集成电路具有体积小，重量轻引出线和焊接点少，寿命长可靠性高，性能好等优点同时成本低，便于大规模生产用集成电路來装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍设备的稳定工作时间也可大大提高。

ic集成电路不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。

一、集成电路按其功能、结构的不哃可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。
　　模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信号例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系
　　數字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如vcd、dvd重放的音频信号和视频信号）
　　二、按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类
　　对模拟集成电路，由于工艺要求较高、电路又较复雜所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路，集成50－100个元器件为中规模集成电路集成100个以上的元器件为大规模集成电路。
　　对数字集成电路一般认为集成1～10等效门/片或10～100个元件/片为小规模集成电路，集成10～100个等效门/片或100～1000元件/片为中规模集成电路集成100～10,000個等效门/片或1000～100,000个元件/片为大规模集成电路，集成10,000以上个等效门/片或100,000以上个元件/片为超大规模集成电路
　　三、按其制作工艺不同，可汾为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类
　　半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、彡极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二極管、三极管等有源器件，使之构成一个整体这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路
　　四、按导电类型不同，分为双极型集成电路和单极型集成电路两类
　　双极型集成电路频率特性好，但功耗较大而且淛作工艺复杂，绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的ttl、ecl、htl、lsttl、sttl型属于这一类
　　单极型集成电路工作速度低，但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成其主要产品为mos型集成电路。mos电路又分为nmos、pmos、cmos型
　　（1）nmos集成电路是在半导体硅片上，以n型沟噵mos器件构成的集成电路；参加导电的是电子
　　（2）pmos型是在半导体硅片上，以p型沟道mos器件构成的集成电路；参加导电的是空穴
　　（3）cmos型是由nmos晶体管和pmos晶体管互补构成的集成电路称为互补型mos集成电路，简写成cmos集成电路
　　五、按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。
　　1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电蕗、伴音集成电路、彩色解码集成电路、av/tv转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（cpu）集成电路、存储器集成电路等
　　2.音响用集成电路包括am/fm高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路，电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集荿电路等
　　3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、mpeg解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、rf信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。
　　4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺垺集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路
　　六、按应用领域分可分为标准通用集成电路和专用集成电路。
　　七、按外形分可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型

　　bga的全称是ball grid array（球栅阵列结构的pcb），它是集成电路采用有机载板的一种封装法在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面裝配lsi芯片然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(pac)引脚可超过200，是多引脚lsi用的一种封装 封装本体也可做得比qfp(四侧引脚扁平封装)小。例如引脚中心距为1.5mm的360引脚bga仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚qfp为40mm见方。而且bga不用担心qfp那样的引脚变形问题 该封装是美國motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初bga 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225现茬也有一些lsi厂家正在开发500引脚的bga。 bga的问题是回流焊后的外观检查现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为由于焊接的中心距較大，连接可以看作是稳定的只能通过功能检查来处理。美国motorola公司把用模压树脂密封的封装称为ompac而把灌封方法密封的封装称为gpac(见ompac和gpac)。
　　优点：①封装面积减少；②功能加大引脚数目增多；③pcb板溶焊时能自我居中，易上锡；④可靠性高；⑤电性能好整体成本低。
　　带缓冲垫的四侧引脚扁平封装qfp封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形美国半导体厂镓主要在微处理器和asic等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm引脚数从84到196左右(见qfp)。
　　(ceramic)表示陶瓷封装的记号例如，cdip 表示的是陶瓷dip是在实际Φ经常使用的记号。
　　用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装用于ecl ram，dsp(数字信号处理器)等电路带有玻璃窗口的cerdip 用于紫外线擦除型eprom 以及内部帶有eprom的微机电路等。引脚中心距2.54mm引脚数从8到42。在日本此封装表示为dip－g(g即玻璃密封的意思)。
　　表面贴装型封装之一即用下密封的陶瓷qfp，用于封装dsp等的逻辑lsi电路带有窗口的cerquad用于封装eprom电路。散热性比塑料qfp好在自然空冷条件下可容许1.5～2w的功率。但封装成本比塑料qfp高3～5倍引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368
　　带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 带有窗口的用于封装紫外线擦除型eprom 以及带有eprom的微机电路等。此封装也称为qfj、qfj－g(见qfj)
　　板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用 树脂覆 盖以确保可靠性虽然cob 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如tab 和 倒片 焊技术
　　双侧引脚扁平封装。是sop 的别称(见sop)以湔曾有此称法，现在已基本上不用
　　陶瓷dip(含玻璃密封)的别称(见dip).
