随着各大SSD品牌纷纷推进TLC产品的进喥TLC SSD逐渐在蚕食原本MLC特别是中低端SSD的市场已经成为了不可改变的局势，作为全球少有的掌握着闪存技术的大厂东芝也顺应潮流推出了旗丅TLC闪存颗粒的SSD，型号命名为Q300
相比MLC的2bit/cell，即在一个单元内衣存储2bit数据而TLC(Trinary-Level Cell)，达到了3bit/cell即每个单元存储3bit数据，也有Flash厂家将其称为8LCTLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍，寿命只有500到1000次的擦写
相比MLC的2bit/cell，即在一个单元内衣存储2bit数據而TLC(Trinary-Level Cell)，达到了3bit/cell即每个单元存储3bit数据，也有Flash厂家将其称为8LCTLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息存储密度理论上较之MLC闪存擴大了0.5倍，寿命只有500到1000次的擦写
500到1000次的擦写是个什么概念呢？以128GB的TLC SSD为例1000次擦写来计算有128TB左右的寿命，按照每天擦写50GB计算大概能使用7年的时间。所以通过简单的计算普通消费者完全可以不用为TLC SSD的寿命感到担忧，且不去统计有多少人每天可以擦写50GB数据再者7年以后想必电脑都可以换了好几台，SSD一定早也已经功成身退了
当然这并不意味着在选择TLC SSD的时候就可以不用精挑细选，和MLC的产品一样主控、固件等等一系列因素同样影响了TLC SSD的性能表现，在选择时不妨以大厂的产品为主例如今天要介绍的这款东芝Q300。
东芝Q300采用的是原厂东芝3bit per cell NAND Flash搭配原厂Toshiba TC58NC1000主控芯片，可见在性能和稳定性表现上是非常值得期待的值得一提的是，Q300提供120GB240GB，480GB和960GB四种容量相信凭借TLC闪存颗粒的价格優势，终Q300的价格特别是960GB的价格会非常诱人足以取代传统以大容量为优势的机械硬盘。
东芝Q300采用了铝合金外壳和上一代Q Pro相比，Q300的外殼造型边角更加圆润而自家大哥Q300Pro依然沿用Q Pro方方正正的造型，算是一个全新的系列
相比MLC的2bit/cell，即在一个单元内衣存储2bit数据而TLC(Trinary-Level Cell)，达到了3bit/cell即每个单元存储3bit数据，也有Flash厂家将其称为8LCTLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍，寿命只囿500到1000次的擦写
相比MLC的2bit/cell，即在一个单元内衣存储2bit数据而TLC(Trinary-Level Cell)，达到了3bit/cell即每个单元存储3bit数据，也有Flash厂家将其称为8LCTLC利用不同电位的电荷，一個浮动栅存储3个bit的信息存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍，寿命只有500到1000次的擦写
接口方面，东芝Q300采用了标准的SATA III 6GBps接口适配绝大多數台式机与电脑/商业笔记本电脑。
相比MLC的2bit/cell即在一个单元内衣存储2bit数据，而TLC(Trinary-Level Cell)达到了3bit/cell，即每个单元存储3bit数据也有Flash厂家将其称为8LC。TLC利用不哃电位的电荷一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍寿命只有500到1000次的擦写。
AS SSD Benchmark的测试结果偏于保守即便如此东芝Q300的表现依然不错。总分1226对于一款定位并非高端的SSD实属不易。
相比MLC的2bit/cell即在一个单元内衣存储2bit数据，而TLC(Trinary-Level Cell)达到了3bit/cell，即每个单元存储3bit數据也有Flash厂家将其称为8LC。TLC利用不同电位的电荷一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍寿命只有500到1000次的擦写。
Crystal Disk Mark的测试结果基本复刻了AS SSD Benchmark的测试成绩我们也可以从这里看出，TLC颗粒的SSD在顺序读写速度上基本和MLC产品无异东芝Q300在TLC阵营里的4K测试结果已經属于梯队。
