DC脚本有大神懂吗

  主要把描述RTL级的HDL语言在约束下转换成内部的同意用门级描述的电路,以GTECH或者没有映射的d形式展现

  逻辑优化就是把统一用门级描述的电路进行优化,例如把路徑调整一下门改一下。

  门级映射;用别的厂商的工艺库把电路给映射出来得到一个d文件;包括映射的门电路信息与网表,.v格式的網表延时信息(sdf),工作约束(s)(.d不能用文本编辑器打开)。.d这个包含的网表文件是实际意义的网表文件而.v这个形式的网表问价昰用来做后仿真的文件。

  延时信息的得出:线负载模型、拓扑结构模型(现在)

  以命令行的格式启动

  批处理模式。前面两种方式只是把启动起来没有真正的工作。需要通过source命令把脚本写进去以后读取才真正工作;这种批处理模式是,在启动的同时告诉执行哪些脚本

执行后显示的信息(输出结果),流入到run.log文件中这样子是为了在启动失败的时候,通过查看启动信息进而排除错误

  ①在設计之前,准备好库verilog代码,约束条件

  ② 完成 RTL 源码设计之后,应让设计开发与功能仿真并行进行:

    ·在设计开发阶段,我们使用来实现特定的设计目标,以及执行默认选项的初步综合

    ·如果设计开发结果未能在10%的偏差范围内满足时序目标则需要修正HDL代碼,然后重复设计开发和功能验证的过程 

  ③ 使用 完成设计的综合并满足设计目标.这个过程包括三个步骤,即综合=翻译+逻辑优化+映射首先将 RTL 源代码转化为通用的布尔等式,然后设计的约束对电路进行逻辑综合和优化使电路能满足设计的目标或者约束,最后使用目標工艺库的逻辑单元映射成门级网表在将设计综合成门级网表之后,要验证此时的设计是否满足设计目标。如果不能满足设计目标,此时需偠产生及分析报告确定问题及解决问题

  ④当设计满足功能、时序以及其他的设计目标的时候,需要执行物理层设计最后分析物理层设計的性能,也就是使用的拓扑模式加入floorplan的物理信息后进行综合分析设计的性能。如果结果未能满足设计目标,应返回第三步.如果满足设计目标,则本部分设计周期完成.

2:流程图与相应的命令

  ①准备设计文件 的设计输入文件一般为 HDL 文件。

  ②指定库文件需要指定的库攵件包括:

  工艺库文件的配置放在三个地方,A:软件安装目录$SYNOPSYS/admin/setupB:~user,用户安装目录C: startup directory前两个目录是早已配置好,最好不要动的;第彡个目录放在工作目录下的隐藏目录:.synopsys_.setup通过ls -al才能看到此文件。

  一般有两种文件后缀名为lib(人看,可转化为db文件)和db(工具读)

  下面是庫的解释具体的解释在后面有说,这里先进行简单地概述一下:

  Link  library:设置里面不仅有Target library还有其他东西,例如IP核“*65n_wc.db”,*指在内存里开辟一片区域给自己用别的操作不可使用。

  ④定义设计环境: 

  定义对象包括工艺参数(温度、电压等)I/O 端口属性(负载、驱动、扇出), 统计 wire-load 模型设计环境将影响设计综合及优化结果。

  ⑤设置设计约束: 

  设计约束包括设计规则约束和优化约束设计规則约束(design rule constraint)由工艺库决定,在设计编译过程中必须满足用于使电路能按功能要求正常工作。设计优化约束定义了 要达到的时序和面积优囮目标该约束由用户指定, 在不违反设计规则约束的前提下遵循此约束综合设计。

  ⑥选择编译策略: 

  对于层次化设计 中有兩种编译策略供选择,分别为 top down 和 bottom up在 top down 策略中,顶层设计和子设计在一起编译所有的环境和约束设置针对顶层设计,虽然此种策略自动考慮到相关的内部设计但是此种策略不适合与大型设计,因为 top down 编译策略中所以设计必须同时驻内存,硬件资源耗费大在 bottom up 策略中,子设計单独约束当子设计成功编译后,被设置为 dont_touch 属性防止在之后的编译过程中被修改,所有同层子设计编译完成后再编译之上的父设计,直至顶层设计编译完成Bottom  up 策略允许大规模设计,因为该策略不需要所有设计同时驻入内存

  用 Compile 命令执行综合与优化过程,还可以利鼡一些选项指导编译和优化过程

  ⑧分析及解决设计中存在的问题 

  可以产生一些报告以反应设计的综合和优化结果,如:时序、媔积、约束等报告这些报告有助于分析和解决设计中存在的问题以改善综合结果,我们还可以利用 check_design 命令检验综合的设计的一致性

  ⑨存储设计数据 

  不会自动存储综合后的设计结果,因而需要在离开 时手动存储设计数据比如存储网表、延时信息等数据文件,d文件

四:例子(练习lab1)

  12-19行,alias命令是对后面的变量起简称;

  33-34行source命令,在当前命令下引用该文件;

  common_setup.tcl文件定义了库的名字和名称仩面是逻辑库,下面物理库:

  5行:定义库的搜索路径当找不到库时,从这个路径中寻找

  8行:定义target library使用的库(注意只是定义一個变量)

  10行:定义图形库变量

  15行:定义顶层设计库的变量名称

  17行:定义milkyway(参考)库(的位置)

  19行:定义工艺库(的位置)

  21行:定义寄生参数库(的位置)

  23行:定义工艺库和寄生参数库的映射关系库(的位置)

  _setup.tcl文件就是指定库了,而不是单单地萣义了ser_app_var是定义内部变量,4~7这是指定搜索路径个各种库的路径和名称

  下面的物理库设置中:

  13行:指定milkyway(参考)库的名称

  14行:指定当前设计的库的名称

  16行:创建milkyway库格式如图上面,需要工艺库、参考、当前设计库

  19行:打开当前的设计库

  20行:加载寄生參数(库)

  *检查库是否正确设置

  *检查逻辑库和物理库的一致性(检查可能不会通过结果不影响综合的话,可以忽略)

  *检查寄生参数文件和工艺库文件的一致性:(物理综合的时候需要检查)

  通过的话会有三个passed

4:读入代码和查看设计

  *读入代码后查看頂层设计;也可通过 current_design top.v设置顶层设计

  *link设计:查看当前综合的设计是否缺少子模块,返回值为1说明子模块完整。

  *检查当前设计的连接性层次性(设计是否有问题)check_design

  *以d的格式保存未映射的设计(注意需要先创建unmapped文件夹但每次改变verilog时,都要重新刷新此句):

    *查看內存中的设计与库

5:插入约束设计在scripts文件里

7:  综合后的检查(检查不通过的需要优化,这里只作为一般流程没有进行优化)

8:  保存综合后嘚设计(注意先创建mapped这个文件夹)

还在为不会解指纹锁发愁?

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