从集成芯片型号上如何区分ttl与cmos和ttl的优缺点门电路

效应管构成TTL为双极晶体管构成

圍比较大(5~15V),

相差比较大、抗干扰性强TTL则相差小,抗干扰能力差

cmos和ttl的优缺点功耗很小TTL功耗较大(1~5mA/门)

cmos和ttl的优缺点的工作频率较TTL畧低,但是高速cmos和ttl的优缺点速度与TTL差不多相当

TTL门电路的空载功耗与cmos和ttl的优缺点门的静态功耗相比,是较大的约为数十毫瓦(mw)而后者僅约为几十纳(10-9)瓦;在输出电位发生跳变时(由低到高或由高到低),TTL和cmos和ttl的优缺点门电路都会产生数值较大的尖峰电流,引起较大的动态功耗

通常以为TTL门的速度高于“cmos和ttl的优缺点门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值电阻数值越大,工作速度越低管子的开关时间越长,门的工作速度越低门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“傳输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”做为器件性能的一个重要指标,其值越小表明器件的性能越 好(一般约为几十皮(10-12)焦耳)。与TTL门电路的情况不同影响cmos和ttl的优缺点电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CLCL是主要影响器件工作速度嘚原因。由CL所决定的影响cmos和ttl的优缺点门的传输延时约为几十纳秒

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