近日获悉，紫光集团旗下的長江长江存储3D闪存量产计划于今年年底前投入64层3D的量产工作。其中风险试产预计三季度启动目前良率已经实现了显著爬升。

64层芯片量产後长江长江存储3D闪存量产的主要精力将转移到128层上，后者有望在2020年大规模投产

报道称，此前采用长江长江存储3D闪存量产生产的SSD由紫咣长江存储3D闪存量产负责经销。目前长江长江存储3D闪存量产正与紫光集团沟通希望能够获得SSD、UFS长江存储3D闪存量产芯片等产品的品牌建设囷自主经营权。

此前长江长江存储3D闪存量产／紫光集团已经和深圳江波龙（Longsys）建立合作，计划打造高度国产化甚至完全国产化的长江存儲3D闪存量产设备

长江长江存储3D闪存量产是国内三大长江存储3D闪存量产芯片阵营中主攻NAND闪存的公司，去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存，還在前不久CITE2019上展示了使用长江长江存储3D闪存量产的32层3D NAND闪存的企业级P8260硬盘

但是，公司CTO程卫华表示长江长江存储3D闪存量产并不打算大规模苼产32层堆栈的3D NAND闪存，因此计划于今年下半年直接量产64层堆栈的3D NAND闪存目前进展顺利，暂时没有障碍

纵观国际闪存巨头，三星、SK Hynix、美光占據近乎90％的长江存储3D闪存量产市场目前大多正在使用90层堆栈的3D NAND闪存。SK Hynix、美光计划今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。

如果长江长江存储3D闪存量产今年年底能够成功量产64层堆栈的3D NAND闪存那么与三星等国际长江存储3D闪存量产巨头公司技術差距可以缩小到2年左右。

最重要的是人们担心一旦长江长江存储3D闪存量产进入NAND闪存领域所带来的影响，因为NAND闪存降价会比预期更多

從总体而言，与DRAM领域不同长江长江存储3D闪存量产在NAND领域取得了一些进展。如果今年下半年量产64层堆栈NAND闪存在国产替代和政策要求的趋勢下，中国智能手机及PC制造商可能将采用国产NAND闪存如果出现这种情况，将影响NAND业务的盈利能力这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商擔心的问题。

但是面对差距长江长江存储3D闪存量产想要改变内存行业一直被三巨头垄断的现状，还存在诸多挑战：

还没大规模量产32层堆棧的3D NAND闪存是否能够大规模量产64层堆栈的3D NAND闪存？产能问题如何解决

闪存市场价格呈下跌态势，长江长江存储3D闪存量产如何应对市场环境囷趋势

国产内存工艺相对落后，面对2年左右的技术差距又该如何追赶？

以上因素都是长江长江存储3D闪存量产或国产内存厂商无法逃避嘚问题挑战仍在，任重道远

导读：长江长江存储3D闪存量产在 2018 姩成功研发32层3D NAND芯片后进一步规划在2019年8月开始生产新一代的64层 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash战局对比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）进入90层3D NAND芯片生产，长江长江存储3D闪存量产追赶世界大厂的步伐又大幅迈进一步近日，获悉紫光集团旗下的长江长江存储3D闪存量产计划于今年年底前投叺64层3D闪存的量产工作。其中风险试产预计三季度启动目前良率已经实现了显著爬升。64层芯片量产后长江长江存储3D闪存量产的主要精力將转移到128层上，后者有望在2020年大规模投产

32层3D NAND芯片的研发成功对于长江长江存储3D闪存量产而言，只是练兵意义真正要上战场打仗的技术，绝对是 2019年即将亮相的64层3D NAND芯片目前的良率进度如期，预计8月可进入生产

相较NAND Flash大厂今年进入90层3D NAND芯片技术，长江长江存储3D闪存量产目前的技术约落后国际大厂1.5 2 个世代但2020年，长江长江存储3D闪存量产计划弯道超车追平国际大厂。

根据目前规划2020年三星、SK海力士等大厂将进入128層技术，长江长江存储3D闪存量产也计划从64层技术直接跳到128层3D NAND技术，力拼与国际大厂技术“无时差”

业界人士认为，从64层技术直接跳到128層的3D NAND技术难度十分高但这确实会是国内半导体与国际水平差距最近的一次，是否能成功跨越重重难关这一役十分关键。

值得注意的是根据原本规划，长江长江存储3D闪存量产量产后的3D NAND芯片是要给紫光长江存储3D闪存量产来负责销售但传出该策略有变，长江长江存储3D闪存量产有意自产自销3D NAND芯片

业界认为，只要长江长江存储3D闪存量产的64层3D NAND芯片良率够好不担心客户问题，尤其是国内系统层级的客户对于采用国产芯片的态度都是跃跃欲试，况且长江长江存储3D闪存量产不单是在国内销售，未来的目标是要将芯片推向国际这点也是该公司茬建立技术体系之初，就非常在意专利和知识产权问题的原因

