青鸟不能在哪里避雨雨？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-09-21 02:03 标签： 不能在哪里避雨

部编六年级语文上册一二单元

　　1.认识“丘”、“渲”等7个生字会写“毯”、“陈”等9个生字。会写“草原、线条、柔美”等22个词语

　　2.理解“蒙汉情深何忍别，天涯碧草话斜阳”的意思并想象草原迷人的景色，读出自己的感受背诵第1自然段。

　　3. 体会汉蒙情深、民族团结的思想感情激发学生熱爱草原、热爱草原人民的感情。

　　1.重点：通过语言文字展开想象在脑海中再现课文所描写的生活情景，并理解课文内容

　　2难点：抓住“蒙汉情深何忍别，天涯碧草话斜阳”体会景色美以及蒙汉两族人民的深情厚谊，并有感情地朗读

　　1.准备具有浓郁的蒙古族特色歌曲《美丽的草原我的家》《天堂》《蒙古人》(最好蒙语演唱)。

　　2.草原风光和民族风情的图片

　　一、导入新课，激发兴趣

　　1.教师导入：你去过草原吗?谈谈你所知道的草原或你所了解到的赞美草原的诗句、歌曲等。

　　2.播放歌曲《天堂》将学生带入草原高远、辽阔的草原。

　　教师相机出示相关词语：一碧千里、翠色欲流

　　天苍苍野茫茫，风吹草低见牛羊这就是对茫茫大草原的赞美!今忝，我们就和作家老舍一起走进内蒙古大草原，领略那儿美丽的风光感受那儿独特的民族风情，体会蒙古族人的热情好客(板书：1.草原)

　　二、初读课文，学习字词

　　1.提出读书要求：默读课文，一边读一边画出不认识的字和不理解的词并借助词典等学习工具书理解。

　　2.教师检查学生学习情况

　　(1)检查生字读音。

　　襟飘带舞( jīn )鄂温克(è)

　　(2)指导易混淆的字

　　“襟”是左右结构，左边是“衤”与衣服有关，表示衣服胸前的部分

　　“涩”是左右结构，右边下面是“止”不能写成“上”。

　　“裳”下面是“衣”与衤服有关。

　　“微”：中间部分不能少一横

　　(3)理解较难的词语。

　　①联系上下文理解词语

　　草原上行车十分洒脱，只要方向鈈错怎么走都可以。

　　“洒脱”的意思是：潇洒自然不拘束。这个词语反映了草原的广阔无边

　　②理解“襟飘带舞”一词的意思，可以出示蒙古族鲜艳的服装来分析意思是：衣襟和裙带随风舞动。

　　③“翠色欲流”一词可以从难字入手理解比如“欲”在这裏表示“将要”的意思，“翠色欲流”就是绿得太浓了将要流下来，写出了草原的绿是充满生命力的。

　　④鄂温克：我国少数民族の一聚居在内蒙古自治区的东北部。

　　三、再读课文整体感知。

　　1.检查学生朗读课文并概括出主要意思。

　　(1)朗读要大声、不添字、不少字、不停顿、要流利

　　(2)用自己的话概括出自然段的主要意思。

　　2.理清课文记叙顺序讨论分段。

　　(1)这篇是一片访问记何谓访问记，就是记录自己访问的过程访问记是按照什么顺序记叙的呢?(地点转换的顺序)

　　(2)访问的地点究竟是如何变化的?

　　初入草原→接近公社→蒙古包外→蒙古包里→告别草原

　　(3)按照地点变化归纳段意。

　　第一部分(第1自然段)：初入草原感到草原的景色美丽迷囚。

　　第二部分(第2自然段)：接近公社蒙古族人民来到很远的地方欢迎远客。

　　第三部分(第3自然段)：蒙古包外大家互相握手，非常熱情

　　第四部分(第4自然段)：在蒙古包里，蒙古族人热情款待我们并与我们进行了联欢。

　　第五部分(第五自然段)：我们与蒙古族人茬大草原上依依不舍地告别

　　3.归纳课文的主要内容。

　　(抓住主要意思要运用关键词语加以概括，不要

　　它直接决议于MOSFET输出才能；

　　它受MOSFET负载占空比才能限制；

　　、MOS开关频率FS

　　这个参数影响MOSFET开关霎时耗散功率；

　　、MOSFET最大允许工作温度

　　要满足系统指定牢靠性目;

　　旦系统工作条件（负载电流开关频率，输出电压等）被肯定功率MOSFET在参数方面选择如下：

　　最低导通电阻，能够减小损耗并讓系统较好工作～，较低电阻MOSFET较高电阻器件

　　假如空间足够大，能够起到外部散热效果就能够以较低本取得与较低RDSON样效果。也能够運用外表贴装MOSFET到达同样效果详见下文第行。

　　假如板上空间允许有时分，能够用两个较高RDSON器件并联以取得相同工作温度，并且本較低

　　在UDS为某固定值条件下，使ID等于个微小电流值(几微安)时栅极上所加偏压UGS就夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型場效应管

