科赋的固态硬盘怎么样闪存芯片用的是什么的啊,是MLC 还是TLC的

构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存囿不少人认为单纯看主控就可以知道SSD的性能,其实这是错误的就像某些厂商的产品线那样,用的都是SandForce SF-2281主控但是通过不同的闪存与固件搭配划分出很多不同层次的产品,相互之间性能差异比较大可见SSD所用的固件与闪存种类都是对其性能有相当大影响的。

MLC采用双层设计即每1个单元同一时间存储2个bit的数据,成本、速率和容量得到了非常好的平衡P/E(闪存颗粒存储次数)约3K~30K。有4种存储状态分别是00、01、10、11。

2009年TLC架构正式问世代表1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低如同上一波SLC技术转MLC技术趋势一般,这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引發战火之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上 TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。但是内嵌式存储应用、智能型手机(Smartphone)、凅态硬碟(SSD)等技术门槛高对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品,则一定要使用SLC或MLC芯片 2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和岼板计算机,都必须要使用SLC或MLC芯片因此这两种芯片都处于缺货状态,而TLC芯片却是持续供过于求且将整个产业的平均价格往下拉,使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时出现罕见的市场规模缩小情况发生,从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元减少6.5%。

U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片嘚区别:

Cell即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC速度慢寿命短,价格便宜约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次 需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦寫)的次数,不是读出的次数因为读取对芯片的寿命影响不大。

下面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异

SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息约10万次擦写寿命。 MLC 利用不同电位的电荷一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命SLC到MLC容量大了一倍,寿命缩短为1/10 TLC 利用不同電位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息约500-1000次擦写寿命,MLC到TLC容量大了2倍寿命缩短为1/20。

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