NAND供货持续紧缺影响，eMMC、SSD累积涨幅已达20%
由于Flash原厂2D NAND产出有限，3D NAND良率不高，而智能型手机和SSD对高容量需求增加，导致2016年NAND Flash市场一直处于紧张的供货状态，从而刺激闪存卡、eMMC、SSD等闪存产品价格持续走高。
据中国闪存市场ChinaFlashMarket综合价格指数显示，3月下旬NAND Flash价格就已有明显涨价的迹象，5月下旬开始价格持续走高，截止至9月底，NAND Flash综合价格指数涨幅已累积高达25%。
市场缺货，原厂NAND Flash供货有限是主因
由于Flash原厂三星、东芝/SanDisk、美光、SK海力士等2D NAND技术遭遇制程微缩的瓶颈，以至于2D NAND存储密度、产出量等提升有限。此外，三星为了扩大48层3D NAND产量，将Fab 16产线16nm 2D NAND改造成48层3D NAND，导致供给市场的2D NAND产能进一步减少。
3D NAND方面，Flash原厂虽然纷纷扩大或加快投入，但是大部分3D NAND量产良率都不高，影响了3D NAND产出量，而且3D NAND基于高容量和性能优势都将优先供给各厂商品牌SSD出货，三星3D NAND也仅供应给苹果256GB容量机型，所以上游原厂3D NAND对市场供应也是相当有限的。
苹果iPhone 7和旗舰机手机容量翻倍，持续大量消耗着2D NAND产能
2016上半年Galaxy S7、华为P9 Plus、小米5、乐视Max 2、vivo Xplay 5、OPPO R9 Plus等纷纷增加128GB容量，下半年新一轮新机上市，三星Note 7、小米5s/红米Pro、乐Pro3 华为荣耀 Note 8等同样搭配128GB容量，ZenFone3尊爵更是增加256GB容量，推动旗舰智能型手机主流容量从32GB起跳，平均容量则从2015年的40GB提升到60GB，持续大量消耗着2D NAND产能。
2016年最新旗舰机手机参数表
更值得注意的是，苹果发布的iPhone 7/7 Plus增加了256GB容量，由三星独家供应3D NAND芯片，同时128GB容量的生产比重也会增加，并且从32GB起跳。市场消息称苹果计划iPhone 7在2016年底目标出货量要达到1亿台，以iPhone 7容量分配256GB（15%）、128GB（60% ）、32GB（25%）来计算，苹果单凭iPhone 7就将消耗120亿GB的NAND Flash，让2D NAND产能供应更加紧缺。
NAND Flash缺货持续影响，闪存产品涨幅较大
2016年Flash原厂NAND Flash供应持续紧缺，Q3销售旺季，苹果、华为、小米、oppo等厂商新一轮新机上市，且容量倍增，再加上消费类TLC SSD需求强劲，原厂NAND Flash供应已无法满足市场需求，以目前市场情况而言，缺货还将持续。
中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示，闪存卡产品价格对市场供需最为敏感，早在3月下旬就有上涨的迹象，Micro SDHC(UHS I) 16GB(CL10)价格已从14.8元上涨至22.6元，涨幅已达到53%。Micro SDHC(UHS I) 32GB(CL10) 价格则从30.5元上涨至44.2元，涨幅已达到45%。
闪存卡历史价格走势
随着NAND Flash涨价行情的持续扩大，TLC SSD 120GB价格从5月下旬25美元的低点上涨至30美元，累积涨幅高达20%，240GB价格则从6月份最低点的44美元上涨至50美元，累积涨幅达14%。
9月27日SSD产品报价
SSD历史价格走势
嵌入式产品也从2016下半年开始，eMMC 16GB TLC价格由3.45美元上涨至4.1美元，累积上涨19%，eMMC 32GB TLC从7美元上涨至8美元，累积上涨14%。9月底主要供应商尚未更新最新市场策略，市场处于有价无市的状态，预计后期eMMC产品还有涨价的空间。