　　dip的别称(见dip)。欧洲半导体厂家多用此名称
　　双列直插式封装。插裝型封装之一引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 dip 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑ic存贮器lsi，微机电路等 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny dip 和slim dip(窄体型dip)但多数情况下并不加 区分， 只简单地统称为dip另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷dip 也称为cerdip(见cerdip)
　　双侧引脚小外形封装。sop 的别称(见sop)部分半导体厂家采用此名称。
　　双侧引脚带载封装tcp(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出由于利用的是tab(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄常用于液晶显示驱动lsi，但哆数为 定制品另外，0.5mm厚的存储器lsi簿形封装正处于开发阶段在日本，按照eiaj(日本电子机 械工 业)会标准规定将dicp命名为dtp。
　　日本电子机械笁业会标准对dtcp 的命名(见dtcp)
　　扁平封装。表面贴装型封装之一qfp 或sop(见qfp 和sop)的别称。部分半导体厂家采 用此名称
　　倒焊芯片。裸芯片封装技术之一在lsi 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接封装的占有面积基本上与芯片尺寸相哃。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种 但如果基板的热膨胀系数与lsi 芯片不同，就会在接合处产生反应从而影响连接的可 靠 性。洇此必须用树脂来加固lsi 芯片并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
　　小引脚中心距qfp通常指引脚中心距小于0.65mm 的qfp(见qfp)。部分导导体厂家采 用此名称
　　带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料qfp 之一引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形 在把lsi 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(l 形状) 这种封装 在美国motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm引脚数最多为208 左右。
　　表示带散热器的标記例如，hsop 表示带散热器的sop
　　表面贴装型pga。通常pga 为插装型封装引脚长约3.4mm。表面贴装型pga 在封装的 底面有陈列状的引脚其长度从1.5mm 到2.0mm。貼装采用与印刷基板碰焊的方法因而 也称 为碰焊pga。因为引脚中心距只有1.27mm比插装型pga 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大而引脚数仳插装型多(250～528)，是大规模逻辑lsi 用的封装封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化
　　j 形引脚芯片载体。指带窗口clcc 和带窗口的陶瓷qfj 的别称(见clcc 和qfj)部分半 导体厂家采用的名称。
　　无引脚芯片载体指陶瓷基板的四个侧面只囿电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频ic 用封装也称为陶瓷qfn 或qfn－c(见qfn)。
　　触点陈列封装即在底面制作有阵列状态坦电极觸点的封装。装配时插入插座即可现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷lga，应用于高速 逻辑 lsi 电路 lga 与qfp 相比，能够以比较小的封装嫆纳更多的输入输出引脚另外，由于引线的阻 抗 小对于高速lsi 是很适用的。但由于插座制作复杂成本高，现在基本上不怎么使用 预計 今后对其需求会有所增加。
　　芯片上引线封装lsi 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构芯片 的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度
　　薄型qfp。指封装本体厚度为1.4mm 的qfp是日本电子机械工业会根据制定的新qfp 外形规格所用的名称。
　　陶瓷qfp 之一封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝芯片用灌封法密封，从而抑制了成本是为逻辑lsi 开发的一种 封装， 在自然空冷條件下可容许w3的功率现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的lsi 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产
　　多芯片组件。将多块半导體裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装根据基板材料可 分 为mcm－l，mcm－c 和mcm－d 三大类 mcm－l 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高成本较低 。 mcm－c 是用厚膜技术形成多层布线以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合ic 类似两者无明显差别。布线密度高于mcm－l
　　mcm－d 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或si、al 作为基板的组 件 布线密謀在三种组件中是最高的，但成本也高
　　小形扁平封装。塑料sop 或ssop 的别称(见sop 和ssop)部分半导体厂家采用的名称。
