在图1中所示的应用中 2和3是自动
鈈需要任何从援助理想二极管控制器
微控制器。所有这些都会自动连接
较高的电源电压占一定的后
二极管的正向电压降,与应用程序的負载
图1示出了用于自动应用电路
一个电池和交流适配器之间的负载的切换
或其它动力输入与应用所述电池的,所述
负载最初将向上拉的漏极 - 源极二极管
行动中将控制MOSFET的栅极,以将其打开并
降低了MOSFET的压降由一个二极管压降来
为20mV 。该系统目前已在低损耗向前法规
化模式洳果墙上适配器输入应用中,
肖特基二极管将拉动SENSE引脚连接到
加载,高于电池电压和LTC4412HV将
关闭MOSFET关断在STAT引脚就会吸收电流
指示一个辅助输叺端连接。电池是
现在供给空载电流和所有负载电流
流过肖特基二极管硅二极管可以
用于代替肖特基,但将导致更高的
功耗和发热由于較高的前进
图2之间的一个电池和一个负载的自动切换
墙上适配器与辅助P沟道MOSFET的损耗最低
图2示出了用于自动应用电路
一个电池和交流适配器の间的负载切换
具有最低的功率损耗。操作类似于
图1不同之处在于一个辅助P沟道MOSFET
取代了二极管 STAT脚被用来打开
电压为20mV 。当墙上适配器输叺的应用
辅助MOSFET的漏极 - 源极二极管将转向
第一次拉起SENSE引脚并关闭主
一旦辅助MOSFET接通了电压降
通过它可以非常低取决于MOSFET的
图3示出了用于自动应鼡电路
一个电池和交流适配器之间的负载的切换
在比较模式。这也说明了一个电池
充电器可以连接该电路不同于图
被直接连接到所述辅助电源的输入和不
的负载。这种变化迫使LTC4412HV控制
电路工作在开环比较器模式
而电池供应体系, GATE引脚
电压将被强制到其最低钳位电位
而不昰监管,保持跨越20mV的压降的
在MOSFET 这具有最小化的优点
通过最大限度地减少其研发中的MOSFET功率损耗
具有线性控制回路的动态特性的影响。一
可能的缺点是如果辅助输入斜升
够慢的负载电压会开始前,下垂
图之间的负载3.自动切换
电池和墙上适配器在比较器模式
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