9月27日eMMC/eMCP产品报价
eMMC历史价格走势
推荐：电脑用的少，手机扫一扫，资讯快一步！
股市快讯 08-08 12:02当前位置：
下半年原厂新厂陆续投产 3D NAND竞赛对市场有何影响？
2016上半年原厂转产3D NAND，导致NAND Flash市场供不应求，市场价格也迎来了近2年来首次大涨。然而，随着原厂新工厂纷纷在下半年投入3D NAND量产，且3D技术向64层堆叠推进，预计2017年3D NAND将倾巢出笼，而厂商也将真正迎来3D NAND带来的挑战和机遇。
　　● SK海力士48层3D NAND已送样，3D技术大胆挑战72层堆叠　　SK海力士3D NAND以36层MLC为主，良率可达到90%，除了用于企业级SSD产品中，也正在积极导入嵌入式产品中应用，最新的UFS 2.1和eMMC5.1产品就是采用的SK海力士第二代36层3D NAND，均已进入量产阶段。　　据了解，SK海力士第三代48层3D NAND已给客户送样，2016年底将完成72层3D NAND研发，但以目前进度而言，SK海力士72层堆叠将有一定的挑战性。SK海力士目前主要是在韩国清州M11/12工厂生产，还计划将M14工厂二楼用于生产3D NAND，2017上半年投入生产，而且将投资15.5兆韩元新建一座存储器工厂，投产项目待定。　　● 美光3D技术或跳过48层堆叠，2017年直奔64层堆叠　　美光3D NAND主要是在新加坡工厂以32层量产，分别为L06B（MLC）和B0KB（TLC）。基于32层TLC 3D NAND，美光面向消费类市场推出了BX300系列和1100系列的3D SSD，最大容量可达2TB，搭载的是MarvellMarvell 1074。　　同时，美光也为移动设备推出了一款32GB容量的3D NAND解决方案，支持UFS 2.1规范协议，目前已经送样给移动客户端和合作伙伴，预计将在2016年底开始大量出货，届时将有高端智能型手机导入3D NAND应用。　　另一方面，为了在技术上赶超竞争对手，美光扩建的Fab 10x工厂开始量产，计划下一代3D技术略过48层，直接跳到64层，而且16nm 2D技术之后也将切换生产3D NAND，预计2017年美光3D NAND投产量也将进一步增加。　　● 英特尔基于3D Xpoint技术SSD将在2017年上市　　英特尔推出了首款用于数据中心存储的DC P3320系列3D SSD，最高容量为2TB，以及面向高端消费类市场应用的PCIe接口600P系列3D SSD，搭载的是慧荣SMI2260。更值得期待的是，英特尔与美光合作研发的3D Xpoint技术，集合了DRAM与NAND Flash数据存储的优势，较传统NAND Flash速度快1000倍、耐用性强1000倍，存储密度也较DRAM提高10倍。　　英特尔将在2017年基于3D Xpoint技术推出Optane系列SSD，还计划将Optane引进客户端市场，推出1TB-15TB的SSD产品。美光SSD则以QuantX来命名，将在2017年第2季推出相关产品。　　现在服务器数据存储与日俱增，对系统快速分析、响应数据的要求也在不断提升，基于3D Xpoint技术高性能优势，将最先用于企业级、数据中心存储。对于消费类市场而言，因为3D Xpoint昂贵的生产成本，所以短时间内很难应用在PC或笔记本上。　　主要Flash原厂技术时程图（Roadmap）　　　　主要Flash原厂3D技术简要　　　　中国大力发展，紫光联合大基金等成立长江存储科技，影响不可小觑　　中国不仅拥有庞大的消费内需，还有联想、华为、小米、OPPO等终端制造商，再加上中国物联网的快速发展，以及国家推动大数据和信息安全建设，2014年国家出台了《国家产业发展推进纲要》。在国家政策和大基金的扶持下，紫光集团联合国家投资基金股份有限公司等成立长江存储科技有限责任公司，武汉新芯是长江存储的全资子公司，重点发展存储器。　　