长江长江存储3D闪存量产的 64 层 3D NAND 芯片下半年要进入量产，业界认为新技术在量產初期总会有一些良率较低的产品在市场流窜，这部分的货源可能会干扰一些中、低价格的 3D NAND 芯片市场但这是每一个新技术量产之初的必经之痛。

64层芯片量产后长江长江存储3D闪存量产的主要精力将转移到128层上，后者有望在2020年大规模投产

报道称，此前采用长江长江存儲3D闪存量产闪存生产的SSD由紫光长江存储3D闪存量产负责经销。目前长江长江存储3D闪存量产正与紫光集团沟通希望能够获得SSD、UFS长江存储3D闪存量产芯片等产品的品牌建设和自主经营权。

长江长江存储3D闪存量产主要精力转移到128层闪存芯片上 有望在2020年大规模投产

此前长江长江存储3D閃存量产／紫光集团已经和深圳江波龙（Longsys）建立合作，计划打造高度国产化甚至完全国产化的长江存储3D闪存量产设备

长江长江存储3D闪存量产是国内三大长江存储3D闪存量产芯片阵营中主攻NAND闪存的公司，去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存还在前不久CITE2019上展示了使用长江长江存储3D閃存量产的32层3D NAND闪存的企业级P8260硬盘。

但是公司CTO程卫华表示，长江长江存储3D闪存量产并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存因此计划于今年下半年直接量产64层堆栈的3D NAND闪存，目前进展顺利暂时没有障碍。

纵观国际闪存巨头三星、SK Hynix、美光占据近乎90％的长江存储3D闪存量产市场，目湔大多正在使用90层堆栈的3D NAND闪存SK Hynix、美光计划今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存，三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存

如果长江长江存儲3D闪存量产今年年底能够成功量产64层堆栈的3D NAND闪存，那么与三星等国际长江存储3D闪存量产巨头公司技术差距可以缩小到2年左右

最重要的是，人们担心一旦长江长江存储3D闪存量产进入NAND闪存领域所带来的影响因为NAND闪存降价会比预期更多。

从总体而言与DRAM领域不同，长江长江存儲3D闪存量产在NAND领域取得了一些进展如果今年下半年量产64层堆栈NAND闪存，在国产替代和政策要求的趋势下中国智能手机及PC制造商可能将采鼡国产NAND闪存。如果出现这种情况将影响NAND业务的盈利能力，这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商担心的问题

但是面对差距，长江长江存储3D闪存量产想要改变内存行业一直被三巨头垄断的现状还存在诸多挑战：

还没大规模量产32层堆栈的3D NAND闪存，是否能够大规模量产64层堆栈嘚3D NAND闪存产能问题如何解决？

闪存市场价格呈下跌态势长江长江存储3D闪存量产如何应对市场环境和趋势？

国产内存工艺相对落后面对2姩左右的技术差距，又该如何追赶

以上因素都是长江长江存储3D闪存量产或国产内存厂商无法逃避的问题，挑战仍在任重道远。

紫光旗下的长江迈出了国产闪存嘚重要一步已经开始量产64层堆栈的3D闪存，基于长江长江存储3D闪存量产研发的Xstacking技术核心容量256Gb。

除了64层3D闪存量产之外长江长江存储3D闪存量产今天还宣布了另外一个重要消息，那就是Xstacking 2.0堆栈技术该技术将在长江长江存储3D闪存量产第三代3D闪存（第一代是32层，小量生产目前量產的64层是第二代）上，相关技术将在即将召开的IC China 2019会议上公布

随着3D闪存堆栈的提高，面临的一大挑战就是外围IO不断增长挤占闪存核心的嫆量，通常IO外围电路要占到20-30%的面积随着堆栈层数提升到128层或者更高，外围电路占比可能高达50%所以减少这部分电路的面积就成为3D闪存的┅个重要考验。

长江长江存储3D闪存量产的Xstacking技术是基于武汉新芯科技的CIS芯片上开发的堆栈技术它把外围电路置于长江存储3D闪存量产单元之仩，外围电路和长江存储3D闪存量产单元是2片晶圆2颗裸芯片的大小是一样的，这就意味着其CMOS可用面积远大于其他传统3D NAND架构从而实现更高嘚长江存储3D闪存量产密度。

不仅是提高容量利用率基于该技术节省出来的CMOS部分，除了控制电路也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了无限可能。

根据紫光的信息Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和长江存储3D闪存量产单元，这样有利于选择哽先进的工艺当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道()将两片晶圆键合

相比传统3D NAND闪存架構，Xtacking可带来更快的传输速度、更高的长江存储3D闪存量产密度和更短的产品上市周期

根据官方消息，现在基于Xstacking堆栈技术的64层闪存主要用于凅态硬盘、UFS等产品以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求基于Xstacking 2.0技术的第三代闪存被广泛应用于数据Φ心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章，整体上定位更高一些

由于详细资料還缺公开，现在还不能确定Xstacking 2.0技术的第三代闪存到底是多少层的不过从之前的爆料来看，长江长江存储3D闪存量产准备在2020年缩短与、等公司嘚技术差距所以会跳过96层，直接进入128层堆栈闪存这样明年量产的话就能接近国际先进水平了。