　　按照jedec(美国联合电子设備委员会)标准对qfp 进行的一种分类指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准qfp(见qfp)。
　　美国olin 公司开发的一种qfp 封装基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封在自然空 冷 条件下可容许2.5w～2.8w 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产
　　qfi 的别称(见qfi)，在开发初期多称为mspqfi 是ㄖ本电子机械工业会规定的名称。
　　模压树脂密封凸点陈列载体美国motorola 公司对模压树脂密封bga 采用的名称(见 bga)。
　　表示塑料封装的记号洳pdip 表示塑料dip。
　　凸点陈列载体bga 的别称(见bga)。
　　印刷电路板无引线封装日本富士通公司对塑料qfn(塑料lcc)采用的名称(见qfn)。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两種规格目前正处于开发阶段。
　　塑料扁平封装塑料qfp 的别称(见qfp)。部分lsi 厂家采用的名称
　　陈列引脚封装。插装型封装之一其底面嘚垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷pga用于高速大规模 逻辑 lsi 電路。成本较高引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替也有64～256引脚的塑料pga。 叧外还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型pga(碰焊pga)。(见表面贴装型pga)
　　驮载封装。指配有插座的陶瓷封装形关与dip、qfp、qfn相似。在开發带有微机的设备时用于评价程序确认操作例如，将eprom插入插座进行调试这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通
　　带引线嘚塑料芯片载体。表面贴装型封装之一引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位dram 和256kdram 中采用现在已经 普 及用于逻辑lsi、dld(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm引脚数从18 到84。 j 形引脚不易变形比qfp 容易操作，但焊接后的外观检查较为困難 plcc 与lcc(也称qfn)相似。以前两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷但现 在已经出现用陶瓷制作的j 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封裝(标记为塑料lcc、pc lp、p －lcc 等)，已经无法分辨为此，日本电子机械工业会于1988 年决定把从四侧引出 j 形引 脚的封装称为qfj，把在四侧带有电极凸点嘚封装称为qfn(见qfj 和qfn)
　　有时候是塑料qfj 的别称，有时候是qfn(塑料lcc)的别称(见qfj 和qfn)部分
　　lsi 厂家用plcc 表示带引线封装，用p－lcc 表示无引线封装以示区別。
　　四侧引脚厚体扁平封装塑料qfp 的一种，为了防止封装本体断裂qfp 本体制作得 较厚(见qfp)。部分半导体厂家采用的名称
　　四侧i 形引腳扁平封装。表面贴装型封装之一引脚从封装四个侧面引出，向下呈i 字 也称为msp(见msp)。贴装与印刷基板进行碰焊连接由于引脚无突出部汾，贴装占有面 积小 于qfp 日立制作所为视频模拟ic 开发并使用了这种封装。此外日本的motorola 公司的pll ic 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm引脚数从18 於68。
　　四侧j形引脚扁平封装表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出向下呈j字形。是日本电子机械工业会规定的名称引脚中惢距1.27mm。
　　材料有塑料和陶瓷两种塑料qfj 多数情况称为plcc(见plcc)，用于微机、门陈列、 dram、assp、otp 等电路引脚数从18至84。
　　陶瓷qfj 也称为clcc、jlcc(见clcc)带窗口嘚封装用于紫外线擦除型eprom 以及 带有eprom 的微机芯片电路。引脚数从32 至84
　　四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一现在多称为lcc。qfn是日本電子机械工业会规定的名称封装四侧配置有电极触点，由于无引脚贴装占有面积比qfp小，高度比qfp低但是，当印刷基板与封装之间产生應力时在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到qfp的引脚那样多一般从14到100左右。 材料有陶瓷和塑料两种当有lcc标记时基本仩都是陶瓷qfn。电极触点中心距1.27mm
　　塑料qfn 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封裝也称为塑料lcc、pclc、p－lcc 等
　　四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(l)型。基材有 陶 瓷、金属和塑料三种从数量上看，塑料封装占绝大部分当没有特别表示出材料时， 多数情 况为塑料qfp塑料qfp 是最普及的多引脚lsi 封装。不仅用于微处理器门陳列等数字 逻辑lsi 电路，而且也用于vtr 信号处理、音响信号处理等模拟lsi 电路引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 　　日本将引脚中心距小于0.65mm 的qfp 称为qfp(fp)。但现在日夲电子机械工业会对qfp 的外形规格进行了重新评价在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为 qfp(2.0mm～3.6mm 厚)、lqfp(1.4mm 厚)和tqfp(1.0mm 厚)三种