紫光集团联合武汉新芯，不仅能够做到优势互补，还能避免重复投资和内部消耗，也代表着国内上下游产业链企业协同合作的一个开始。现在武汉新芯正在新建存储器产线，2018年投入生产，且计划以3D NAND技术为切入点，预计到2020年可形成月产能30万片的规模。　　紫光集团专注于存储产业资源上的布局，虽然入股西部数据最终事与愿违，但也试图与SK海力士、美光等在NAND Flash技术上的合作。紫光还制定了一项规模为300亿美元的投资计划，主攻制造，这对于中国产业的发展有着积极的推动作用，未来对NAND Flash市场的影响力也将不可小觑，在中国市场的竞争也将更加激烈。　　3D NAND趋势下以及控制芯片厂的支持，2017年将是3D SSD爆发期　　随着3D技术的快速发展，国际控制芯片厂Marvell早已分别针对SATA和PCIe接口推出88NV20、88SS60等SSD控制芯片，均采用28nm工艺，且第三代较为成熟的LDPC纠错技术，支持15nm TLC和3D TLC NAND，将P/E擦写提高到2000次，强化了TLC的使用寿命。　　台系控制芯片厂慧荣2016年初推出的SM2246EN仅支持3D MLC NAND和SATA接口，为了更好对3D NAND的支持，6月份推出了一款支持主流2D/3D TLC NAND以及SATA接口的SSD控制芯片SM2258，现在已出货给客户，8月份又针对PCIe接口推出了一款支持3D MLC/TLC的SSD控制芯片SM2260，完善了对3D NAND的支持。另外，群联也推出了支持3D NAND和PCIe接口的SSD控制芯片PS5008，同时还将S3110-S11T也升级为支持3D NAND。　　在3D NAND发展趋势下，以及Marvell、慧荣、群联等增加对3D NAND的支持，国内存储厂商江波龙推出了一款基于3D TLC NAND的3D SSD，搭载的是Marvell 1120控制芯片，预计9月份开始量产出货，威刚也发布了一款SU800系列3D SSD，预计金士顿、创见、影驰、金泰克等3D SSD产品不久也会陆续上市，预计2016年3D SSD仅占整体出货的20%左右，到2017年将迎来3D SSD爆发元年，3D SSD出货比例有望激增至40%。　　主要控制芯片厂支持3D NAND的SSD控制芯片参数表　　　　2016年主要的3D SSD产品参数表　　
&&&&&&&&&&
本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写，除OFweek官方账号外，观点仅代表作者本人，不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题，请联系举报。
邮箱/用户名：
忘记密码？
用其他账号登录： QQ
请输入评论
广东省/深圳市
四川省/成都市
广东省/深圳市
广东省/深圳市
广东省/深圳市
广东省/深圳市
北京市/海淀区
广东省/深圳市
广东省/深圳市
广东省/惠州市
*文字标题：
*纠错内容：
联系邮箱：
*验 证 码：固态硬盘涨价超50% 日韩供应商的“默契”行为？
关键字: 固态硬盘价格飙升固态硬盘等存储元器件涨价超50%存储元器件涨价
&“羊毛出在羊身上”，近来，闪存产品的长期供不应求让内存及固态硬盘（SSD）的价格一路看涨，这也让不少PC厂商开始吃不消了。此外，不少智能手机厂商甚至已经做出提价举动，而最后的买单者依然是消费者。那么，闪存产业被涨价、缺货等问题的根源是什么？在2017年内存市场又将会迎来怎样的变化？
据每日经济新闻6月20日报道，近日记者带着这些问题走访了深圳华强北十多家销售固态硬盘、内存条等内存产品的商家及业内人士，以期解开此轮涨价潮背后的原因。虽然市场认为大幅涨价的原因无非就是供需失衡，但也有部分业内人士表示，也不排除部分NAND Flash供应商有意为之的可能，“很难说这是不是部分日韩供应商‘默契’的涨价行为。”
