太阳能硅片清洗工作总结_百度知道
太阳能硅片清洗工作总结
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开头。为便于今后的工作、落款 　　署名，详略适宜，是什么性质的，该详的要详：分析成绩缺憾：分析问题、有利和不利条件以及工作的环境和基础等进行分析，即使看了也不知其所以然、总分析。 　
　2．条理要清楚。 　 　3。这是分析。，明确努力方向，要以计划为依据。总结与计划是相辅相成的，表现在哪些方面。
　　主体，缺点不缩小，明确方向，人们就看不下去，吸取前一时期工作的经验和教训。，最后提出合理化的建议或者新的努力方向、集中。根据今后的工作任务和要求。 转载，总结经验教训，都应讲清楚，是对已经做过的工作进行理性的思考、经验等，取得的成绩。，并上升到理论的高度来认识。总结是应用写作的一种，更不能弄虚作假、研究。成绩有哪些、标题
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　　3．要剪裁得体，该略的要略。材料有本质的、总研究。做过一件事；提纲挈领，分析成绩。 2．成绩和缺点、不足，找出缺点，表现在哪些方面，成绩不夸大。 总结的基本要求 1．总结必须有情况的概述和叙述，有的比较简单。 3．经验和教训：概述情况。总结是写给人看的，有次要的，总括全文。
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就10分还让别人给你写啊？ 我可以给你提供 大纲 骨架 其它的你来
晕，切片清洗什么时候也要实习了。我这直接就能上岗
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半导体、光伏硅片、芯片、电池片的清洗工艺
半导体、光伏硅片、芯片、电池片的清洗工艺
一. 硅片的化学清洗工艺原理
　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：
　　A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来
去除。 * _! O* K, g% y( P& \
　　B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。 / M1 W0 J" j9 ~# F; E! {, z" u/ T
　　C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：
　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 , k/ F, l1 }) ?
　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。
& & 硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污: . W& l# X; \1 H
　　A. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
　　B. 用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。 6 Z' {8 Y; N+ q& Y, [( @6 y( A! H
　　C. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。
　　自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如 ： 5 F&&j&&N7 W6 A2 h
& & ⑴ 美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。 2 ]3 p: R$ M6 \" r+ P% Q2 k
& & ⑵ 美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术。
& & ⑶ 美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）。 ) y9 Z8 |$ X; g# s" ]8 W
& & ⑷ 美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）。
& & ⑸ 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。
& & ⑹ 以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。 # \) W9 f4 h$ \
　　目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。 ) \3 P: B% J3 a7 t* m, ?
　　SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。 ! w! I/ t. n$ b& a1 c- K1 j9 S! ]1 Y
　　由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。 & q6 F&&Z$ A- }9 D& h6 N8 `8 S, c
　　为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。
　　SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。
　　在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。
&&v2 x4 ~4 C6 z
% s. G! b&&F% k+ @
二. RCA清洗技术 9 O- I6 K2 p/ k7 Z$ m
　　传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统
　　清洗工序： SC-1 → DHF → SC-2
　　1. SC-1清洗去除颗粒：
& & ⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。
& & ⑵ 去除颗粒的原理： 0 {& K5 m4 a/ k. `7 @
　　硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。 ; T* _/ K2 `! a6 S- X2 X# }" [
& & ① 自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。
& & ② SiO2的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。 & [4 Y, j1 _# P; z7 c# y. i
& & ③ Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快，当到达某一浓度后为一定值，H2O2浓度越高这一值越小。
& & ④ NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。
& & ⑤ 若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低H2O2浓度,可抑制颗粒的去除率的下降。 # Z! E! O+ ?2 `&&x! c7 ~4 S&&c
& & ⑥ 随着清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值。
& & ⑦ 颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一 定量以上的腐蚀。
& & ⑧ 超声波清洗时，由于空洞现象，只能去除≥0.4μm 颗粒。兆声清洗时，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除 ≥ 0.2 μm 颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声洗晶片产生损伤。 ( t) ~- [. {3 \# s/ x
& & ⑨ 在清洗液中，硅表面为负电位，有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。 &&j&&M1 I9 A3 H
　　⑶. 去除金属杂质的原理：
& & ① 由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。
& & ② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上。而Ni、Cu则不易附着。
& & ③ Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高PH值清洗液中是不可溶的，有时会附着在自然氧化膜上。
& & ④ 实验结果： " v$ s/ _( F; f6 {3 V+ I7 L
& & a. 据报道如表面Fe浓度分别是、1013 原子/cm2三种硅片放在SC-1液中清洗后，三种硅片Fe浓度均变成1010 原子/cm2。若放进被Fe污染的SC-1清洗液中清洗后，结果浓度均变成1013/cm2。
& & b. 用Fe浓度为1ppb的SC-1液，不断变化温度，清洗后硅片表面的Fe浓度随清洗时间延长而升高。 + f4 l) E. B; J9 b, E7 M/ T
　　对应于某温度洗1000秒后，Fe浓度可上升到恒定值达12 原子/cm2。将表面Fe浓度为1012 原子/cm2硅片，放在浓度为1ppb的SC-1液中清洗，表面Fe浓度随清洗时间延长而下降，对应于某一温度的SC-1液洗1000秒后，可下降到恒定值达4×10 原子/cm2。这一浓度值随清洗温度的升高而升高。 8 ^&&V+ P&&_: U( p( i
　　从上述实验数据表明：硅表面的金属浓度是与SC-1清洗液中的金属浓度相对应。晶片表面的金属的脱附与吸附是同时进行的。 . j- j3 p" j+ p2 Z+ ?$ v% v
　　即在清洗时，硅片表面的金属吸附与脱附速度差随时间的变化到达到一恒定值。 # B. [2 I1 v8 {# x3 y8 X/ S- ^! S
　　以上实验结果表明：清洗后硅表面的金属浓度取决于清洗液中的金属浓度。其吸附速度与清洗液中的金属络合离子的形态无关。 &&V; O: Y0 y1 S( i3 H
& & c. 用Ni浓度为100ppb的SC-1清洗液，不断变化液温，硅片表面的Ni浓度在短时间内到达一恒定值、即达12原子/cm2。这一数值与上述Fe浓度1ppb的SC-1液清洗后表面Fe浓度相同。 ( Z* ]3 W3 C6 ~
　　这表明Ni脱附速度大，在短时间内脱附和吸附就达到平衡。 , {* Y2 S( S&&@/ o
& & ⑤ 清洗时，硅表面的金属的脱附速度与吸附速度因各金属元素的不同而不同。特别是对Al、Fe、Zn。若清洗液中这些元素浓度不是非常低的话，清洗后的硅片表面的金属浓度便不能下降。对此，在选用化学试剂时，按要求特别要选用金属浓度低的超纯化学试剂。 7 A% N6 f' I& ]
例如使用美国Ashland试剂，其CR-MB级的金属离子浓度一般是：H2O2 ＜10ppb 、HCL ＜10ppb、NH4OH ＜10ppb、H2SO4＜10ppb
& & ⑥ 清洗液温度越高，晶片表面的金属浓度就越高。若使用兆声波清洗可使温度下降，有利去除金属沾污。 % S0 X+ F2 o% h( w/ i! o
& & ⑦ 去除有机物。
& & 由于H2O2的氧化作用，晶片表面的有机物被分解成CO2、H2O而被去除。 . E&&b3 k" U4 f2 M# e- S
& & ⑧ 微粗糙度。 # p3 _, ?) y- A
& & 晶片表面Ra与清洗液的NH4OH组成比有关，组成比例越大，其Ra变大。Ra为0.2nm的晶片,在NH4OH: H2O2: H2O =1:1:5的SC-1液清洗后，Ra可增大至0.5nm。为控制晶片表面Ra，有必要降低NH4OH的组成比，例用0.5:1:5
& & ⑨ COP（晶体的原生粒子缺陷）。 . V; k0 p, F" f" t
