在区分MOS管中的N沟同P沟之前首先偠了解场效应管有哪些型号的一个基本概念，即S、G、D三极的含义和区分及场效应管有哪些型号的工作原理。为方便记忆场效应管有哪些型号的三个极被称为S、G、D极，分别对应于双极型晶体管的e(发射极)、b(基极)、c(集电极)两者间作用相似。其中S极(源极):Source简称场效应管有哪些型号(FET)，由多数载流子参与导电如果对其外加电压，载流子将从源极流向漏极相当于发射极e；G极(栅极):Gate electrode，由金属细丝组成的筛网状或螺旋狀电极可被认为是开关，它可以通过使源极和漏极之间的沟道产生/消除从而允许/阻碍载流子通过，起控制电流放大信号的作用相当於基极b；D极(漏极):Drain electrode，相当于集电极c部分FET还有第四极----基极(B)或被称为【衬底】，常和源极连在一起
多数情况下，在MOS管中D-S结构对称，即可对調位置而MOS管的工作原理主要是利用外加电场来控制半导体表面的电场效应，产生反型层通过改变导电沟道的宽窄来控制输出电流，即鼡输入信号电压来控制其输出电流大小属电压控制器件。因栅极和沟道间的绝缘层故具有很高的输入电阻，同时MOS管还具备噪声系数小、抗辐射能力强以及低电压工作的特性并分耗尽和增强两种类型。
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MOS管分N、P两种沟道类型从定义区分：
以N型为基极(衬底)，漏-源极两个为P型的管子称P型MOS管；
以P型为基极(衬底)漏-源极两个为N型的管子称N型MOS管。
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以基极(B)指向栅极为N型MOS管；以栅极指向基极(B)为P型MOS管
以电流从MOS管中流出為N型MOS管；以电流流入MOS管中为P型MOS管。
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PMOS 而言Vgs小于一定值时导通，适用于源极接Vcc时的情况；而NMOSVgs大于一定值时导通，适用于源极接地时的情况且由于PMOS导通电阻大，造价昂贵而NMOS管导通电阻小，容易制造所以在实际应用中，NMOS管的使用层面更广
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判断MOS管主要可通过MOS管的定义、符號画法、以及特性三种方式去区分NMOS管和PMOS管，以上就是判断PMOS管和NMOS管的方法
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根据耗尽型和增强型，一共有四种类型的MOS管分别是耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管，增强型NMOS管及增强型PMOS管注意区分耗尽和增强两大类型。
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另请注意单双极晶体管的区别
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