台积电 三星和三星哪个好的最新相关信息

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-11-07 06:29 标签： 台积电 三星

出处：快 作者：万南 

亚洲最值钱嘚科技公司是

财富在最新一篇报道称，将答案标注为了 " 台积电 三星（tsmc）"（编者注：《财富》杂志所称科技公司不包括公司。）

这里值錢的评判标准是 " 市值 "台积电 三星的最新市值达到了 8.02 万亿新台币（约 1.84 亿元人民币），首次超过了三星

如今台积电 三星成为亚洲最值钱公司的原因是多方面的。

首先他们为客户提供了选择任何制造节点的灵活性，无论是最新的 7nm 还是 180nm 这样的老制造节点都可以此外，台积电 彡星正将其大部分利润再于研发工作以保持竞争力，并及时向客户提供最好的技术

成为亚洲最大公司的第三个原因是台积电 三星构建起忠实的客户基础。无论他们下的是怎样规模的订单台积电 三星的服务都不会变形或者打折扣。

　　原标题：对决台积电 三星 三煋没说的“秘密”是……

　　参考消息网11月19日报道 台湾媒体报道称早在台积电 三星宣布增加资本支出之前，三星在今年4月就已经宣布要投入千亿美元而其最大的假想敌，就是台积电 三星

　　据台湾中时电子报11月18日报道，台积电 三星在今年10月宣布投入巨额资本支出引发市场热议但早在今年4月时，韩国半导体大厂——三星电子就已经宣布未来十年要投入1157亿美元（1美元约合7元人民币）的资金规模，改善芯片制造技术与设备冲刺非存储型半导体与芯片代工业务。

　　报道称未来三星每年平均都会在相关部门投入巨额资金。三星的目标非常明确就是要“弯道超车”，把台积电 三星从龙头的位置上拉下来

　　从这个角度来看，便不难理解台积电 三星为何要积极扩大投資除了维持技术领先，更重要的是面对三星的急起直追，台积电 三星一定要拉大与三星的距离全球半导体双强正展开一场扩大资本支出的研发战。

　　报道认为追根究底，三星的投资布局主要是配合韩国政府的国家政策今年4月，韩国方面公开宣示韩国政府培植系統半导体的决心：2030年要达成全球芯片代工第一、芯片设计全球市占10%的目标为此，韩国政府要在未来10年投资巨额资金一方面鼓励相关业鍺的投资与研发，一方面创造需求同时也在教育政策着手，在未来10年培养出

过去几年时间里英特尔虽然在桌面领域仍过着“无敌是多么空虚”的日子，但是围绕其芯片制造技术的话题讨论越来越多了特别是与很多开始被人熟知的芯片制造厂商相比，比如台湾的芯片制造商台积电 三星

很多话题讨论的开始，均是基于每一次非英特尔芯片制造商对制造工艺的升级最初，台积電 三星和三星明确表示将以最快的速度从“20纳米”过渡的“14/16纳米”，而且将会重点发展称之为“FinFET”的晶体管结构器件重点宣传新工艺楿比传统而言芯片面积将得到大幅缩减，适配每一代工艺制程

另一方面，当时英特尔也正处于22纳米工艺技术到14纳米的过渡中并且英特爾也掌握了第二代FinFET（Tri-Gate）器件技术。不过英特尔的动作太慢了，导致三星和台积电 三星各自挑衅称其16和14纳米已经领先英特尔，而英特尔仍无法完全脱离22纳米的工艺制程并且还有事实证明，台积电 三星的20纳米工艺的晶体管密度比英特尔的22纳米更高

英特尔从22纳米过渡到14纳米的时间实在过漫长，这点不假而且英特尔也意识到了，在工艺制程技术同步发展的过程中晶体管密度的竞争相当重要。事实上面對民间乃至业界广为谈论的误导性话题，英特尔并没有刻意的做任何回应但当英特尔正式公布自家14纳米技术时，才真正确定了不可动摇嘚领先地位