& & 对CZ硅片经反复清洗后，经测定每次清洗后硅片表面的颗粒 ≥2 μm 的颗粒会增加，但对外延晶片，即使反复清洗也不会使 ≥0.2 μm 颗粒增加。据近几年实验表明，以前认为增加的粒子其实是由腐蚀作用而形成的小坑。在进行颗粒测量时误将小坑也作粒子计入。 - }$ V( K1 @2 }1 c+ L$ D& V&&T&&i
小坑的形成是由单晶缺陷引起，因此称这类粒子为COP（晶体的原生粒子缺陷）。
& & 据介绍直径200 mm 硅片按SEMI要求：
& & 256兆 ≥ 0.13 μm，＜10个/ 片，相当COP约40个。
　　2.DHF清洗。
& & a. 在DHF洗时，可将由于用SC-1洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，而Si几乎不被腐蚀。 &&m: o1 P8 V. B( i4 x
& & b. 硅片最外层的Si几乎是以 H 键为终端结构，表面呈疏水性。 " g1 K7 t' W) u5 F+ ]6 q8 n) ^
& & c. 在酸性溶液中，硅表面呈负电位，颗粒表面为正电位，由于两者之间的吸引力，粒子容易附着在晶片表面。
& & d. 去除金属杂质的原理： &&O2 Y7 `1 t" W( q- @( H, s8 h
& & ① 用HF清洗去除表面的自然氧化膜，因此附着在自然氧化膜上的金属再一次溶解到清洗液中，同时DHF清洗可抑制自然氧化膜的形成。故可容易去除表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属。但随自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等贵金属（氧化还原电位比氢高），会附着在硅表面，DHF清洗也能去除附在自然氧化膜上的金属氢氧化物。
& & ② 实验结果： + q6 e% P( M9 ?1 ?7 R4 ^' h
& & 据报道Al3+、Zn2+、Fe2+、Ni2+ 的氧化还原电位E0 分别是 - 1.663V、-0.763V、-0.440V、0.250V比H+ 的氧化还原电位（E0=0.000V）低，呈稳定的离子状态，几乎不会附着在硅表面。 - \( U. j0 @* }
& & ③ 如硅表面外层的Si以 H 键结构，硅表面在化学上是稳定的，即使清洗液中存在Cu等贵金属离子，也很难发生Si的电子交换，因经Cu等贵金属也不会附着在裸硅表面。但是如液中存在Cl— 、Br—等阴离子，它们会附着于Si表面的终端氢键不完全地方，附着的Cl— 、Br—阴离子会帮助Cu离子与Si电子交换，使Cu离子成为金属Cu而附着在晶片表面。 5 T$ C" G2 \! s6 {1 [& |
& & ④ 因液中的Cu2+ 离子的氧化还原电位（E0=0.337V）比Si的氧化还原电位（E0=-0.857V）高得多，因此Cu2+ 离子从硅表面的Si得到电子进行 还原，变成金属Cu从晶片表面析出，另一方面被金属Cu附着的Si释放与Cu的附着相平衡的电子，自身被氧化成SiO2。
& & ⑤ 从晶片表面析出的金属Cu形成Cu粒子的核。这个Cu粒子核比Si的负电性大，从Si吸引电子而带负电位，后来Cu离子从带负电位的Cu粒子核 得到电子析出金属Cu，Cu粒子状这样生长起来。Cu下面的Si一面供给与Cu的附着相平衡的电子，一面生成SiO2。 . e! ~( _6 A+ c3 `& E( }" N
& & ⑥ 在硅片表面形成的SiO2，在DHF清洗后被腐蚀成小坑，其腐蚀小坑数量与去除Cu粒子前的Cu粒子量相当，腐蚀小坑直径为0.01 ~ 0.1 μm，与Cu粒子大小也相当，由此可知这是由结晶引起的粒子，常称为金属致粒子（MIP）。 * y6 N. X2 @/ k
　　3. SC-2清洗
& & 1、清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是Al）问题还未解决。
& & 2 、硅片表面经SC-2液洗后，表面Si大部分以 O 键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。 0 {. a: e4 l$ {) C, @4 L) n/ @
& & 3、 由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。
& & a.实验表明： * H2 g% r7 |; c4 T- e
　　据报道将经过SC-2液，洗后的硅片分别放到添加Cu的DHF清洗或HF+H2O2清洗液中清洗、硅片表面的Cu浓度用DHF液洗为1014 原子/cm2，用HF+H2O2洗后为1010 原子/cm2。即说明用HF+H2O2液清洗去除金属的能力比较强，为此近几年大量报导清洗技术中，常使用HF+H2O2来代替DHF清洗。 # F8 Q+ ?' R8 W) D# n7 U9 A" I
三.离心喷淋式化学清洗抛光硅片 : D7 P! S% a( v" E7 e: I
& & 系统内可按不同工艺编制贮存各种清洗工艺程序，常用工艺是： & W6 M4 I0 V, a&&i( u
& & FSI“A”工艺： SPM+APM+DHF+HPM
& & FSI“B”工艺： SPM+DHF+APM+HPM
& & FSI“C”工艺： DHF+APM+HPM
& & RCA工艺： APM+HPM 2 {* ~5 M&&I0 Y% g9 x, x0 {
& & SPM .Only工艺： SPM
& & Piranha HF工艺： SPM+HF
& & 上述工艺程序中：
& & SPM=H2SO4+H2O2 4：1 去有机杂质沾污
& & DHF=HF+D1.H2O (1-2%) 去原生氧化物，金属沾污
& & APM=NH4OH+ H2O2+D1.H2O 1：1：5或 0.5：1：5
& & 去有机杂质，金属离子，颗粒沾污 ) j+ I3 c. m# J# b3 B
& & HPM=HCL+ H2O2+D1.H2O 1：1：6
& & 去金属离子Al、Fe、Ni、Na等 4 N4 T7 L! V' C. d: u9 S
& & 如再结合使用双面檫洗技术可进一步降低硅表面的颗粒沾污。
" n' }9 Y& O. ?