准备自己装机的张先生最近很无奈，因为他到电脑市场发现固态硬盘（SSD）等又涨价了，“而且涨得好离谱，花同样的钱，去年能买到500G的今年可能只能买到250G了。”
近日，每日经济新闻记者对华南最大的电脑市场深圳华强北调查发现，自去年下半年以来，从固态硬盘到内存条，甚至是优盘，只要和存储相关的元器件都在涨价，有的涨幅超过50%。而原因无非是供应端和需求端的巨大变化：在供应端，三星等国际厂商把持着闪存颗粒（储存单元）的生产价格；在需求端，由于全球智能手机尤其是中国企业产量的突飞猛进造成了闪存颗粒需求的猛增。
由于闪存颗粒这一存储元器件的核心技术和生产都控制在三星等国际大厂手中，中国企业没有发言权，在强劲的需求带动下，上游厂家坐地起价，赚得盆盈钵满。这些上游产品的涨价在最终产品方面情况却不同，华为等相对有定价能力的智能手机企业纷纷推出高端手机，没有定价能力的传统PC厂家如联想、华硕以及消费者则只能成为待宰羔羊。
6月15日下午，记者在深圳华强北走访了十多家销售固态硬盘、内存条等内存产品的商家发现，各卖家在售的SSD等内存产品均出现了不同程度的涨价情况。多家热销品牌的销售人员向记者表示，这一年来，内存产品的价格涨幅很大。
在华强北赛格电子市场，一家“三星固态硬盘旗舰店”负责人表示，三星的固态硬盘从去年下半年开始到现在，涨幅都超过了50%以上，“原来225元的SSD现在400元，而原来380元的SSD现在570元。”
对于涨价的原因，上述负责人称，主要是因为供不应求。无论是固态硬盘还是其他存储元器件，存储单元几乎占据了整个SSD制造成本的70%以上，不夸张地说，选SSD实际就是在选择闪存颗粒。现在各大SSD厂商都在争夺稀缺的闪存颗粒，必然会在竞争中抬高NAND（计算机闪存设备）的出厂价，最终上涨的成本就由消费者来承担。
而在附近的其他主营SSD、高端内存的门店，记者了解到了类似情况。从业7年的销售人员张先生告诉记者，从去年下半年到现在，SSD等产品的价格一直在波动，虽然今年4月~5月份的价格出现了短暂回落，但是累计涨幅已经达到70%。
对于此前价格的回落，张先生认为，“因为SSD一直在涨价，所以部分经销商开始囤货，但价格上涨得太厉害，抑制了一部分消费，经销商为保证资金流动只好进行降价处理，不过他们的进货价格并没有下降（价格倒挂）。等经销商手里的货销售得差不多了，价格自然又上来了。从目前的趋势来看，第三季度应该还会上涨。”
存储元器件涨价 供需失衡还是日韩供应商“默契”联手？
从2016年第二季度开始，以SSD固态硬盘为代表，包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的整个内存行业，开始缓慢涨价。进入2017年后，涨价的势头并没有停止，整个存储行业反而掀起了新一轮的大幅涨价潮。
2015年~2016年上半年，120G/240G的SSD价格一度降至299元/399元，而512G的SSD也有不少低至599元。不过，好景不长，自2016年下半年开始，SSD的价格出现全面上调，涨幅超过市场预期。
近日，记者通过线下走访十多家销售商家以及采访业内人士了解到，固态硬盘等存储产品大幅涨价的原因是供需失衡。但也有部分业内人士认为，此轮涨价背后并非完全由市场供需决定，也不排除部分NAND Flash供应商有意为之的可能。
·供应端：主要厂商暂无增产计划
从供应端看，目前全球范围内从事NAND闪存颗粒的厂商有很多，但能够有市场定价能力的只有六家，他们分别是三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、英特尔（Intel）、海力士（SKhynix）、美光（Micron）和闪迪（SanDisk），这些企业很多在中国有生产企业，几乎垄断了全球大部分闪存市场。
从行业看，今年三星、东芝、美光、海力士等主要的内存大厂都没有增产计划，而是进行制程转换，目的是将主要产能从2D NAND制程转向生产3D NAND。2017年，三星新工厂Fab 17和Fab 18都将投入V-NAND生产，3D技术也将向64层提升。
