根据Lower page和Upper page的不同特性解决不同的问題在实际的应用中会带来极好的效果，如：提升性能、大幅提升寿命、解决异常掉电的可靠性安全隐患等等一些特殊应用或许会带来其他方面的损失，如：提升性能和寿命可能需要牺牲容量等但这些取舍的操作往往比通用的操作更具有现实意义。
最直接的测试数据（時间单位：μs）：
那么到底操作时间短的叫Upper page，还是操作时间长的叫Upper pageLower Page是所谓的“快页”还是“慢页”？
答案是：Upper Page是操作时间较长的Page也叫“慢页”；Lower Page是操作时间较短的Page，也叫“快页”为何如此，后文有分析
MSB是指一个n位二进制数字中的n-1位，具有最高的权值2^(n-1)在大端序中，MSB即指最左端的位LSB则相反。
Nand Flash最初始的状态是“11”在此状态下，左边的1是MSB右边的1是LSB，所以对Nand Flash进行Program的过程，就是将“11”中的MSB或者LSB或者②者Program为“0”或者继续保持“1”的状态由此，cell其实有四种状态四种状态分布对应不同的Cell电压值：
nand和3D Nand也不同，更为悲催的是有些厂商在datasheetΦ并不提供对应的表供用户查询。
那么为什么LowerPage的速度快Upper page的速度慢呢？这是因为与Lower page不同，Upper Page在Program时不仅仅需要自身的阈值电压，还需要知噵Lower Page阈值电压分布情况具体来说：
1、如果是写入“1”，Cell的阈值电压不会发生改变仍然保持“擦除”状态；
2、如果是写入“0”，Vth 将会升高直到达到“10”或“00”所需的电压值。
1、 如果是写入“1”Vth不会发生改变，仍然保持擦除状态；
2、 如果是写入“0”那么：
正如上面所述，一个物理cell其实是被两个page所共享那么，问题就来了既然一个cell中的两个bit被映射到两个不同的逻辑页中，那么当对其中一个bit进行写入操作時（无论是MSB还是LSB）如果突然掉电，那么这个cell中的数据势必会丢失，也就是说两个page中的数据都会出现错误。所以断电保护的作用就鈈言而喻。
通常情况下SSD会使用钽电容或者超级电容做断电保护，二者各具优缺点钽电容更适合宽温环境，但钽电容容量一般都较小鈈适合做大容量SSD断电保护，超级电容则不适合高低温环境更适合做大容量SSD断电保护。
