MOS场效应管,请问MOS场效应管 MOS
MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物,它是集成电路中的材料,现在也可指代芯片．MOS内部的结构和二极管、三极管差不多,由P-N结构成,P是正的意思(positive),N是负的意思(negative).由于正负离子的作用,在MOS内部形成了耗尽层和沟道,耗尽层里的正负离子相互综合,达到了稳定的状态,而沟道是电子流通的渠道,耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了,沟道就宽了,反之亦然． MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路,MOS可分为HMOS（高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS.以上答案如有不足,请多指教!参考资料：模拟书等
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PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管
全称 ： positive channel Metal Oxide &
别名 ： positive MOS&
金属氧化物半导体场效应(MOS)可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。&
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管――晶体管不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属―氧化物―半导体)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。&
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mos场效应管可以做开关吗？我自己电饭锅
来源：互联网 发表时间： 17:43:12 责任编辑：鲁晓倩字体：
为了帮助网友解决“mos场效应管可以做开关吗？我自己电饭锅”相关的问题，中国学网通过互联网对“mos场效应管可以做开关吗？我自己电饭锅”相关的解决方案进行了整理,用户详细问题包括:RT,我想知道:mos场效应管可以做开关吗？我自己电饭锅开关老是烧，换了没几天就接着烧，能用这个代替吗，具体解决方案如下：解决方案1：
可以购买由双向可控硅制作的固态继电器控制比较方便只要一个3到30V的直流电源即可。使用场效应管自己制作开关比较麻烦。并且费用偏高。
追问：解决方案2：
原来的开关怎样的?
追问：解决方案3：
完全可以替代。
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