中国闪存市场China Flash Market预计三星V-NAND生产比重在2017年一季度可达到45%，二季度将达到50%以上，在3D NAND爆发元年将有很大的市场竞争优势。
英特尔在2016年第三季度开始试产32层3D NAND，预计2017年中期转至64层量产；而2016年美光32层3D NAND MLC版本单Die容量32GB，TLC版本容量48GB，是目前除原厂品牌之外，市场3D SSD的主要货源之一，在3D NAND技术上，美光选择了跨过48层NAND闪存，计划在2017年直接量产64层 NAND颗粒；海力士自然也不例外，2017年海力士计划提升至72层3D NAND量产，公司将在一季度推出样品，并于二季度开始小批量生产，从堆叠层数来看，已经赶上甚至反超竞争对手。
虽然各个厂商都力图提高制程，但在切换的过程中，3D NAND量产严重不足，良率过低，而2D NAND产能也在下滑，这种局面造成全年内存都面临缺货的状况，供不应求也导致内存价格一路飙升。
行业咨询机构DRAM eXchange的数据显示，NAND闪存在2017年一季度供货依然紧张，NAND闪存芯片的平均价格在一季度上涨了20%~25%
长城证券在6月初的《电子元器件》周报的标题就是，“NAND闪存颗粒依旧供求，全球范围闪存价格持续上涨 ”。该周报认为，“要等到所有的闪存原厂在3D制程上实现了完全突破，良率获得大幅提升，几大原厂能够在同样的技术和成本体系下进行竞争，当前存储产品涨价情形可能会得到缓解。通过我们从市场了解到的情况来看，大部分闪存原厂都是在2017年开始量产基于最新堆叠层数的3D NAND技术产品，量产的产品经过最终封装和分发到存储厂商手中，然后经由存储厂商进行产品方案的选择和最终推出到市场，可能还会经历一段时间。因此当前的涨价趋势可能还会持续半年以上。”
·需求端：智能手机和服务器需求大增
在需求端，对于存储产品的需求越来越大，包括中国企业大量切入的智能手机市场、无人机市场，以及服务器市场。
首先是智能手机等数码产品容量的提升。目前，智能手机、笔记本、平板电脑等设备一直向大容量迈进，苹果、三星、华为、OPPO、VIVO等品牌的手机出货量都在千万级别，也加剧了闪存颗粒的稀缺。
二是由于目前固态硬盘技术越来越成熟、稳定，固态硬盘开始大规模应用在服务器市场。事实上，在传统的存储行业，一直存在着消费级市场和服务器级市场。一般来说，新兴的存储技术在消费级存储市场得到了充分验证，保证技术上的稳定后，服务器级市场便会开始大规模应用。
在固态硬盘技术处于2D NAND时代，服务器级市场几乎很少使用固态硬盘作为存储介质，但随着3D NAND Flash从无到有、从32层向64层堆叠，越来越多的服务器级市场开始进行产品的更新换代。而此前，Intel官方还在公开场合宣布，随着3D Xpoint的成熟，Intel将在2017年优先生产高速增长的数据中心应用的固态硬盘，而不是低成本的消费级固态硬盘。
三是新的应用需求出现，包括物联网、云计算、智能家庭和智能建筑，以及自驾车、无人机和机器人等新应用的流行，NOR Flash（非易失闪存技术）作为储存驱动程序码的储存装置被大量应用。但在扩产有限，需求不减反增的情况下，价格势必持续上扬。
·日韩供应商‘默契’涨价？
虽然市场方面认为内存大幅上涨的原因无非就是供需失衡，但也有部分业内人士对记者表示，此轮涨价背后并非完全由市场供需决定，也不排除部分NAND Flash供应商有意为之的可能——“很难说这是不是部分日韩供应商‘默契’的涨价行为。”
自去年下半年三星发生了Galaxy Note 7“爆炸门”事件以及实际掌门人受到腐败指控后，唱衰三星的声音不绝于耳。在外界看来，这些事件将导致三星的利润出现大幅下滑，但结果却出人意料。
