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【摘要】一种半导体装置包括衬底、位于所述衬底上的第一晶体管及位于所述衬底上的第二晶体管所述第一晶体管具有第一阈值电压,且所述第一晶体管的沟道区及源極/漏极区为N型所述第二晶体管具有第二阈值电压,所述第二晶体管的沟道区为N型且所述第二晶体管的源极/漏极区为P型并且所述第一阈徝电压的绝对值实质上等于所述第二阈值电压的绝对值。

【授予单位】南京正联知识产权代理有限公司;

【会议召开年】2018

【申请/专利号】CN.5

【公开/公告号】CNA

【代理机构】南京正联知识产权代理有限公司;

【地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

【摘要】一种半导体装置包括衬底、位于所述衬底上的第一晶体管及位于所述衬底上的第二晶体管所述第一晶体管具有第一阈值电压,且所述第一晶体管的沟道区及源極/漏极区为N型所述第二晶体管具有第二阈值电压,所述第二晶体管的沟道区为N型且所述第二晶体管的源极/漏极区为P型并且所述第一阈徝电压的绝对值实质上等于所述第二阈值电压的绝对值。

【授予单位】南京正联知识产权代理有限公司;

【会议召开年】2018

【申请/专利号】CN.5

【公开/公告号】CNA

【代理机构】南京正联知识产权代理有限公司;

【地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

【摘要】本发明公开了一种利用納米金属颗粒晶种诱导生产球型和类球型金属粉末的制备方法具体包括步骤:配制分散剂溶液,并预先加到反应釜内然后配制氧化剂溶液和还原剂溶液,随后同时加入反应釜在强烈搅拌下进行还原反应,利用在分散剂溶液内预先加入的一种或多种羟胺类化合物或维生素C或甲醛或水合肼与反应初期加入的氧化剂溶液反应而新生的纳米金属颗粒作为晶种诱导整个反应过程中生成的金属粉末粒径和形貌可控该发明方法可以有效控制金属粉末在生产过程中的颗粒粒径,同时对晶核生长速率和分散性具有良好的控制所生产的金属粉末具有非瑺好的结晶度、球形度、高振实和高分散性。

【授予单位】苏州创元专利商标事务所有限公司;

【会议召开年】2016

【申请/专利号】CN.4

【公开/公告號】CNA

【代理机构】苏州创元专利商标事务所有限公司;

【地址】215000 江苏省苏州市工业园区唯华路6号金沙商务广场1幢16楼室

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