PVT,很全面的PVT文章 - 电子工程世界网
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PVT资料下载
。 输入评审：针对《项目任务书》和产品 SPEC 所进行的评审 EVT ：Engineering Verification Test，是由工程样机阶段向开发样机阶段 转换所必须的技术评审 DVT ：Development Verification Test，是由开发样机阶段向生产样机阶段 转换所必须的技术评审 PVT ：Production Verification Test，是由生产样机阶段向量...
PVT插补及位置伺服变加减速处理...
聚合物PVT参数采集系统的研究...
针对Fukushima提出的求解无约束最优化问题的同步并行转换算法(PVT)，提出一个整体异步并行算法，该算法去除了并行计算中同步与通信的开支。在一定的条件下，证明了该算法具有全局收敛性以及线性收敛速度。数值试验结果表明，异步PVT算法优于同步PVT算法。关键词：并行算法；非线性规划；同步...
|| | |with spce or | ||DCS | | |打勾TXP |打勾PFER ||PCS | | |打勾PVT |打勾PRFS ||TEST...
8960：调制普和开关普发信载频包络，是指发信机载频功率相对于时间的关系(PVT ) ；PVT主要是验证发信机发射的载频包络在一个时隙期间是否严格满足GSM规定的TDMA时隙幅度上升沿、下降沿及幅度平坦度要求。开关频谱与调制频谱开关谱是一个burst上升时的频谱，调制谱是调制信号稳定时的信号频谱开关谱是由于burst切换时产生的spurious调制谱是由于调制...
和互操作性，必须对移动台发射机的指标提出要求，这在ETSI GSM11.10系列规范中都有规定。|[pic] || | 图1 PVT 功率--时间模板为了达到规范要求，移动台发射机信号的上升沿和下降沿不能过于陡峭...
RFMD的手机RF调试方法二ContentCPG Customer AppsContent TX power/current PVT (Power Versus Time) ORFS (due to switching) ORFS (due to modulation) Phase error Conducted Spurious Emission...
Wireless Application 9 Introduction to WiMAX and 802.16 9 Key features of P-Series Power Meter and Sensor 9 P-Series WiMAX Measurements 9Power versus Time (PvT) 9CCDFGroup/Presentation Title Agilent...
Power Fail Peak Burst Power Fail PVT Match Fail Timing Error Fail Phase Error Peak Fail Phase Error RMS Fail Frequency Error Fail Spectrum due to Modulation Fail Spectrum due to Switching Fail Rx Quality...
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这两天ee水群里有网友刚刚从eagle转过来用altium design，在使用过程中遭遇各种反人类设计。
管管表示确实很多软件在设计的一些操作上很是违反人类习惯性行为甚至使一些操作更麻烦了。
比如AD上就有许多，网友们在使用altium designer的过程中觉得有哪些反人类设计呢？
（管管题外话：好像用着用着也习惯和麻木了）
在你的生活，工作中，又碰到过哪些反人类设计呢？？...
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TI教室给大家拜年啦特此举办一个看课程的小活动，觉得假期枯燥无聊的亲们可以从中找到一点精彩，想要新年礼物的亲们也可以来碰碰运气，重在掺和嘛，还有那些放寒假的童鞋们，可以从饭桌酒桌的应酬中，七大姑八大姨的询问、关怀、寒暄中偶尔抽离出来，学习下430，换个心情
活动时间：即日起至2月20日
活动流程：
从下方430精品课程列表中，选择任意感兴趣的课程，点击观看；将视频播放页面截图，并在本楼跟...
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无杂散动态范围& & & & 72 dBc
多域带宽& & & & 160 MHz
显示视图& & & &
密度频谱图
PvT（功率随时间的变化）频谱
PvT（功率随时间的变化）频谱图...
表及营销材料等。
这期间的时长取决于产品，即便使用现成的主控，新产品也可能花费长达1年的时间。如果是全新开发JetExrpess这样的主控，那可能花费数年时间。
P4阶段，也就是检验（validation）及认证（qualification）阶段，这部分主要包括EVT工程验证测试、DVT设计验证测试及PVT产品验证测试。其中EVT将在首个样品上验证它是否能在现实中如设计目标...
（1） 资深嵌入式工程师 5名
1、精通ARM和FPGA等编程，可独立开发过高级运动控制板卡，具有实时插补、轨迹控制、PVT控制等开发经验；
2、熟悉RTOS基本架构，有过RTOS开发经验，掌握多线程编程技术，具有Flash存储及文件系统的实际编程经验；
3、以核心主力主持过高端运动控制项目，具有5年以上工作经验；
4、研究生以上学历，有工作经验者优先；
5、工作地点：长沙...