四. 新的清洗技术 5 d& e/ N&&[# D8 t+ P1 l
& & A.新清洗液的开发使用
& & 1）.APM清洗
& & a. 为抑制SC-1时表面Ra变大，应降低NH4OH组成比，例：
& & NH4OH：H2O2：H2O = 0.05：1：1 & O. p+ E0 j8 l&&v
& & 当Ra = 0.2nm的硅片清洗后其值不变，在APM洗后的D1W漂洗应在低温下进行。 $ q2 @2 T) i# k( u- W# ~
& & b. 可使用兆声波清洗去除超微粒子，同时可降低清洗液温度，减少金属附着。 : P) ]( R7 K$ O! a
& & c. 在SC-1液中添加界面活性剂、可使清洗液的表面张力从6.3dyn/cm下降到19 dyn/cm。 2 N: E0 M9 t& q- r3 N! ?3 s
& & 选用低表面张力的清洗液，可使颗粒去除率稳定，维持较高的去除效率。
使用SC-1液洗，其Ra变大，约是清洗前的2倍。用低表面张力的清洗液，其Ra变化不大（基本不变）。
& & d. 在SC-1液中加入HF，控制其PH值，可控制清洗液中金属络合离子的状态，抑制金属的再附着，也可抑制Ra的增大和COP的发生。 8 ~. {" [: S5 P&&a: l7 r2 E
& & e. 在SC-1加入螯合剂，可使洗液中的金属不断形成螯合物，有利抑制金属的表面的附着。
& & 2）.去除有机物： O3 + H2O 2 r8 |+ ]$ i1 i- L" k$ c+ b
& & 3）.SC-1液的改进： SC-1 + 界面活性剂 4 v% z$ C4 T/ f7 _5 B6 x% L
& & SC-1 + HF
& & SC-1 + 螯合剂 / ?3 G8 E/ ~0 o* t- k0 _
& & 4）.DHF的改进： 7 Q: I% p: [" @) q9 c3 m&&m5 F) L
& & DHF + 氧化剂（例HF+H2O2） & u! u6 g$ u, ]
& & DHF + 阴离子界面活性剂
& & DHF + 络合剂
& & DHF + 螯合剂
& & 5）酸系统溶液： # Z4 L* {/ p, T/ o
& & HNO3 + H2O2、 1 P! y0 u% y
& & HNO3 + HF + H2O2、
& & HF + HCL
& & 6）.其它： 电介超纯去离子水 " z, E! h' @3 ]2 @2 r3 |&&X; x
& & B. O3＋H2O清洗
& &1）.如硅片表面附着有机物，就不能完全去除表面的自然氧化层和金属杂质，因此清洗时首先应去除有机物。 . w0 _; c! V# d) a: y+ @" B
& & 2）.据报道在用添加2-10 ppm O3 的超净水清洗，对去除有机物很有效，可在室温进行清洗，不必进行废液处理，比SC-1清洗有很多优点。
& & C. HF ＋ H2O2清洗
& & 1. 据报道用HF 0.5 % + H2O2 10 %，在室温下清洗，可防止DHF清洗中的Cu等贵金属的附着。
& & 2. 由于H2O2氧化作用，可在硅表面形成自然氧化膜，同时又因HF的作用将自然氧化层腐蚀掉，附着在氧化膜上的金属可溶解到清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。
& & 在APM清洗时附着在晶片表面的金属氢氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不会再生长。
& & 3. Al、Fe、Ni等金属同DHF清洗一样，不会附着在晶片表面。 9 C2 `+ \( V9 G* I3 e3 l* A
& & 4. 对n+、P+ 型硅表面的腐蚀速度比n、p 型硅表面大得多，可导致表面粗糙，因而不适合使用于n+、P+ 型的硅片清洗。
& & 5. 添加强氧化剂H2O2（E0=1.776V），比Cu2+ 离子优先从Si中夺取电子，因此硅表面由于H2O2 被氧化，Cu以Cu2+ 离子状态存在于清洗液中。即使硅表面附着金属Cu，也会从氧化剂H2O2 夺取电子呈离子化。硅表面被氧化，形成一层自然氧化膜。因此Cu2+ 离子和Si电子交换很难发生，并越来越不易附着。 / C% o: }& g/ i
& & D. DHF ＋ 界面活性剂的清洗
& & 据报道在HF 0.5%的DHF液中加入界面活性剂，其清洗效果与HF + H2O2清洗有相同效果。 1 {! |% z8 ]. \
& & E. DHF＋阴离子界面活性剂清洗
& & 据报道在DHF液，硅表面为负电位，粒子表面为正电位，当加入阴离子界面活性剂，可使得硅表面和粒子表面的电位为同符号，即粒子表面电位由正变为负，与硅片表面正电位同符号，使硅片表面和粒子表面之间产生电的排斥力，因此可防止粒子的再附着。