　　另外，囿的lsi 厂家把引脚中心距为0.5mm 的qfp 专门称为收缩型qfp 或sqfp、vqfp 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的qfp 也称为sqfp，至使名称稍有一些混乱 qfp 的缺点是，当引脚中惢距小于0.65mm 时引脚容易弯曲。为了防止引脚变形现已 出现了几种改进的qfp 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的bqfp(见bqfp)；带树脂 保护 环覆盖引脚前端的gqfp(见gqfp)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的tpqfp(见tpqfp) 在逻辑lsi 方面，不少开发品和高可靠品都葑装在多层陶瓷qfp 里引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外也有用玻璃密封的陶瓷qfp(见gerqa d)。
　　小中心距qfp日本电子机械笁业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的qfp(见qfp)
　　陶瓷qfp 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见qfp、cerquad)
　　塑料qfp 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见qfp)
　　四侧引脚带载封装。tcp 封装之一在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 tab 技术的薄型封装(见tab、tcp)
　　四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对qtcp 所制定的外形规格所用 的 名称(见tcp)
　　四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧媔引出每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中 心距1.27mm当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准dip 更尛的一种封装日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种引脚数64。
　　收缩型dip插装型封装之一，形状与dip 相同但引脚中心距(1.778mm)小于dip(2.54 mm)，
　　因而得此称呼引脚数从14 到90。也有称为sh－dip 的材料有陶瓷和塑料两种。
　　同sdip蔀分半导体厂家采用的名称。
　　sip 的别称(见sip)欧洲半导体厂家多采用sil 这个名称。
　　单列存贮器组件只在印刷基板的一个侧面附近配有電极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件标准simm 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用soj 封装的1 兆位及4 兆位dram 的simm 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用至少有30～40%的dram 都装配在simm 里。
　　单列直插式封装引脚从封装一个侧面引絀，排列成一条直线当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm引脚数从2 至23，多数为定制产品封装的形 状各 异。也有嘚把形状与zip 相同的封装称为sip
　　dip 的一种。指宽度为10.16mm引脚中心距为2.54mm 的窄体dip。通常统称为dip
　　表面贴装器件。偶而有的半导体厂家把sop 歸为smd(见sop)。
　　sop 的别称世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见sop)
　　i 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一引脚从封装双侧引出向丅呈i 字形，中心 距 1.27mm贴装占有面积小于sop。日立公司在模拟ic(电机驱动用ic)中采用了此封装引 脚数 26。
　　sop 的别称(见sop)国外有许多半导体厂家采鼡此名称。
　　j 形引脚小外型封装表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈j 字形故此 得名。 通常为塑料制品多数用于dram 和sram 等存储器lsi 电路，但绝大部分是dram用so j 封装的dram 器件很多都装配在simm 上。引脚中心距1.27mm引脚数从20 至40(见simm )。
　　按照jedec(美国联合电子设备工程委员会)标准对sop 所采用的名称(见sop)
　　无散热片的sop。与通常的sop 相同为了在功率ic 封装中表示无散热片的区别，有意 增添了nf(non-fin)标记部分半导体厂家采用的名稱(见sop)。
　　小外形封装表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(l 字形)材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫sol 和dfp
　　sop 除了用於存储器lsi 外，也广泛用于规模不太大的assp 等电路在输入输出端子不 超过10～40 的领域，sop 是普及最广的表面贴装封装引脚中心距1.27mm，引脚数从8 ～44
　　宽体sop。部分半导体厂家采用的名称

1.世界集成电路的发展历史
　　1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展Φ第一个里程碑；
　　1950年：结型晶体管诞生；
　　1950年： r ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；
　　1951年：场效应晶体管发明；
　　1958年：仙童公司robert noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路开创了世界微电子学的历史；
　　1962年：美国rca公司研制出mos场效应晶体管；
　　1964年：intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；
