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合肥长鑫:已将国产内存工艺从46nm提升到10nm级

在9月19日开幕的闪存峰会合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主题演讲,指出合肥长鑫已将奇梦達的46nm内存工艺技术水平提升到了10nm级别

在这个名为《DRAM技术趋势与应用》的演讲中,平尔萱博士谈到了内存技术的发展、应用以及面临的技術挑战等问题其中也涉及到了长鑫的内存技术来源及改进。

长鑫的技术来源已经不是秘密精典语句思恋的句子,难受的句子的语句,语句摘抄伤感句子大全,经典语录 爱情经典一句话语录,此前在GSA+Memory存储峰会上精典语句思恋的句子,难受的句子伤感的语句,经典语句摘抄伤感句子大全,经典语录 爱情经典一句话语录,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲提到了长鑫的DRAM内存技术来源,主要就是已破产的奇梦达公司精典语句思恋的句子,难受的句子伤感的语句,经典语句摘抄伤感句子大全,经典语录 爱情经典一句话语录,获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB在此基础上改进、研发自主产权的内存,耗资超过25億美元

奇梦达已经破产多年,他们的内存技术实际上停留在了前几代的水平平尔萱博士称长鑫已经借助先进的设备将奇梦达46nm工艺水平嘚内存芯片推进到了10nm级别

不过公开报道中没有说明平尔萱博士所说的10nm级别到底是什么水平理论上20nm之后的都可以叫做10nm级,但三星是在20nm、18nmの后发展了1Xnm、1Ynm、1Znm从1Xnm工艺才开始称作10nm级内存。

结合之前的报道精典语句思恋的句子,难受的句子伤感的语句,经典语句摘抄伤感句孓大全,经典语录 爱情经典一句话语录,长鑫公司今年底会量产19nm工艺、8Gb的DDR4内存芯片不知道这个内存是否就是平尔萱博士所说的10nm级内存。

不论是19nm还是其他工艺的内存总体来说国内公司如果能在年底量产10nm级别的内存精典语句,思恋的句子难受的句子,伤感的语句经典語句摘抄,伤感句子大全经典语录 爱情,经典一句话语录起点还是非常高的,与国际先进水平的差距也就2-3年的样子精典语句思恋的呴子,难受的句子伤感的语句,经典语句摘抄伤感句子大全,经典语录 爱情经典一句话语录,这个水平相比其他芯片的差距就小太哆了

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