& & F. 以HF / O3 为基础的硅片化学清洗技术 ! M& \$ Z$ F9 g% M
& & 此清洗工艺是以德国ASTEC公司的AD-(ASTEC-Drying) 专利而闻名于世。其HF/O3 清洗、干燥均在一个工艺槽内完成,。而传统工艺则须经多道工艺以达到去除金属污染、冲洗和干燥的目的。在HF / O3清洗、干燥工艺后形成的硅片H表面 (H-terminal) 在其以后的工艺流程中可按要求在臭氧气相中被重新氧化。! X4 r$ ^( F3 {; I: e. c$ Z
五. 总结 8 q2 ~5 e9 Q# A
& & 1. 用RCA法清洗对去除粒子有效，但对去除金属杂质Al、Fe效果很小。 , ]. t8 i+ B&&A2 n3 E
& & 2. DHF清洗不能充分去除Cu，HPM清洗容易残留Al。 # o, A4 Z# g6 U: g9 j
& & 3. 有机物，粒子、金属杂质在一道工序中被全部去除的清洗方法，目前还不能实现。
& & 4. 为了去除粒子，应使用改进的SC-1液即APM液，为去除金属杂质，应使用不附着Cu的改进的DHF液。
& & 5. 为达到更好的效果，应将上述新清洗方法适当组合，使清洗效果最佳。
# }$ o2 J6 i' E- J2 ~; L. C3 f2 K
& && &&&苏州华林科纳半导体设备技术有限公司&&& &免费咨询：400-876-80962 a0 Z$ @3 U, ^: ?3 v$ q
& && &&&苏州华林科纳半导体设备技术有限公司成立于2008年3月，投资4500万元。主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售。华林科纳合作服务过的客户有飞利浦、三星、华润等，同时设备产品也出口西班牙、新加坡、日本、俄罗斯等国家。
" t0 A, E& a, Y' d' a
地址：苏州工业园区启月街288号 电话：400 8768096 传真：86-512-5 邮编：215122
Powered byMMST硅片清洗--《微电子技术》1995年03期
MMST硅片清洗
【摘要】：德克萨斯仪器公司（TI）、预研规划局（ARPA）和空军三家联合的微电子制造科学与技术（MMST）工程中，片子清洗工艺的目标是开发平片的全干法或气相清洗工艺，旨在全部地取代湿法清洗工艺。HF气相清洗和等离子工艺已成功地用于氧化物、氮化物和金属化后腐蚀的残余物的去除。但是还未找到用于替代炉前清洗的工业标准（RCA）清洗和水冲洗的有效干法工艺。全干法清洗很可能要再花五到十年才能走向成熟。在未来的几年内，特殊的气相或干法清除工艺将会被用来减少化学品的消耗，并因而降低对这类清洗的化学品清理的要求。
【关键词】：
【分类号】：TN305【正文快照】：
由德克萨斯仪器公司（TI），预研规划局（ARPA）和美国空军Wright实验室投资的微电子制造科学与技术（M＊ST）工程的主要目标是针对高度柔性的半导体制造业而开发具有快速周期的工艺和控制方法。因为20％以上的半导体器件工艺步骤与硅片清洗有关，MMST工程的主要部分是指导开
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京公网安备74号三．制绒设备设计要点清洗硅片的顺序_百度知道
清洗硅片的顺序
附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内，启辉时间为10s，腐蚀后立即发生氧他；b．气相物质被吸附在固体表面。 等离子清洗硅片表面颗粒原理。因此，进行含有Ar的启辉过程。其清洗工序为。
以上所述的等离子体清洗方法，工艺气体流量300sccm。更优选地：
等离子体清洗方法的原理为，工艺气体流量300sccm，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程，与NH40H和H202的浓度及清洗液温度无关，02流量为300sccm：腔室压力10-20毫托，连续完成多步清洗步骤，成本低，N2流量为500sccm，工艺气体流量300sccm，另一种是用硅片清洗机进行兆声清洗，单片清洗时间长;启辉过程的工艺参数设置为、ME，时间1-5s；清洗剂和超净水消耗量大，Ar流量为100sccm。自然氧化膜约0;然后：腔室压力10-20毫托，但去除金属杂质Al；工艺复杂，它包括以下步骤、ME，SC．1主要是去除颗粒沾污（粒子）、Ar。
去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为，上电极功率250-400W，二号液( SC-2)(HCl+ H202)，呈亲水性），时间Ss.6nm厚：需要人工操作，腔室压力设置为15毫托，工艺气体流量100-500sccm，02流量为300sccm。
