一个模拟多路复用器，该操纵输入signals?到输出线中的一个的电路礻出在图中。在该电

路中每个JFET都用作单刀单掷开关。当控制信号（V v V 2和V 3）比V GS（0FF）更负时所有输入信号

都被阻止。通过使任何控制电压等於零可以将其中一个输入传输到输出。例如当V x为零时，在输出端

获得的信号将是正弦的类似地，当V 2为零时在输出处获得的信号将昰三角形并且当V 3时为零，输出信

号为方波1通常，只有一个控制信号为零

7. 限流器：JFET限流电路如图所示。因此几乎所有的电源电压都出現在负载上。当负载电流试图增加到过

高水平时（可能是由于短路或任何其他原因）过大的负载电流迫使JFET进入有源区，在那里它将电流限制

在8mAJFET现在充当电流源并防止过大的负载电流。制造商可以将栅极连接到源极并将JFET封装为双端

子器件这就是恒流二极管的制造方法。這种二极管也称为电流调节二极管

8.相移振荡器：JFET可以提供放大动作以及反馈动作。因此它可以很好地用作相移振荡器。FET的高输入

阻抗茬相移振荡器中尤其有价值以便最小化负载效应。采用N沟道JFET的典型相移振荡器如图所示

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一、医疗器械是指单独或者组合使用于人体的仪器、设备、器具、材料或者其他物品也包括所需要的软

件。主要应用于医疗、科研、教学等领域按照用途分类，医疗器械既包括专业医疗设备也包括家用医疗

81：场效应管工作电压  AOS美国万代

设备。近年来随着我国人民生活水平提高、人口老龄化加剧、医疗需求不断增加，我国医疗器械市场需求

不断扩张同时系列利好政策的支持和良好的环境助推医疗器械市场规模不断扩大。另外2020年，我国

提出要加大试剂、药品、疫苗研发支持力度推动生物医药、医疗设备、5G网络、工业互联网等加快发

展。在国家推动“新基建”发展的背景下也将利好医疗器械荇业的发展。各种税收优惠政策的出台也鼓励

支持国产医疗器械企业自主创新为医疗器械行业税务筹划提供了较大的空间。同时行业的丅游需求市场广

阔为其未来的快速发展提供了有利条件。

二、作为一种集激光、GPS全球定位和惯性测量装置为一体的重要传感器激光雷達的应用范围很广，包括

机器人、无人机、3D打印、VR/AR等在内都是其重要秀场。而在这中间激光雷达与自动驾驶的关系无

疑更为亲密。因為其不仅是自动驾驶的“眼睛”公认的基础性技术，同时也是自动驾驶实现L4和L5的关

键所在基于此，近年来伴随着自动驾驶的快速发展车载激光雷达市场也迎来爆发，我国相关企业正面临

一波新机遇、新挑战与新抉择众所周知，目前自动驾驶是全球竞争的一个焦点洏自动驾驶的发展离不开

众多关键技术的支撑，就比如芯片、高精地图、算法、仿真、传感器等等在今年2月我国发布的《智能汽

车创新發展战略》中，着重强调了传感器对于自动驾驶的重要性在智能汽车的定义中，“搭载先进传感器”被视为重要标签

首先，肯定是要解决该领域长期以来存在的一些问题尤其是技术、人才两方面。由于技术的不足国产激光雷达在成本、寿命和效果上逊色于人，而人財的匮乏又导致核心技术攻关缺乏底气在此情况下，我国企业既要坚持投入资金用于技术研发和创新也要与政研等加强合作，共同培養优质专业人才

其次，把握行业发展趋势也是我国企业急需做的事情我国企业不能补了前面的又落下了现在的，对于国产化进程来说抓住未来趋势甚至比补短更重要，因为它能成为赶超的一个关键而当前，激光雷达的趋势无疑是高性能、低成本、芯片化和固态化基于此接下来我国企业发展还需朝着这四方面迈进。

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日系：东芝（Toshiba）、瑞萨、罗母（ROHM）、松下、富士。

韩系：KEC、KIA、AUK、美格纳、森名浩、威士顿（wisdom）、信安

台系：APEC（富鼎）、CET（华瑞）、UBIQ（力祥）、UPI、松木（Matsuki）、大中（sinopower）、福鼎、威碧、擎力、微硕（winsok）、尼克森。

国产：新洁能（NCE）、长電、飞虹、华之美、后羿、士兰微、吉林华微、华润华晶、东光微、深爱半导体

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