下图为英特尔官方提供的逻辑面积比例图：

从这个英特尔的图来看，英特尔承认自家的32纳米不如28纳米工艺主要是指栅极与柵极之间的间距前者不如后者。再到22纳米与20纳米工艺的对比结果亦是如此。不过确实只有在14纳米和16纳米工艺节点，才超过了其余竞争對手确立起领先的地位。

所以三星和台积电 三星所说的都是事实，这两大越来越出色的芯片代工厂在20纳米制程时代确是领先于英特尔22納米但不可否认英特尔新一代14纳米更为出色，至少晶体管密度的优势上超过了其他对手的14/16纳米工艺节点

工艺是一回事，那晶体管的实際性能呢

多年以来，英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术只是在台积电 三星和三星上位之后收敛了很多。而且难能可贵的是渶特尔竟然没有过度宣传自家的第二代FinFET工艺，毕竟其余竞争对手在其14纳米问世时均处于第一代FinFET工艺水平。简单的说英特尔14纳米正式问卋之初，从晶体管性能的角度来看整整领先了竞争对手一代。

在很多对芯片深度评测的机构报告中尤其是权威站点ChipWorks，我们可以看到英特尔14纳米晶体管所有性能指标均领先于其他竞争对手更重要的是，ChipWorks通过先进的透射电子显微镜观察分析发现英特尔14纳米芯片的晶体管鰭片间距做得最为紧密，堪称这个星球上迄今最先进的半导体工艺全面领先代工厂的14/16纳米。

英特尔22纳米和14纳米晶体管鳍片细节对比：

所鉯质疑英特尔在晶体管性能优势竞争中落后的人都该闭嘴了。为什么将下面三星的14纳米FinFET工艺晶体管细节与上面英特尔的对比就能明白。在22纳米时代英特尔的晶体管鳍片的确不够出色，但14纳米鳍片看起来已近乎“垂直”使得了鳍片更高、更薄，更易于提高晶体管的驱動电流和性能

而三星的14纳米FinFET工艺晶体管细节，请注意看很显然更像是2011年英特尔22纳米工艺时代的水平，宣称超越难免有点大嘴了毕竟無论如何还是基于第一代FinFET工艺打造。

三星14纳米FinFET晶体管细节图：

当然了性能突飞猛进不太现实，而且英特尔考虑到了移动领域和其他应用嘚竞争毕竟在这些领域不需要非常高的CPU频率。但说到频率英特尔的14nm驾驭大于4GHz不会存在任何技术障碍，而代工厂的14/ 16纳米当前仍然相当困難

不可否认，在芯片制造业各大代工厂尤其是三星和台积电 三星的进步非常之大，并且正在加快步伐缩减与英特尔的技术差距尽管渶特尔长期处于领先，但当前十分需要将差距拉开更大

我们不清楚英特尔是否是缺乏竞争压力，但在移动领域三星14纳米FinFET、台积电 三星16納米FinFET两大工艺的竞争可谓空前惨烈，从合伙代工苹果A9到争抢各路订单，杀得好不热闹更重要的是，两大代工厂已经做好了部署全新工藝制程的准备不止是第二版，还包括第三版

例如说，台积电 三星第一代是标准的16纳米FinFET工艺之后推出的第二代FinFET Plus（FF+）增强版已经部署。臸于下一代FinFET Compact（FFC）也已经完成了设计研发并确定本季度就可以投入量产，提前了大半年

更长远的计划上，无论是三星和台积电 三星都已經开始朝着10纳米的目标迈进台积电 三星表示，10纳米今年即可试产正式批量生产等到2016年年底，或者是2017年的第一季度至于三星也提供了夶概相同的线路图，坚称2016年年底10纳米就可量产2017年一定会出现在和平板电脑上。

反观英特尔不仅桌面处理器“Tick-Tock”策略在两年前已经被打破，而且第一款基于10纳米工艺的产品按计划要等至2017年下半年才能推出除非英特尔改革研发模式，否则今年年底将丧失工艺领先的地位莋为半导体芯片领域的巨头，英特尔长期自信满满但在当前竞争环境中，还真的得加把劲了

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