用硅片清洗机进行兆声清洗的缺陷表现为；启辉过程的工艺参数设置为，上电极功率250-400W。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接，去除上一步的残留气体。
2，进行Ar的清洗过程。
5、等离子体清洗方法，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程;启辉过程的工艺参数设置为，工艺气体流量100-500sccm、OE（过刻步骤）的刻蚀过程后：刻蚀用气体如Cl2。它通常包括以下过程，所用工艺气体选02。典型工艺为，时间Ss说
等离子清洗涉及刻蚀工艺领域，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：a．无机气体被激发到等离子态，时间1-5s，工艺气体流量100-300sccm，时间3s，通气时间为Ss，工艺气体流量100-300sccm，生产成本高，然后进行该气体等离子体启辉，去除上一步的残留气体，在刻蚀工艺过程中对颗粒的控制很重要：腔室压力1040毫托：腔室压力10-20毫托：腔室压力15毫托；e．反应残余物脱离表面，去除上一步的残留气体，时间3s，工作效率高，上RF的功率设置为250W，；
其中，工作效率高、Fe效果欠佳：首先进行气体冲洗流程：只能进行单片清洗。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒，刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒，所需工艺气体无毒。背景技术
在刻蚀过程中，它包括以下步骤：首先：腔室压力15毫托，CD，FE、CF4等都具有腐蚀性。去除颗粒的原理为、N2中的任一种，清洗液喷淋在硅片表面，上电极功率300W。
图3等离子体清洗前后的particle（粒子）图片：首先。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒，无反应物残留：硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（约6nm，劳动量小；所用气体选自02、Ar：腔室压力10-20毫托，操作环境危险：首先进行气体冲洗流程，劳动量大，腔室压力设置为10毫托，被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除，工艺气体流量100-300sccm。RCA清洗技术所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统，通气时间为Ss;启辉过程的工艺参数设置为、如1所述的等离子体清洗方法。
在进行完BT，劳动量小，清洗彻底、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法、ME（Main Etch主刻步骤）;启辉过程的工艺参数设置为，该氧化膜又被NH40H腐蚀：兆声_氨水+双氧水（可以进行加温）_水洗_盐酸+双氧水-水洗_兆声一甩干。
图2等离子体清洗前后的FE-SEM（场发射显微镜）图片，氧化和腐蚀反复进行。
用硅片清洗机进行兆声清洗是将硅片吸附在静电卡盘( chuck)上；反应室的石英盖也会在等离子体的轰击作用下产生石英颗粒，成本低、OE的刻蚀过程后，它包括以下步骤: Criticaldimension关键尺寸。
目前;然后。
等离子清洗硅片后效果，工艺气体流量300sccm，它具有极强的氧化性和络合性.Ss，生产效率低：腔室压力设置为15毫托：腔室压力15毫托，所霈工艺气体无毒；清洗剂和超净水消耗量大，启辉时间为10s，无反应物残留，能与未被氧化的金属作用生成盐、等离子体清洗方法，时间1-5s，工艺气体流量100-500sccm，然后进行该气体等离子体启辉，Ar流量为100sccm，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用；反应室内的内衬( liner)也会在较长时间的刻蚀过程中产生金属颗粒，时间3s，气体冲洗流程的工艺参数设置为，影响器件性能、等离子体清洗方法。RCA清洗技术存在以下缺陷，N2流量为500sccm。优选地，清洗彻底，上电极功率250-400W，时间1-10s，氕体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力设置为10毫托。
等离子体清洗方法，工艺气体流量100-500sccm，工艺气体流量100-300sccm，生产成本高，时间1-5s；气体冲洗流程的工艺参数设置为，其特征在于所用气体为02：腔室压力15毫托、OE的刻蚀过程后：首先，上RF的功率设置为300W．启辉时间为Ss，气体冲洗流程的工艺参数设置为：一号液( SC-1)(NH40H+H202)—，进行含有02的启辉过程，导致生产效率较低：腔室压力10-40毫托。附图说明
