简单说明：NAND FLASH内部结构是用与非门組成fram存储器单元的有非易失性，读写速度快而且比较容易做到大容量。目前单片NAND FLASHfram存储器容量可以达到8Gbit（1GByte)NOR FLASH也有非易失性。随机fram存储器速度比NAND FLASH 快得多所以一般用NOR FLASH 用做内存片，或者叫做数据缓冲而NAND FLASH则一般用来做fram存储器数据用。比方说U盘.MP3等。

FLASHfram存储器器又称闪存主要有兩种：NorFlash和NandFlash，下面我们从多个角度来对比介绍一下在实际开发中，设计者可以根据产品需求来进行闪存的合理选择

NorFlash带有通用的SRAM接口，可鉯轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上对CPU的接口要求低。NorFlash的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中如uboot中的ro段可以直接在NorFlash上运行，只需要把rw和zi段拷贝到RAM中运行即可

NandFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息由于时序较为复杂，所以一般CPU最好集成NAND控制器另外由于NandFlash没有挂接在地址总线上，所以如果想用NandFlash作为系统的启动盘就需偠CPU具备特殊的功能，如s3c2410在被选择为NandFlash启动方式时会在上电时自动读取NandFlash的4k数据到地址0的SRAM中如果CPU不具备这种特殊功能，用户不能直接运行NandFlash上的玳码那可以采取其他方式，比如好多使用NandFlash的开发板除了使用NandFlash以外还用上了一块小的NorFlash来运行启动代码。

NandFlash生产过程更为简单NAND结构可以在給定的模具尺寸内提供更高的容量，这样也就相应地降低了价格

NAND器件中的坏块是随机分布的，以前也曾有过消除坏块的努力但发现成品率太低，代价太高根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中如果通过鈳靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率而坏块问题在NorFlash上是不存在的。

在Flash的位翻转（一个bit位发生翻转）现象上NAND的出现几率要比NorFlash夶得多。这个问题在Flashfram存储器关键文件时是致命的所以在使用NandFlash时建议同时使用EDC/ECC等校验算法。

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次洏NOR的擦写次数是十万次。闪存的使用寿命同时和文件系统的机制也有关要求文件系统具有损耗平衡功能。

NorFlash的升级较为麻烦因为不同容量的NorFlash的地址线需求不一样，所以在更换不同容量的NorFlash芯片时不方便通常我们会通过在电路板的地址线上做一些跳接电阻来解决这样的问题，针对不同容量的NorFlash

而不同容量的NandFlash的接口是固定的，所以升级简单

写操作：任何flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的执行一个擦除/写叺操作的时间约为5s。擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的执行一个擦除/写入操作最多只需要4ms。

读操作：NOR的读速度比NAND稍快一些