镁光nandflash怎么样flash后缀rb与b有何区别

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-07-24 01:49 标签： 镁光flash

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在Micron 2017年度的分析师会议上这家公司给出一些方向与目标。 没有任何新产品公布但2017年Micron这家公司的产品规划可能有一个大致方向，同时也包含下一代GPU用记忆体的规划

此外，Micron也在QLC NAND Flash部分有所投入但他们没有对此揭露太多资讯。

记忆体部分主要是GPU用的GDDR6以及制程的推进。

Micron预期会在2017年开始使用16nm（1Xnm）生产GDDR5记忆体泹确认时间不详，另外1Ynm与1Znm的制程也在进行中其中1Ynm会率先导入，时间点在2017下半年 SK Hynix在HBM记忆体的布局，Micron似乎没有任何回应但这家公司在GDDR5X与GDDR6囿着相当深的投入。

预计我们可以在2017年底或是2018年初见见到Micron在GDDR6领域的讯息

3D XPoint部分也相当低调，没有任何新资讯或是产品揭露

中级技术员, 积分 177, 距离下一级还需 123 積分

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中级技术员, 积分 177, 距离下一级还需 123 积分

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既然ECC能纠错概率就不算高。出现位翻转很正常ECC就是为此而生。

中级技术员, 积分 228, 距离下一级还需 72 积分

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中级技术员, 积分 228, 距离下一级还需 72 积分

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这个是工艺决定的NAND先天有这问题，好在有ECC

中级技术员, 积分 117, 距离下一级还需 183 积分

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中级技术员, 积汾 117, 距离下一级还需 183 积分

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问题是出现了不可纠正的ECC错误

中级技术员, 积分 117, 距离下一级还需 183 积分

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中级技术员, 积分 117, 距离下一级还需 183 积分

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初级工程师, 積分 2856, 距离下一级还需 144 积分

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初级工程师, 积分 2856, 距离下一级还需 144 积分

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你好我想问一下，你的nand flash出现几率有多大我写入一个快的数据，一块有128页有两个字节的1位翻转，这两个翻转字节分别位于不同的页中
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