4月27日，三星公布了2017第一季度的财报，公司取得50.55万亿韩元收入，同比增长1.5%；营业利润9.90万亿韩元，同比增长48.2%；而净利润为7.68万亿韩元，同比大涨46.3%。
原标题：固态硬盘等存储元器件涨价超50% 消费者成待宰羔羊
责任编辑:朱敏洁3D NAND良率是存储器报价最大关键
10:21:56来源: 集微网 关键字：&&
据海外媒体报道，去年下半年以来 Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进 NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。不过，随着3D NAND加速量产，下半年产能若顺利开出，将成为NAND Flash市场最大变数。2D NAND Flash制程持续往1y/1z纳米进行微缩，如三星及SK去年已转进14纳米，东芝及西部数据（WD）进入15纳米，美光导入16纳米等。但因芯片线宽线距已达物理极限，2D NAND技术推进上已出现，用1y/1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益，因此，NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND，但也因产能出现排挤，NAND Flash产出量明显减少，导致下半年价格强劲上涨。去年NAND Flash价格自第2季开始全面回升，涨势直达年底，主流的SSD价格涨幅超过4成，eMMC价格最高逼近6成，完成出乎市场意料。在此一情况下，原厂为了维持竞争优势，决定加速抢进3D NAND市场，而今年亦成为3D NAND市场成长爆发的一年，产能军备竞赛可说是一触即发。以各原厂的技术进展来看，三星去年进度最快已成功量产3D NAND，去年底出货占比已达35％，最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片，3D NAND的出货比重将在本季达到45％。另外，三星不仅西安厂全面量产3D NAND，韩国Fab 17/18也将投入3D NAND量产。包括东芝及WD、SK海力士、美光等其它业者，去年是3D NAND制程转换不顺的一年，良率直到去年底才见稳定回升，生产比重均不及1成。不过，今年开始3D NAND量产情况已明显好转，东芝及WD已开始小量生产64层芯片，今年生产主力将开始移转至64层3D NAND，除了Fab 5开始提高投片外，Fab 2将在本季转进生产64层3D NAND，Fab 6新厂将动土兴建并预估2018年下半年量产。SK海力士去年在36层及48层3D NAND的生产上已渐入佳境，M12厂已量产3D NAND，今年决定提升至72层，将在第1季送样，第2季进入小量投片，而韩国M14厂也将在今年全面进入3D NAND量产阶段。美光与合作的IM Flash已在去年进行3D NAND量产，去年底64层3D NAND已顺利送样，今年将逐步进入量产，F10x厂也会开始全面转向进行3D NAND投片。英特尔大陆大连厂则已量产3D NAND，并将在今年开始量产新一代XPoint。
关键字：&&
编辑：刘燚
引用地址：
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有，本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播，或不应无偿使用，请及时通过电子邮件或电话通知我们，以迅速采取适当措施，避免给双方造成不必要的经济损失。
关注eeworld公众号快捷获取更多信息
关注eeworld服务号享受更多官方福利
热门关键词
大学堂最新课程
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
热门资源推荐
频道白皮书
何立民专栏
北京航空航天大学教授，20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。