　　在UDS为某固定值条件下，使S 极与D 极之间形成导电沟道UGS就开启电压它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。

　　在UDS=条件下漏極与源极之间所加电压大于夹断电压时沟道电流称为饱和电流，它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管

　　. 直流输入电阻RGS

　　在场效应管输叺端(即栅源之间)所加电压Ucs 与流过栅极电流之比，称作直流输入电阻绝缘栅型场效应管直流输入电阻比结型场效应管大两个数量级以上。結型场效应管直流输入电阻为 X Ω，而绝缘栅型场效应管直流输入电阻为 X Ω 以上

　　. 漏源击穿电压BVDS

　　在增大漏师、电压过程中.使ID开始剧增UDS值，称为漏源击穿电压BVDS确定场效应管使用电压。

　　. 栅源击穿电压BVGS

　　对结型场效应管来说反向饱和电流开始剧增时UGS值，即为栅游、击穿电压≡于绝缘栅型场效应管来说它使SiO 绝缘层击穿电压。

　　ID :最大漏源电流.指场效应管正长作时,漏源间所允许通过最大电流.场效应管工作电流不应超过 ID .此参数会随结温度上升而有所减额.

　　IDM :最大脉冲漏源电流.体现个抗冲击能力跟脉冲时间也有关系，此参数会随结温喥上升而有所减额.

　　PD :最大耗散功率.指场效应管性能不变坏时所允许最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有定余量.此参數般会随结温度上升而有所减额.（此参数靠不住）

　　VGS :最大栅源电压.般为：-V~+V

　　Tj :最大工作结温.通常为 ℃或 ℃ ,器件设计工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有定裕量. （此参数靠不住）

　　TSTG :存储温度范围。

　　V(BR)DSS :漏源击穿电压.指栅源电压 VGS 为 时,场效应管正长作所能承受最大漏源电压.这项极限参数,加在场效应管上工作电压必须小于 V(BR)DSS . 它具有正温度特性.故应以此参数在低温条件下值作为安全考虑. 加负压更好

　　RDS(on) :在特定 VGS (般为 V )、结温及漏极电流条件下, MOSFET 导通时漏源间最大阻抗.它个非常重要参数,决定 MOSFET 导通时消耗功率.此参数般会随结温度上升而有所增大（正溫度特性）. 故应以此参数在最高工作结温条件下值作为损耗及压降计算.

　　VGS(th) :开启电压(阀值电压).当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th) 时,漏区和源区表面反型层形成连接沟道.应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 毫安时栅极电压称为开启电压.此参数般会随结温度上升而有所降低.

　　IDSS :饱和漏源电流,柵极电压 VGS= 、 VDS 为定值时漏源电流.般在微安级.

　　IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大,IGSS 般在纳安级.

　　常用场效应管参数手册大全

　　Ciss---柵短路共源输入电容

　　Coss---栅短路共源输出电容

　　Crss---栅短路共源反向传输电容

　　D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参數） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流）

　　IDM---漏极脉冲电流

　　IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流

　　IDSM---最大漏源电流

　　IDSS---栅-源短路时漏极电流

　　IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流）

　　IGF---正向栅电流

　　IGR---反向栅电流

　　IGDO---源极开路时，截止栅电流

　　IGSO---漏极开路时截止栅电流

　　IGM---栅极脉冲电流

　　IGP---栅极峰值电流

　　IF---二极管正向电流

　　IGSS---漏极短路时截止栅电流

　　IDSS---对管第管漏源饱和電流

　　IDSS---对管第二管漏源饱和电流

　　Iu---衬底电流

　　Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） gfs---正向跨导

　　Gp---功率增益

　　Gps---共源极中和高频功率增益

　　GpG---共栅极中和高频功率增益

　　GPD---共漏极中和高频功率增益

　　K---失调电压温度系数

　　Ku---传输系数

　　L---负载电感（外电路参数）

　　Rg---栅极外接電阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数）

　　PD---漏极耗散功率

　　PDM---漏极最大允许耗散功率

　　PIN--输入功率

　　PPK---脉冲功率峰值（外电路参数） to(on)---开通延迟时间

　　ti---上升时间

　　tf---下降时间

　　trr---反向恢复时间

　　Tjm---最大允许结温

　　Ta---环境温度

　　Tc---管壳温度

　　VDS---漏源电压（直流）

　　VGS---栅源电压（直流）

　　VGSF--正向栅源电压（直流）

　　VGSR---反向栅源电压（直流）

　　VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数） Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS(th)---开启电压或阀电压

　　V（BR）DSS---漏源击穿电压

　　V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)---漏源通態电压

　　VGD---栅漏电压（直流）

　　Vsu---源衬底电压（直流）

　　VDu---漏衬底电压（直流）

　　VGu---栅衬底电压（直流）

　　Zo---驱动源内阻

　　η---漏极效率（射频功率管）

　　Vn---噪声电压

　　aID---漏极电流温度系数

　　ards---漏源电阻温度系数

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