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活动时间：即日起——9月11日
活动介绍：
1、在活动期间，选择以下活动课程【微控制器、ARM和DSP系列】【无线连线系列】【DLP系列】中你感兴趣的分类课程学习，将学习进度截图跟帖参与抢楼将有机会获得智能门磁一份！（每人可抢楼三次，但提交的课程要求不一样）
【微控制器、ARM和DSP系列】
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2、在TI 技术论坛发帖推荐你喜欢的课程&分...
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亚阈值SRAM+PVT波动检测与补偿设计.pdf 87页
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近年来，以智能手机和平板电脑为代表的大量移动设备的应用增长迅速，但
其普遍存在发热量过大和电池续航时问短的问题，这就给嵌入式芯片的低功耗设
计带来严重的挑战。由于静态随机存储器(SRAM)在系统芯片(SoC)上的容
量越来越大，SRAM所占的功耗在整个芯片中的比例也在不断上升，迫切需要解
决SRAM的功耗问题。传统的方法是伴随着工艺的进步，同时降低电源电压
(VDD)和阈值电压(Vth)的方法来满足性能和功耗要求，但逐渐增长的亚阂
值和栅漏流限制了这种降低，所以现在需要采用新的低功耗策略。
降低电源电压到阈值电压以下的设计，即亚阂值设计成为了一种潜在的低功
耗应用技术，且被大量设计所证实。降低电源电压会使功耗成平方下降，但其会
导致性能损失，然而在许多应用场景中，例如待机状态以及某些对性能要求不高
的产品中，其中包括传感器和医疗芯片等，这种性能损失是可以接受的。因此，
哑阈值的SRAM设计成为了解决系统存储器能耗的一个有效措施。
进入亚阈值区后，SRAM的设计面临了很大的挑战。由于亚阂值器件电流与
电源电压和阈值电压成指数关系，导致亚阈值电路的延时也与VDD和Vth成指
数关系，这就导致了电路的性能对工艺波动、电源电压噪声以及温度变化(PVT)
的极度敏感性。例如一个小的Vth波动，特别是由于工艺的随机掺杂波动(RDF)
导致的V。h波动，会带来较大的延时波动，可能使电路的功能发生错误，降低了
系统的良率。本文针对亚阈值SRAM受PVT波动的影响，主要研究了亚阈值
SRAM的PVT波动检测与补偿设计。主要的研究内容包括如下：
(1)常规超阂值电路设计中的PVT波动影响，分析了其中采用的波动检测
方法和后续的各种补偿方法：
(2)亚阈值SRAM设计所遇到的挑战，重点研究了其中的关键电路，如存
储单元和灵敏放大器的设计，并提出了本文的亚阈值SRAM设计；
(3)针对亚阈值SRAM受PVT波动的影响，本文创新地提出了基于其读
取延时波动检测和后续电源电压调节的补偿设计方法。
首先，本文构造了亚阈值SRAM的一个延时关键路径电路，利用这个电路
的工作状态来反映PVT波动对亚阈值SRAM读取延时的影响，然后利用延时检
亚闽值SRAMPVT波动检洲与补偿设汁
测电路，对位线压差建立延时进行检测，根据检测结果，通过编码电路给出不同
的补偿信息，最后利用低压差线性稳压器(LDO)来实现全局的电源电压调节以
补偿PVT的波动，并构成一个自适应调节系统。
通过对亚阈值SRAM以及PVT波动检测和补偿电路在不同工艺角的实验发
现，采用本文设计后，在较好工艺角下，PVT检测和LDO补偿电路的输出电源
电压最终稳定在300mV上，即亚阂值SRAM工作在最低的电源电压下，实现超
低能耗的稳定工作；而在最差SNSP(SlowNMOSSlowPMOS)工艺角下，最
终电源电压稳定在375mV，也可以实现在最差工艺角下的稳定工作；另外当温
度从．20～100℃之间波动时，采用本文的设计后，读取延时平均减小了64．4％，
标准差仅为未采用本文设计电路的17．3％，有效地缓解了亚阈值SRAM延时受
PVT波动的影响，缩短了读取周期时间；同时每周期平均能耗仅为未采用补偿
电路的24．34％，而PVT电路本身带来的额外能耗仅为4．38％，提高了能耗利用
关键词：低功耗设计，SRAM，亚阈值，PVT
themobile and
demandofmobile
fast，like
Recently,the
thesedevicesareall
heatissuesandshorted
battery—powered，brings
