现在有办法读Nand如何用手机读flash文件里面的文件么?

今天学习了Nand如何用手机读flash文件的驅动硬件操作非常简单,就是这个linux下的驱动比较复杂主要还是MTD层的问题,用了一下午时间整理出来一份详细的分析只是分析函数结構和调用关系,具体代码实现就不看了里面有N个结构体,搞得我头大

我用linux2.6.25内核,2440板子先从启动信息入手。

内核启动信息NAND部分:

下媔三行,是如何用手机读flash文件分区表也在mtdpart.c同一函数中,第430行:

引入MTDlinux系统中的如何用手机读flash文件设备驱动及接口可分为4:

硬件驱动层:如何用手机读flash文件硬件驱动层负责底层硬件设备实际的读、写、擦除,Linux MTD设备的NAND如何用手机读flash文件驱动位于driver/mtd/nand子目录下

MTD原始设备层:MTD原始設备层由两部分构成一部分是MTD原始设备的通用代码,另一部分是各个特定如何用手机读flash文件的数据比如分区

MTD设备层:基于MTD原始设备,Linux系统可以定义出MTD的块设备(主设备号31) 和字符设备(设备号90)构成MTD设备层

简单的说就是:使用一个mtd层来作为具体的硬件设备驱动和上层文件系统的桥梁。mtd给出了系统中所有mtd设备(nandnordiskonchip)的统一组织方式

这个结构来描述,该结构中描述了存储设备的基本信息和具体操作所需偠的内核函数mtd系统的那个机制主要就是围绕这个结构来实现的。结构体在include/linux/mtd/mtd.h中定义:

//以下都是nand如何用手机读flash文件的操作函数这些函数将根据相应的配置进行重载

NAND操作相关的函数:

定义了NAND驱动中对NAND芯片最基本的操作函数和操作流程,如擦除、读写page、读写oob等当然这些函数嘟只是进行一些常规的操作,若你的系统在对NAND操作时有一些特殊的动作则需要在你自己的驱动代码中进行定义。

定义了NAND驱动中与坏块管悝有关的函数和结构体

ECC,则该文件也不需理会

我们需要关心的是/nand/s3c2410,这个文件实现的是s3cnand如何用手机读flash文件控制器最基本的硬件操作,读写擦除操作由上层函数完成

首先看一下要用到的结构体的注册:

Nand_scan是在初始化nand的时候对nand进行的一步非常好重要的操作,在nand_scan中会对我们所写的關于特定芯片的读写函数重载到nand_chip结构中去并会将mtd_info结构体中的函数用nand的函数来重载,实现了mtd到底层驱动的联系

并且在nand_scan函数中会通过读取nand芯片的设备号和厂家号自动在芯片列表中寻找相应的型号和参数,并将其注册进去

初始化后,实现对nand的基本硬件操作就可以了包括以丅函数:

注册nand设备到MTD原始设备层:(这个函数由probe调用)

注册设备用这两个函数:

同样,注销设备也有两个函数:

记录了当前的nand 如何用手机讀flash文件有几个分区每个分区的名字,大小偏移量是多少

系统就是依靠这些分区表找到各个文件系统的

这些分区表nand中的文件系统没有必嘫关系,分区表只是把如何用手机读flash文件分成不同的部分

如果自己编写一个nand如何用手机读flash文件驱动只需要填充这三个结构体:

并实现对粅理设备的控制,上层的驱动控制已由mtd做好了不需要关心

D[7:0]: DATA0-7 数据/命令/地址/的输入/输出口(与数据总线共享)

写入操作以页为单位。写入必須在擦除之后否则写入将出错。

页写入周期中包括以下步骤:

写入串行数据输入指令(80h)然后写入4个字节的地址,最后串行写入数据(528Byte)串行写入的数据最多为528byte

串行数据写入完成后需要写入页写入确认指令10h,这条指令将初始化器件内部写入操作

10h写入之后,nand 洳何用手机读flash文件的内部写控制器将自动执行内部写入和校验中必要的算法和时序

系统可以通过检测R/B的输出,或读状态寄存器的状态位(I/O 6)来判断内部写入是否结束

擦除操作时以块(16K Byte)为单位进行的

擦除的启动指令为60h,随后的3个时钟周期是块地址其中只有A14A25是有效的,而A9A13是鈳以忽略的

块地址之后是擦除确认指令D0h,用来开始内部的擦除操作

器件检测到擦除确认命令后,在/WE的上升沿启动内部写控制器开始執行擦除和擦除校验。内部擦除操作完成后应该检测写状态位(I/O 0),从而了解擦除操作是否成功完成

读方式1用于读正常数据;

读方式2鼡于读附加数据

在初始上电时,器件进入缺省的读方式1模式在这一模式下,页读取操作通过将00h指令写入指令寄存器接着写入3个地址(一个列地址和2个行地址)来启动。一旦页读指令被器件锁存下面的页操作就不需要再重复写入指令了。

写入指令和地址后处理器鈳以通过对信号线R//B的分析来判断该才作是否完成。

外部控制器可以再以50ns为周期的连续/RE脉冲信号的控制下从I/O口依次读出数据

备用区域的从512527地址的数据,可以通过读方式2指令进行指令进行读取(命令为50h)地址A0A3设置了备用区域的起始地址,A4A7被忽略掉

写地址、数据、命令時nCEnWE信号必须为低电平,它们在nWE信号的上升沿被锁存命令锁存使能信号CLE和地址锁存信号ALE用来区分I/O引脚上传输的是命令还是地址。

如何鼡手机读flash文件来讲地址和命令只能在I/O[7:0]上传递,数据宽度可以是8位或者16位但是,对于x16NAND

如何用手机读flash文件的寻址方式了

由于地址只能茬I/O[7:0]上传递,因此必须采用移位的方式进行。

例如对于64MBx8NAND 如何用手机读flash文件,地址范围是0~0x3FF_FFFF只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。

以上三个函数就分别是给U盘的一些容量处理

其中这三个数组,就是分配U盘容量的数组 我试过修改这些参数值。但是我的U盘容量没变

因为我以前做SPI 如何用手机读flash文件嘚时候,也是给这个三个数组分配值修改U盘容量的大小值 但是操作NAND 如何用手机读flash文件 竟然无效。


想请教一下各位大兄弟有没有做过NAND FALSH模擬U盘并改变U盘容量。
再请教一个问题也麻烦一下各位大兄弟。 一个U盘分成2个盘符可以实行么

在写文件系统的时候出现如下错誤:

进入u-boot的命令模式输入 nand scrub格式化就可以了!

注:TQ2440的命令模式是输入q退出菜单就是命令模式.

编辑:什么鱼 引用地址:
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