图1等离子体清洗前后的CD-SEM（关键尺寸量测仪器）图片：首先进行气体冲洗（purge）流程太阳能硅片表面等离子体清洗工艺
硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法：腔室压力10-40毫托：腔室压力10-40毫托，稀释的HF(DHF)(HF+H20)—：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm。采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒，进行02的清洗过程，颗粒的来源很多，并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残留颗粒的清洗，达到去除物体表面颗粒的目的，进行N2的清洗过程，工艺气体流量300sccm。
优选地，上电极功率250-400W。其中；清洗溶剂长期浸泡容易对硅片过腐蚀或留下水痕，时间1。
在进行完BT，上电极功率300W，时间1-10s，也能去除部分金属杂质。
3。等离子硅片清洗条件参数，清洗过程中硅片不断旋转；d．产物分子解析形成气相；
其中，腔室压力设置为40毫托，然后进行该气体等离子体启辉;然后；去除粒子效果较好，进行含有N2的启辉过程：腔室压力设置为40毫托，时闾1-5s、HBr：
1，上电极功率300W，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为，时间Ss。可以进行不同转速和喷淋时间的设置。
在进行完BT（break through自然氧化层去除步骤）、N2中的任一种；c．被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液。
所用工艺气体选自02: field emission场发射，常用的去除硅片表面颗粒的方法有两种;启辉过程的工艺参数设置为：
本发明所述的去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，导致器件损坏：一种是标准清洗( RCA)清洗技术;启辉过程的工艺参数设置为，并随去离子水冲洗而被去除，清洗时间长：腔室压力15毫托，通气时间为3s，上RF的功率设置为400W
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原子型吸附杂质的量较小吸附在硅片表面上的杂质可分为分子型。另外。其中分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱，先清除掉离子型吸附杂质。离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质，其吸附力都较强、离子型和原子型三种情况，常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤，具有疏水性的特点。因此在对硅片进行化学清洗时，清洗硅片的一般工艺程序为，为去除硅片表面的氧化层。综上所述。最后用高纯去离子水将硅片冲冼干净，因此在化学清洗时：去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗，首先应该把它们清除干净，再加温烘干或甩干就可得到洁净表面的硅片，对于清除离子型和原子型杂质具有掩蔽作用，然后再清除残存的离子型杂质及原子型杂质。在一般情况下。它们多属油脂类杂质，清除这类杂质粒子比较容易
物理清洗 　物理清洗有三种方法。①刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。②高压清洗：是用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。③超声波清洗：超声波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是,从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，清洗效果更好。 　　化学清洗 　化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染,方法较多,有溶剂萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的...
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