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采用MTK6225，PA:RF3266的手机PVT曲线上升沿fail（10us之前的那部分） ，会是什么原
该用户从未签到
[QUOTE]GSM900通过，余量也比较大
GSM1800，高功率时通过，低功率 fail,在level13,14,15等低功率级别都fail,如下图所示，META调了下DAC的值，没有很大改善，大家讨论下会是什么原因？
[upload=jpg]UploadFile/25@52RD_xunwen.JPG[/upload]
该用户从未签到
PA是RF3166,上面说错了，大家讨论指点下哈
签到天数: 3 天[LV.2]偶尔看看I
把APC dc offset设得低一些试下
签到天数: 1 天[LV.1]初来乍到
RF3166的 APC de offset一般为125，skyworks一般为90
该用户从未签到
我们曾经遇到过类似的问题，这种问题一般考虑几点
1。FEM得隔离，就是ramp没有启动，fem打开，此时pa得输出值
2。PA offset，
3。PA_on, FEM_on,RAMP得timing以及PA的供电系统
楼主说的meta修改DAC值，没有明显改善，这是对的。
楼主应该是修改了ramping得初始的值，但是图像显示no margin部分，往往FEM已经打开 ，
但是ramp还没有启动。所以，修改DAC 得值不能影响FEM得输出。
这个时候，修改PA的供电电容往往可以得倒不错效果。
该用户从未签到
我修改的是TX power level 值，这个没有改善，上面可能没有表述清楚，谢谢楼上的热心朋友，我试下换PA电容，有结果在上来报告哈：）
该用户从未签到
明显是时隙问题
该用户从未签到
是时序问题 调整一下L1文件
该用户从未签到
DC OFFSET 问题
该用户从未签到
首先RF3166不需要DC OFFSET值，不象SKYWORKS 这种流控的PA需要DC OFFSET。这种现象一般是收发隔离度的问题，也就是PA没有打开的时候，TC已经输出功率到PA，通过这个途径耦合到开关输出，导致10US之前功率偏大超标。解决的根本办法是提高收发隔离度，比如在LAYOUT提高收发隔离。也可以通过软件修改时序来解决，比如在上升沿的10US之后打开TC发射功率。或者更改开关的逻辑，避免10US这个时间开关就已经处于DCS发射或者接收状态，我就遇到过这样的情况。
签到天数: 1 天[LV.1]初来乍到
此类故障现象有可能是RX声表引起的
该用户从未签到
建议好好看看TX的开关时序：ASM开关时序，PAen开关时序。
该用户从未签到
用示波器多通道看看FEM,Vramp,TX_en等的时序
有问题就改软件
该用户从未签到
这种问题我也遇见过，多半是隔离的问题，可以把接受通路全部断开，在非信令模式下打发射，拿手或者镊子碰一下TR到PA之间的匹配来验证。如果真是隔离的问题，调时序不一定有用，可以试下FEM的电源加磁珠，或者调调PA的输入匹配。
如果超标不多，最直接的办法就是提高低功率等级功率，差不多就过了。
该用户从未签到
1.建议楼主看一下PA和天线开关的Timing。3166是在PA enable两个微秒后ramping起来。
2.断开接收在非信令模式下利用META推功率看看PVT有没有问题
3.检差layout 看看PA的收发隔离有没有做好
该用户从未签到
改timing, 把PA的打开时间晚一点就解决了
该用户从未签到
非时序问题，完全是隔离度问题，查layout....你这个从很早的时候就很高了 。
&&调时序，PT1打开晚的话，PLL锁不住，根本不可行。
&&隔离度 主要检查PA out/ASM out trace和Rx trace,TC out trace的隔离度
签到天数: 1 天[LV.1]初来乍到
请大家帮忙帮忙 低功率等级的PVT
[upload=jpg]UploadFile/16@52RD_截图10.jpg[/upload]
签到天数: 1 天[LV.1]初来乍到
这个问题如何解决呀，，低功率等级，只有PCS才出现问题，GSM DCS都没有
该用户从未签到
以下是引用jdbing2008在 11:42:57的发言：
[upload=jpg]UploadFile/16@52RD_截图10.jpg[/upload]
1：左边高需要在天线开关打开之前将其置于PCS接收状态。
2：中间高需要调整DC-offset
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