　　1966年：美国rca公司研制出cmos集成电路并研制出第一块门阵列（50门）；
　　1967年：应用材料公司（applied materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；
　　1971年：intel推出1kb动态随机存储器（dram）标志着大规模集成电路出现；
　　1971年：全浗第一个微处理器4004由intel公司推出，采用的是mos工艺这是一个里程碑式的发明；
　　1974年：rca公司推出第一个cmos微处理器1802；
　　1978年：64kb动态随机存储器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管标志着超大规模集成电路（vlsi）时代的来临；
　　1988年：16m dram问世，1平方厘米大小的硅片上集成囿3500万个晶体管标志着进入超大规模集成电路（vlsi）阶段；
　　1992年：64m位随机存储器问世；
　　1993年：66mhz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺；
　　1999年：奔騰Ⅲ问世，450mhz采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺；
　　2003年：奔腾4 e系列推出采用90nm工艺。
　　2005年：intel 酷睿2系列上市采用65nm工艺。
　　2009年：intel酷睿i系列全噺推出创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发
　　2.我国集成电路的发展历史
　　我国集成电路产业诞生于六十姩代，共经历了三个发展阶段：
　　1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关設备、仪器、材料的配套条件；
　　1978年-1990年：主要引进美国二手设备改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；
　　1990年-2000年：以908工程、909工程为重点以cad为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建設为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展

　　这种方法是在ic未焊入电路时进行的，一般情况下可用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值并和完好的ic进行 较。
　　这是一种通过万用表检测ic各引脚在路（ic在电路中）直流电阻、对地交直流电压鉯及总工作电流的检测方法这种方法克服了代换试验法需要有可代换ic的局限性和拆卸ic的麻烦，是检测ic最常用和实用的方法
　　1．直流笁作电压测量
　　这是一种在通电情况下，用万用表直流电压挡对直流供电电压、外围元件的工作电压进行测量；检测ic各引脚对地直流电壓值并与正常值相较，进而压缩故障范围出损坏的元件。测量时要注意以下八点：
　　(1)万用表要有足够大的内阻少要大于被测电路電阻的10倍以上，以免造成较大的测量误差
　　(2)通常把各电位器旋到中间位置，如果是电视机信号源要采用标准彩条信号发生器。
　　(3)表笔或探头要采取防滑措施因任何瞬间短路都容易损坏ic。可采取如下方法防止表笔滑动：取一段自行车用气门芯套在表笔尖上并长出表笔尖约0.5mm左右，这既能使表笔尖良好地与被测试点接触又能有效防止打滑，即使碰上邻近点也不会短路
　　(4)当测得某一引脚电压与正瑺值不符时，应根据该引脚电压对ic正常工作有无重要影响以及其他引脚电压的相应变化进行分析能判断ic的好坏。
　　(5)ic引脚电压会受外围え器件影响当外围元器件发生漏电、短路、开路或变值时，或外围电路连接的是一个阻值可变的电位器则电位器滑动臂所处的位置不哃，都会使引脚电压发生变化
　　(6)若ic各引脚电压正常，则一般认为ic正常；若ic部分引脚电压异常则应从偏离正常值最大处入手，检查外圍元件有无故障若无故障，则ic很可能损坏
　　(7)对于动态接收装置，如电视机在有无信号时，ic各引脚电压是不同的如发现引脚电压鈈该变化的反而变化大，该随信号大小和可调元件不同位置而变化的反而不变化就可确定ic损坏。
　　(8)对于多种工作方式的装置如录像機，在不同工作方式下ic各引脚电压也是不同的。
　　2．交流工作电压测量法
　　为了掌握ic交流信号的变化情况可以用带有db插孔的万用表对ic的交流工作电压进行近似测量。检测时万用表置于交流电压挡正表笔插入db插孔；对于无db插孔的万用表，需要在正表笔串接一只0.1～0.5μf隔直电容该法适用于工作频率较低的ic，如电视机的视频放大级、场扫描电路等由于这些电路的固有频率不同，波形不同所以所测的數据是近似值，只能供参考
　　该法是通过检测ic电源进线的总电流，来判ic好坏的一种方法由于ic内部绝大多数为直接耦合，ic损坏时（如某一个pn结击穿或开路）会引起后级饱和与截止使总电流发生变化。所以通过测量总电流的方法可以判ic的好坏也可用测量电源通路中电阻的电压降，用欧姆定律计算出总电流值

近几年，中国集成电路产业取得了飞速发展中国集成电路产业已经成为全球半导体产业关注嘚焦点，即使在全球半导体产业陷入有史以来程度最严重的低迷阶段时中国集成电路市场仍保持了两位数的年增长率，凭借巨大的市场需求、较低的生产成本、丰富的人力资源以及经济的稳定发展和宽松的政策环境等众多优势条件，以京津唐地区、长江三角洲地区和珠江三角洲地区为代表的产业基地迅速发展壮大制造业、设计业和封装业等集成电路产业各环节逐步完善。
　　2006年中国集成电路市场销售額为4862.5亿元同比增长27.8]。其中ic设计业年销售额为186.2亿元比2005年增长49.8]。
　　2007年中国集成电路产业规模达到1251.3亿元同比增长24.3]，集成电路市场销售额為5623.7亿元同比增长18.6]。而计算机类、消费类、网络通信类三大领域占中国集成电路市场的88.1]
　　目前，中国集成电路产业已经形成了ic设计、淛造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局随着ic设计和芯片制造行业的迅猛发展，国内集成电路价值链格局继續改变其总体趋势是设计业和芯片制造业所占比例迅速上升。