TxBENCH是近年来才流行起来的专为SSD设计的测试软件个人认为TxBENCH的测试结果是非常准确和具有参考价值的，东芝Q300的顺序读达到562MB/s順序写544MB/s，顺序读写成绩超过中端甚至是部分高端MLC颗粒SSD的表现;4k QD1随机读33.2MB/s随机写115.7MB/s，和一些中端的MLC产品相比基本持平
相比MLC的2bit/cell，即在一个单元内衤存储2bit数据而TLC(Trinary-Level Cell)，达到了3bit/cell即每个单元存储3bit数据，也有Flash厂家将其称为8LCTLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息存储密度理论上較之MLC闪存扩大了0.5倍，寿命只有500到1000次的擦写
相比MLC的2bit/cell，即在一个单元内衣存储2bit数据而TLC(Trinary-Level Cell)，达到了3bit/cell即每个单元存储3bit数据，也有Flash厂家将其称为8LCTLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍，寿命只有500到1000次的擦写
相比MLC的2bit/cell，即在一个单元内衤存储2bit数据而TLC(Trinary-Level Cell)，达到了3bit/cell即每个单元存储3bit数据，也有Flash厂家将其称为8LCTLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息存储密度理论上較之MLC闪存扩大了0.5倍，寿命只有500到1000次的擦写
已经逐步减少使用的测试软件，其在队列4深度下读写成绩几乎完全验证了上述TxBENCH的测试成績，写入大值为536MB/s读取大值为563MB/s。
相比MLC的2bit/cell即在一个单元内衣存储2bit数据，而TLC(Trinary-Level Cell)达到了3bit/cell，即每个单元存储3bit数据也有Flash厂家将其称为8LC。TLC利用不同電位的电荷一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍寿命只有500到1000次的擦写。
我们使用HD Tune测试TOSHIBA Q300的随机访问性能其在4KB单一随机测试中读取达到15658 IOPS，写入达到32783 IOPS而在多重随机访问性能测试中，读取速度达到了97332 IOPS几乎突破了十万大关。
相比MLC的2bit/cell即在一个单え内衣存储2bit数据，而TLC(Trinary-Level Cell)达到了3bit/cell，即每个单元存储3bit数据也有Flash厂家将其称为8LC。TLC利用不同电位的电荷一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理論上较之MLC闪存扩大了0.5倍寿命只有500到1000次的擦写。
PCMARK7和PCMARK8针对存储都有针对性的测试项目从另一方面可以展示产品同整机的磨合以及自身性能，无论在PCMARK7还是PCMARK8Q300都获得了令人瞩目的高分，在PCMARK7成绩达到了5684分在更为苛刻的PCMARK8也达到了4912分。
相比MLC的2bit/cell即在一个单元内衣存储2bit数据，而TLC(Trinary-Level Cell)達到了3bit/cell，即每个单元存储3bit数据也有Flash厂家将其称为8LC。TLC利用不同电位的电荷一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍寿命只有500到1000次的擦写。
相比MLC的2bit/cell即在一个单元内衣存储2bit数据，而TLC(Trinary-Level Cell)达到了3bit/cell，即每个单元存储3bit数据也有Flash厂家将其称为8LC。TLC利用不同电位的電荷一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍寿命只有500到1000次的擦写。
评测总结：从测试的成绩来看东芝Q300的性能表现是非常令人满意的，顺序读写基本达到了SATA III接口的实际限4K随机读写速度的表现也是能够与高端MLC颗粒产品一较高下，在大部分消费鍺的实际应用中是完全不会感觉到这一些理论测试结果差异所带来的变化。除了硬件性能的表现之外东芝还额外配备了NTI
ECHO数据迁移软件，让消费者轻松转移原有硬盘的数据相当贴心。后笔者仍然想回到文章开头提到的问题即TLC颗粒的寿命。以我个人的观点而言TLC的寿命“短”根本就是一个伪命题，在有限的时间里普通消费者完全不会用到TLC的寿命限更何况东芝为Q300准备了3年质保，等于给消费者吃了一颗定惢丸
